1.本实用新型属于技术领域半导体技术领域，涉及一种半导体陷光结构及射线探测器。
背景技术：2.碲化镉是一种宽禁带的半导体，最大的优势在于常温下即可获得较高的探测效率和能量分辨率，且这类材料制备的探测器非常适合对能量在10-500kev的高能射线进行探测与成像，可以有效的应用在空间探测、医学成像等领域。随着x射线、γ射线探测需求的日益增加，碲化镉基探测器也越来越受到了研究者们的重视。
3.然而，x射线对人体健康具有较大的损害，因此，如何更有效地利用x射线，降低病人在诊断时所受的x射线辐照剂量，也是亟待解决的问题。碲化镉x射线成像领域具有广泛地应用，光子计数技术的发展使得碲化镉成为最具发展潜力的x射线探测材料之一。目前，阻碍碲化镉x射线成像设备发展的一大难点之一就是如何有效的利用x射线，降低病人在诊断时所受的x射线辐照剂量。
4.cn 106601836a公开了一种基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺，包括：采用二氧化硅制作自组装掩膜版，并将正酸乙酯和乙醇溶液混合，在自组装掩膜版制作出二氧化硅纳米颗粒自组装掩膜版；对已经扩散好pn的硅片进行刻蚀，再在硅片的表面进行陷光结构的刻蚀，以制作硅纳米柱阵列。但上述结构并不涉及对x射线的陷光，而且也不涉及对碲化镉陷光结构的改进。
5.cn 108649120a公开了一种具有陷光结构的钙钛矿光电探测器及制作方法，包括自下而上依次分布的具有su8表面纳米陷光阵列的减反层、ito玻璃衬底、ito纳米陷光结构、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层，在电子传输层上方设有阴极，在ito纳米陷光结构上方设有阳极；纳米陷光阵列的减反射为su-8减反射膜，减反射膜具有类半球结果的表面减反射阵列的陷光结构；ito纳米陷光结构为具有二维结构孔形或柱形阵列结构。其中的ito纳米陷光结构用于钙钛矿光电探测器时具有良好的陷光效果，增加了广成。但该结构用于x射线陷光，尤其是碲化镉陷光时，陷光效果较差。
6.因此，需要提供一种针对碲化镉x射线成像设备的陷光结构，即一种能够更加有效地吸收利用x射线的半导体陷光结构及射线探测器。
技术实现要素：7.针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种半导体陷光结构及射线探测器，所述半导体陷光结构能够有效地吸收并利用射线，降低病人在诊断时的射线辐照剂量。
8.为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
9.第一方面，本实用新型提供了一种半导体陷光结构，所述陷光结构包括反射基体；
10.反射基体设置有阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱；所述
半导体晶柱的厚度》反射基体的厚度。
11.本实用新型提供的提供的半导体陷光结构通过反射基体以及半导体晶柱的设置，使半导体晶柱发挥收集射线，并使反射基体进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使其沿着晶柱传递的目的；进而减少了病人在诊断时的射线辐照剂量。
12.本实用新型所述反射基体包括氧化硅反射基体或硫化锌反射基体。
13.本实用新型所述半导体晶柱包括碲化镉半导体晶柱或镉锌碲半导体晶柱。
14.优选地，所述通孔的形状为多边形或圆形。
15.优选地，当所述通孔的形状为圆形时，通孔的直径为50-200μm，例如可以是50μm、80μm、100μm、120μm、150μm、160μm、180μm或200μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
16.优选地，所述通孔的形状为正多边形。
17.优选地，所述通孔的形状为正方形或正六边形。
18.优选地，所述反射基体的厚度为100-2000μm，例如可以是100μm、200μm、300μm、400μm、500μm、600μm、800μm、1000μm、1200μm、1400μm、1500μm、1600μm、1800μm或2000μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
19.优选地，所述半导体晶柱的厚度为150-3000μm，例如可以是150μm、240μm、320μm、450μm、540μm、560μm、640μm、850μm、1100μm、1300μm、1500μm、1600μm、1700μm、1800μm、2000μm、2100μm、2400μm、2500μm、2700μm、2800μm或3000μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
20.本实用新型中，半导体晶柱的厚度》反射基体的厚度；作为进一步优选的技术方案，半导体晶柱突出反射基体两端的距离相等。
21.优选地，所述阵列分布为矩形阵列分布。
22.优选地，相邻所述通孔的间距为10-50μm，例如可以是10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm或50μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
