本申请涉及半导体面板制造领域，具体涉及一种用于制造显示面板的新型掩模版及其制备方法。
背景技术：
当前在大型显示面板的制造领域中，光刻工艺通常采用波长为365纳米的i线曝光系统。i线曝光系统通过光学曝光的方式将掩模版上的图形转移至涂覆有光刻胶的基底上。光刻胶经过光学曝光记录下掩模版上的图形信息。
相关技术在图形的转移曝光过程中，为了实现大面积面板的制造，需要利用有限区域的掩模版进行多次拼接曝光。掩模版的中心为大量需要转移的图形，掩模版的边缘覆盖有不透光铬层，边缘内侧为透光区域。
相关技术简单的对掩模版进行几何拼接，由于掩模版的边缘在光学曝光过程中存在衍射现象，无法获得稳定良好的拼接效果和曝光质量，拼接区域的边缘处曝光量叠加后与相邻区域曝光量存在差异，导致基底上的光刻胶经过曝光显影工艺后出现部分的凸起或凹陷。
技术实现要素：
为解决以上问题，本申请提供一种用于制造显示面板的新型掩模版及其制备方法，新型掩模版边缘的透光区域中填充有不透光的冗余图形，冗余图形能减少透光区域在衬底上对应的多曝光区域的曝光量，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。对于面板制造光刻设备精度不允许对掩模版的移动距离做精细调整的情况下，采用该新型掩模版以拼接的方式制造大型显示面板，能使曝光量分布更加均匀。
第一方面，本申请实施例提供了一种用于制造显示面板的新型掩模版，包括透光区域和遮光区域，
所述透光区域中包括与所述遮光区域连接的多曝光区域，所述多曝光区域为制造显示面板过程中对所述新型掩模版进行拼接曝光的多个曝光区域之间的重叠区域；
所述多曝光区域中划分有一个或多个单元子区域，所述单元子区域中填充有冗余图形，所述单元子区域中被所述冗余图形覆盖的区域不透光。
在本申请一些实施例中，所述冗余图形的尺寸小于所述新型掩模版对应的最大分辨率尺寸。
在本申请一些实施例中，所述冗余图形在所述单元子区域中的填充率位于预设填充率区间内，所述填充率位于所述预设填充率区间内使得所述多曝光区域内的曝光量分布满足预设平整分布条件。
第二方面，本申请实施例提供了一种上述第一方面所述的新型掩模版的制备方法，所述方法包括：
确定第一掩模版中包括的多曝光区域；
在所述多曝光区域中划分若干单元子区域；
在每个所述单元子区域中填充冗余图形，得到新型的第二掩模版。
在本申请一些实施例中，所述确定第一掩模版中包括的多曝光区域，包括：
通过曝光系统对第一掩模版进行单次曝光；
通过面板制造光刻设备移动所述第一掩模版，通过所述曝光系统对移动后的所述第一掩模版进行再次曝光；
分别获取所述第一掩模版每次曝光对应的曝光量分布曲线；
根据所述面板制造光刻设备的设备参数及每次曝光对应的所述曝光量分布曲线，确定所述第一掩模版中包括的多曝光区域。
在本申请一些实施例中，所述在每个所述单元子区域中填充冗余图形之前，还包括：
根据所述单元子区域的面积和预设填充率区间，确定待填充的冗余图形对应的面积区间；
从所述面积区间中选择待填充的所述冗余图形的面积；
根据预设的掩模制造规则，确定待填充的冗余图形对应的最优尺寸。
在本申请一些实施例中，所述在每个所述单元子区域中填充冗余图形，包括：
根据待填充的所述冗余图形的面积和所述最优尺寸，在每个所述单元子区域中填充所述冗余图形。
在本申请一些实施例中，所述在每个所述单元子区域中填充冗余图形，得到新型的第二掩模版之后，还包括：
将所述第二掩模板在待拼接区域的衬底基板上方进行移动拼接；
采用曝光系统通过每次移动后的所述第二掩模版的透光区域对所述衬底基板进行曝光，将所述第二掩模版上的掩模图形转移至所述衬底基板上。
第三方面，本申请实施例提供了一种面板制造设备，包括：面板制造机台的存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行以实现上述第二方面所述的方法。
第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令可被处理器执行以实现上述第二方面所述的方法。
本申请实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
在本申请实施例提供的新型掩模版中，位于掩模版边缘的多曝光区域中填充有不透光的冗余图形，在对掩模版进行曝光时，冗余图形能够减少多曝光区域的曝光量，如此在通过移动拼接掩模版的方式往显示面板的衬底基板上转移掩模图形的过程中，多次曝光的重叠区域内的曝光量会减少，从而使得多曝光区域内的曝光量分布趋近于其他区域的曝光量分布，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。本申请实施例不依赖光刻成像模型和掩模版的具体大小，具有普适性和可移植性。对于面板制造光刻设备的精度不允许对掩模版的移动距离做精细调整的情况下，采用本申请实施例提供的新型掩模版能够使得曝光量分布更加均匀。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变的明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1示出了本申请实施例所提供的一种新型掩模版的结构示意图；