23.本实用新型所述通孔的间距是指，相邻两个通孔的最近距离。
24.优选地，所述通孔的形状为正多边形时，通孔的内切圆直径为50-200μm，例如可以是50μm、80μm、100μm、120μm、150μm、160μm、180μm或200μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
25.第二方面，本实用新型提供了一种射线探测器，所述射线探测器包括如第一方面所述的半导体陷光结构。
26.本实用新型提供的射线探测器，在传统射线探测器的基础上，将其中的辐射吸收层结构替换为本实用新型第一方面所述的半导体陷光结构，使其中的半导体晶柱发挥收集射线，并使反射基体进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使其沿着晶柱传递的目的；进而减少了病人在诊断时的射线辐照剂量。
27.所述射线探测器包括x射线探测器或γ射线探测器。
28.与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
29.本实用新型提供的提供的半导体陷光结构通过反射基体以及半导体晶柱的设置，使半导体晶柱发挥收集射线，并使反射基体进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使其沿
着晶柱传递的目的；进而减少了病人在诊断时的射线辐照剂量。
附图说明
30.图1为实施例1提供的半导体陷光结构的示意图；
31.图2为实施例1提供的半导体陷光结构的剖面图；
32.图3为实施例4提供的半导体陷光结构的示意图；
33.图4为实施例4提供的半导体陷光结构的剖面图；
34.图5为实施例7提供的半导体陷光结构的示意图；
35.图6为对比例1提供的半导体陷光结构的剖面图。
36.其中：1，反射基体；2，半导体晶柱。
具体实施方式
37.需要理解的是，在本实用新型的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
38.需要说明的是，在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
39.下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
40.本实用新型的目的之一在于提供一种半导体陷光结构，所述陷光结构包括反射基体；
41.反射基体设置有阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱；所述半导体晶柱的厚度》反射基体的厚度。
42.在某些实施例中，反射基体的材质包括氧化硅或硫化锌。
43.在某些实施例中，半导体晶柱的材质包括碲化镉或镉锌碲。
44.在某些实施例中，所述通孔的形状为多边形或圆形；
45.在某些实施例中，通孔的形状为圆形时，通孔的直径为50-200μm。
46.在某些实施例中，通孔的形状为正多边形，进一步优选为正方形或正六边形。
47.在某些实施例中，所述反射基体的厚度为100-2000μm。
48.在某些实施例中，所述半导体晶柱的厚度为150-3000μm。
49.在某些实施例中，所述阵列分布为矩形阵列分布；优选地，相邻所述通孔的间距为10-50μm。
50.在某些实施例中，所述通孔的内切圆直径为50-200μm。
51.本实用新型的目的之二在于提供一种射线探测器，所述射线探测器包括目的之一提供的半导体陷光结构。
52.所述射线探测器包括x射线探测器或γ射线探测器。
53.包括本实用新型提供的半导体陷光结构的x射线探测器或γ射线探测器能够实现x射线或γ射线沿着晶柱传递的目的，从而减少病人在诊断时的射线辐照剂量。
54.实施例1
55.本实施例提供了一种如图1所示的半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
56.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2(参见图2)，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
57.所述氧化硅反射基体的厚度为1000μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为1100μm。碲化镉半导体晶柱突出氧化硅反射基体两端的距离相等。
58.所述通孔的形状为正方形，相邻所述通孔的间距为20μm，通孔的内切圆直径为100μm。
59.本实施例提供的半导体陷光结构通过反射基体1以及半导体晶柱2的设置，是半导体晶柱2发挥收集射线，并使反射基体1进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使射线沿着晶柱传递。包括本实施例所述半导体陷光结构的射线探测器，能够减少病人在诊断时的射线辐照剂量。
60.实施例2
61.本实施例提供了一种半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
62.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