图2示出了本申请实施例所提供的多曝光区域的示意图；
图3示出了图2所示的多曝光区域对应的曝光量分布的示意图；
图4示出了本申请实施例所提供的单元子区域和冗余图形的示意图；
图5示出了本申请实施例所提供的冗余图形不同填充率的曝光量分布的示意图；
图6示出了本申请实施例所提供的填充率为0.25时不同大小的冗余图形对应的曝光量分布的示意图；
图7示出了本申请实施例所提供的一种新型掩模版的制备方法的流程图；
图8示出了本申请实施例所提供的一种新型掩模版的制备装置的结构示意图；
图9示出了本申请实施例所提供的一种面板制造设备的结构示意图；
图10示出了本申请实施例所提供的一种计算机可读存储介质的示意图。
上述附图中的标号所代表的含义如下所示：
1：不透光基板，2：透光区域，3：遮光区域，4：多曝光区域，5：冗余图形。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本申请的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本申请实施例提供一种用于制造显示面板的新型掩模版及其制备方法，下面结合附图进行说明。
本申请实施例提供了一种用于制造显示面板的新型掩模版，该新型掩模版的边缘添加有冗余图形，通过冗余图形来调整掩模版边缘位置处的曝光量，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。
参见图1，该新型掩模版包括不透光基板1，不透光基板1上形成有透光区域2，不透光基板1上除透光区域2外的区域为遮光区域3。
其中，透光区域2中包括与遮光区域3连接的多曝光区域4，多曝光区域4为制造显示面板过程中对新型掩模版进行拼接曝光的多个曝光区域之间的重叠区域；多曝光区域4中划分有一个或多个单元子区域，单元子区域中填充有冗余图形5，单元子区域中被冗余图形5覆盖的区域不透光。
在利用掩模版制造大型的显示面板时，由于掩模版的面积通常比较小，需要将掩模版多次拼接以达到制造大型显示面板的需求。当掩模版位于当前位置处时，采用曝光系统通过掩模版的透光区域2对待拼接区域的衬底基板进行曝光，将掩模版上的掩模图形转移至衬底基板上。之后移动掩模版的位置再次进行曝光，如此通过移动拼接的方式完成在衬底基板上形成图形。其中，衬底基板为待制造的显示面板的衬底基板。
上述在对掩模版进行移动拼接的过程中，对于相邻位置处的多次曝光来说，多次曝光的曝光区域存在重叠区域，该重叠区域在掩模版上的对应区域即为上述多曝光区域4。由于在拼接曝光的过程中，多曝光区域4由于存在多次曝光的情形，因此多曝光区域4中的曝光量分布会出现异常。
如图2所示，掩模版a与掩模版b拼接，掩模版a的透光区域2与掩模版b的透光区域2相邻接。在这种情况下，分别对掩模版a和b进行曝光，两次曝光的重叠区域中存在两次曝光的能量叠加，使得重叠区域的曝光量高于其他位置的曝光量。图3所示的曝光量分布示意图，即为图2所示的拼接方式对应的曝光量分布情况。从图3中可以看出，掩模版a与掩模版b拼接后，重叠区域的曝光量激增。上述掩模版a和b可以为移动到不同位置的同一掩模版，也可以为位于不同位置处的两个掩模版。
上述多曝光区域4出现的曝光量增加的情况，会导致衬底基板上该多曝光区域4对应的位置处出现光刻胶凸起或凹陷的问题。图1所示的新型掩模版中，在多曝光区域4中划分了单元子区域，并在单元子区域中填充了不透光的冗余图形5，利用冗余图形5来调整多曝光区域4中的曝光量，由于冗余图形5覆盖的区域不透光，因此对新型掩模版进行曝光时，多曝光区域4中由于冗余图形5的遮光作用，能够减少多曝光区域4中的曝光量，从而使多曝光区域4的曝光量趋近于其他区域的曝光量，使新型掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。
在本申请实施例中，上述多曝光区域4的宽度可能为2微米或3微米等。上述多曝光区域4的宽度与所采用的面板制造光刻设备移动掩模版的步进距离有关，步进距离越小，多曝光区域4的宽度越大，步进距离越大，多曝光区域4的宽度越小。