63.所述氧化硅反射基体的厚度为100μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为150μm。碲化镉半导体晶柱突出氧化硅反射基体两端的距离相等。
64.所述通孔的形状为正方形，相邻所述通孔的间距为10μm，通孔的内切圆直径为50μm。
65.本实施例提供的半导体陷光结构通过反射基体1以及半导体晶柱2的设置，是半导体晶柱2发挥收集射线，并使反射基体1进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使射线沿着晶柱传递。包括本实施例所述半导体陷光结构的射线探测器，能够减少病人在诊断时的射线辐照剂量。
66.实施例3
67.本实施例提供了一种半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
68.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
69.所述氧化硅反射基体的厚度为2000μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为3000μm。碲化镉半导体晶柱突出氧化硅反射基体两端的距离相等。
70.所述通孔的形状为正方形，相邻所述通孔的间距为50μm，通孔的内切圆直径为200μm。
71.本实施例提供的半导体陷光结构通过反射基体1以及半导体晶柱2的设置，是半导
体晶柱2发挥收集射线，并使反射基体1进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使射线沿着晶柱传递。包括本实施例所述半导体陷光结构的射线探测器，能够减少病人在诊断时的射线辐照剂量。
72.实施例4
73.本实施例提供了一种如图3所示的半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
74.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2(参见图4)，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
75.所述氧化硅反射基体的厚度为1000μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为1100μm。碲化镉半导体晶柱突出氧化硅反射基体两端的距离相等。
76.所述通孔的形状为正六边形，相邻所述通孔的间距为20μm，通孔的内切圆直径为100μm。
77.本实施例提供的半导体陷光结构通过反射基体1以及半导体晶柱2的设置，是半导体晶柱2发挥收集射线，并使反射基体1进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使射线沿着晶柱传递。包括本实施例所述半导体陷光结构的射线探测器，能够减少病人在诊断时的射线辐照剂量。
78.实施例5
79.本实施例提供了一种半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
80.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
81.所述氧化硅反射基体的厚度为100μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为150μm。碲化镉半导体晶柱突出氧化硅反射基体两端的距离相等。
82.所述通孔的形状为正六边形，相邻所述通孔的间距为10μm，通孔的内切圆直径为50μm。
83.本实施例提供的半导体陷光结构通过反射基体1以及半导体晶柱2的设置，是半导体晶柱2发挥收集射线，并使反射基体1进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使射线沿着晶柱传递。包括本实施例所述半导体陷光结构的射线探测器，能够减少病人在诊断时的射线辐照剂量。
84.实施例6
85.本实施例提供了一种半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
86.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
87.所述氧化硅反射基体的厚度为2000μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为3000μm。碲化镉半导体晶柱突出氧化硅反射基体两端的距离相等。
88.所述通孔的形状为正六边形，相邻所述通孔的间距为50μm，通孔的内切圆直径为200μm。
89.本实施例提供的半导体陷光结构通过反射基体1以及半导体晶柱2的设置，是半导
体晶柱2发挥收集射线，并使反射基体1进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使射线沿着晶柱传递。包括本实施例所述半导体陷光结构的射线探测器，能够减少病人在诊断时的射线辐照剂量。
90.实施例7
91.本实施例提供了一种如图5所示的半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
92.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
93.所述氧化硅反射基体的厚度为1000μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为1100μm。碲化镉半导体晶柱突出氧化硅反射基体两端的距离相等。
94.所述通孔的形状为圆形，相邻所述通孔的间距为20μm，通孔的直径为100μm。
95.本实施例提供的半导体陷光结构通过反射基体1以及半导体晶柱2的设置，是半导体晶柱2发挥收集射线，并使反射基体1进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使射线沿着晶柱传递。包括本实施例所述半导体陷光结构的射线探测器，能够减少病人在诊断时的射线辐照剂量。
96.实施例8
97.本实施例提供了一种半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
98.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
99.所述氧化硅反射基体的厚度为100μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为150μm。碲化镉半导体晶柱突出氧化硅反射基体两端的距离相等。
100.所述通孔的形状为圆形，相邻所述通孔的间距为10μm，通孔的直径为50μm。
101.本实施例提供的半导体陷光结构通过反射基体1以及半导体晶柱2的设置，是半导体晶柱2发挥收集射线，并使反射基体1进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使射线沿着晶柱传递。包括本实施例所述半导体陷光结构的射线探测器，能够减少病人在诊断时的射线辐照剂量。
102.实施例9
103.本实施例提供了一种半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
104.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
105.所述氧化硅反射基体的厚度为2000μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为3000μm。碲化镉半导体晶柱突出氧化硅反射基体两端的距离相等。
106.所述通孔的形状为圆形，相邻所述通孔的间距为50μm，通孔的直径为200μm。
107.本实施例提供的半导体陷光结构通过反射基体1以及半导体晶柱2的设置，是半导体晶柱2发挥收集射线，并使反射基体1进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使射线沿着晶柱传递。包括本实施例所述半导体陷光结构的射线探测器，能够减少病人在诊断时的射线辐照剂量。
108.对比例1
109.本对比例提供了一种半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，反射基体1为氧化硅反射基体。
110.反射基体1设置有矩形阵列分布的盲孔，盲孔内设置有与盲孔匹配的半导体晶柱2(参见图6)，半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
111.所述反射基体1的厚度为1000μm，盲孔的深度为900μm，半导体晶柱2的厚度为950μm。
112.所述盲孔的形状为正方形，相邻所述盲孔的间距为20μm，盲孔的内切圆直径为100μm。
113.与实施例1相比，本对比例提供的半导体陷光结构中的半导体晶柱2设置在盲孔中，无法实现半导体晶柱2收集射线的作用，陷光效率较低。
114.对比例2
115.本对比例提供了一种半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，反射基体1为氧化硅反射基体。
116.反射基体1设置有矩形阵列分布的盲孔，盲孔内设置有与盲孔匹配的半导体晶柱2，半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
117.所述反射基体1的厚度为1000μm，盲孔的深度为900μm，半导体晶柱2的厚度为950μm。
118.所述盲孔的形状为正六边形，相邻所述盲孔的间距为20μm，盲孔的内切圆直径为100μm。
119.与实施例4相比，本对比例提供的半导体陷光结构中的半导体晶柱2设置在盲孔中，无法实现半导体晶柱2收集射线的作用，陷光效率较低。
120.对比例3
121.本对比例提供了一种半导体陷光结构，所述半导体陷光结构包括反射基体1，反射基体1为氧化硅反射基体。
122.反射基体1设置有矩形阵列分布的盲孔，盲孔内设置有与盲孔匹配的半导体晶柱2，半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
123.所述反射基体1的厚度为1000μm，盲孔的深度为900μm，半导体晶柱2的厚度为950μm。
124.所述盲孔的形状为圆形，相邻所述盲孔的间距为20μm，盲孔的直径为100μm。
125.与实施例7相比，本对比例提供的半导体陷光结构中的半导体晶柱2设置在盲孔中，无法实现半导体晶柱2收集射线的作用，陷光效率较低。
126.对比例4
127.本对比例提供了一种半导体陷光结构，所述陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
128.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
129.所述氧化硅反射基体的厚度为1000μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为1000μm。碲化镉半导体晶柱与氧化硅反射基体的两端平齐。
130.所述通孔的形状为正方形，相邻所述通孔的间距为20μm，通孔的内切圆直径为100μm。
131.本对比例提供的半导体陷光结构，半导体晶柱2的厚度与氧化硅反射基体的厚度相同，且两端平齐。与实施例1相比，半导体晶柱2收集射线的能力减弱。包括本对比例所述半导体陷光结构的射线探测器虽然能够在一定程度上减弱射线辐照计量，但减弱能力较实施例1差。
132.对比例5
133.本对比例提供了一种半导体陷光结构，所述陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
134.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
135.所述氧化硅反射基体的厚度为1000μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为1000μm。碲化镉半导体晶柱与氧化硅反射基体的两端平齐。
136.所述通孔的形状为正六边形，相邻所述通孔的间距为20μm，通孔的内切圆直径为100μm。
137.本对比例提供的半导体陷光结构，半导体晶柱2的厚度与氧化硅反射基体的厚度相同，且两端平齐。与实施例4相比，半导体晶柱2收集射线的能力减弱。包括本对比例所述半导体陷光结构的射线探测器虽然能够在一定程度上减弱射线辐照计量，但减弱能力较实施例4差。
138.对比例6
139.本对比例提供了一种半导体陷光结构，所述陷光结构包括反射基体1，所述反射基体1为氧化硅反射基体。
140.反射基体1设置有矩形阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱2，所述半导体晶柱2为碲化镉半导体晶柱。
141.所述氧化硅反射基体的厚度为1000μm，碲化镉半导体晶柱的厚度为1000μm。碲化镉半导体晶柱与氧化硅反射基体的两端平齐。
142.所述通孔的形状为圆形，相邻所述通孔的间距为20μm，通孔的直径为100μm。
143.本对比例提供的半导体陷光结构，半导体晶柱2的厚度与氧化硅反射基体的厚度相同，且两端平齐。与实施例7相比，半导体晶柱2收集射线的能力减弱。包括本对比例所述半导体陷光结构的射线探测器虽然能够在一定程度上减弱射线辐照计量，但减弱能力较实施例7差。
144.综上所述，本实用新型提供的提供的半导体陷光结构通过反射基体以及半导体晶柱的设置，使半导体晶柱发挥收集射线，并使反射基体进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使其沿着晶柱传递的目的；进而减少了病人在诊断时的射线辐照剂量。
145.以上所述仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本实用新型的保护范围和公开范围之内。
技术特征：1.一种半导体陷光结构，其特征在于，所述陷光结构包括反射基体；反射基体设置有阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱；所述半导体晶柱的厚度>反射基体的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体陷光结构，其特征在于，所述通孔的形状为多边形或圆形。3.根据权利要求2所述的半导体陷光结构，其特征在于，所述通孔的形状为正多边形。4.根据权利要求3所述的半导体陷光结构，其特征在于，所述通孔的形状为正方形或正六边形。5.根据权利要求1所述的半导体陷光结构，其特征在于，所述反射基体的厚度为100-2000μm。6.根据权利要求5所述的半导体陷光结构，其特征在于，所述半导体晶柱的厚度为150-3000μm。7.根据权利要求1或4所述的半导体陷光结构，其特征在于，所述阵列分布为矩形阵列分布。8.根据权利要求7所述的半导体陷光结构，其特征在于，相邻所述通孔的间距为10-50μm。9.根据权利要求8所述的半导体陷光结构，其特征在于，所述通孔的内切圆直径为50-200μm。10.一种射线探测器，其特征在于，所述射线探测器包括如权利要求1-9任一项所述的半导体陷光结构。
技术总结本实用新型提供了一种半导体陷光结构及射线探测器，所述陷光结构包括反射基体；反射基体设置有阵列分布的通孔，通孔内设置有与通孔匹配的半导体晶柱；所述半导体晶柱的厚度>反射基体的厚度。本实用新型提供的提供的半导体陷光结构通过反射基体以及半导体晶柱的设置，使半导体晶柱发挥收集射线，并使反射基体进行全反射的作用，从而实现束缚射线，使其沿着晶柱传递的目的；进而减少了病人在诊断时的射线辐照剂量。射线辐照剂量。射线辐照剂量。
技术研发人员：朱蓉辉 陈成 卢王威 张珍珍 穆怀慈 李德亮 田力豪 李振 王沈泉
受保护的技术使用者：材料科学姑苏实验室
技术研发日：2022.08.11
技术公布日：2022/12/1