在多曝光区域4中填充的冗余图形5的尺寸小于新型掩模版对应的最大分辨率尺寸。新型掩模版对应的最大分辨率尺寸可以通过如下公式(1)来计算，冗余图形5的尺寸小于新型掩模版对应的最大分辨率尺寸，就会对多曝光区域4的曝光量分布有调整作用。
在上述公式(1)中，cd为新型掩模版对应的最大分辨率尺寸，k1为已知系数，λ为所采用的曝光系统的光线波长，na为曝光系统的数值孔径。
在本申请实施例中，冗余图形5在单元子区域中的填充率位于预设填充率区间内，填充率位于预设填充率区间内使得多曝光区域4内的曝光量分布满足预设平整分布条件。
其中，冗余图形5与单元子区域的面积之比即为多曝光区域4的冗余图形5填充率。如图4所示，一个单元子区域中填充了黑色的冗余图形5，该冗余图形5的填充率如公式(2)所示：
f＝(wrep×hrep)/(wrep×hrep)…(2)
在公式(2)中，f为填充率，wrep和hrep分别为冗余图形5的宽和高，wrep和hrep分别为单元子区域的宽和高。
本申请实施例预先通过仿真的方式，试验了大量不同的填充率对多曝光区域4内的曝光量分布的影响，如图5所示，通过仿真分别试验了填充率为0.16、0.25和0.49时掩模曝光量分布的情况，从图5中可以直观地看出，相对于填充率为0.16和0.49的情况，当填充率为0.25时，掩模曝光量分布曲线更为平整。
通过仿真确定了能够使得多曝光区域4内的曝光量分布满足预设平整分布条件的预设填充率区间。其中，预设平整分布条件可以为多曝光区域4内的曝光量分布的均方差小于第一预设阈值，或者预设平整分布条件可以为多曝光区域4内的曝光量分布的最大值与最小值之间的差值小于第二预设阈值。本申请实施例并不限制上述第一预设阈值和第二预设阈值的取值，实际应用中可根据需求来确定第一预设阈值和第二预设阈值的具体取值。
本申请实施例还预先通过仿真的方式来试验不同尺寸的冗余图形5对曝光量分布的影响，如图6所示，通过仿真试验了在填充率为0.25的前提下，冗余图6中可以直观地看出，较小的冗余图形5会有较细腻的曝光量分布。但在填充率一定的前提下，冗余图形5的尺寸大小对曝光量分布的影响不大。可以确定填充率后，根据掩模制造规则确定冗余图形5的尺寸，制造自由度高。其中，掩模制造规则包括待制造的新型掩模版的精度、容限、波动范围等参数。
在本申请实施例中，冗余图形5的形状可以为矩形，冗余图形5的宽和高的比例可以为1:1或1:2等。冗余图形5的形状还可以为圆形、三角形、椭圆形、多边形等。冗余图形5的颜色可以为黑色、绿色、紫色等。本申请实施例并不限制冗余图形5的形状和颜色，只要冗余图形5是不透光的，且冗余图形5的尺寸小于新型掩模版的最大分辨率尺寸，且冗余图形5的面积满足填充率位于预设填充率区间内，即可通过在多曝光区域4内填充这样的冗余图形5，达到调整多曝光区域4内的曝光量分布的效果。
在本申请实施例提供的新型掩模版中，位于掩模版边缘的多曝光区域中填充有不透光的冗余图形，在对掩模版进行曝光时，冗余图形能够减少多曝光区域的曝光量，如此在通过移动拼接掩模版的方式往显示面板的衬底基板上转移掩模图形的过程中，多次曝光的重叠区域内的曝光量会减少，从而使得多曝光区域内的曝光量分布趋近于其他区域的曝光量分布，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。本申请实施例不依赖光刻成像模型和掩模版的具体大小，具有普适性和可移植性。对于面板制造光刻设备的精度不允许对掩模版的移动距离做精细调整的情况下，采用本申请实施例提供的新型掩模版能够使得曝光量分布更加均匀。
本申请实施例还提供一种上述实施例所述的新型掩模版的制备方法，如图7所示，该方法具体包括以下步骤：
步骤101：确定第一掩模版中包括的多曝光区域。
第一掩模版为填充冗余图形之前的掩模版，第一掩模版包括不透光基板，不透光基板上形成有透光区域，不透光基板上除透光区域外的区域为遮光区域。
通过曝光系统对第一掩模版进行单次曝光；通过面板制造光刻设备移动第一掩模版，通过曝光系统对移动后的第一掩模版进行再次曝光；分别获取第一掩模版每次曝光对应的曝光量分布曲线；根据面板制造光刻设备的设备参数及每次曝光对应的曝光量分布曲线，确定第一掩模版中包括的多曝光区域。
上述面板制造光刻设备的设备参数包括面板制造光刻设备移动掩模版的步进距离。每次曝光对应的曝光分布曲线可以参照图3所示的曝光量分布示意图。多曝光区域指两次移动第一掩模并曝光后两次曝光区域之间的重叠区域。
步骤102：在多曝光区域中划分若干单元子区域。
在本申请实施例可以预先设定单元子区域的数目为预设数目，通过步骤101确定出多曝光区域之后，将该多曝光区域均分为预设数目个单元子区域。
或者，本申请实施例还可以预先设备单元子区域的面积为预设面积，通过步骤101确定出多曝光区域之后，将该多曝光区域区域中划分成多个面积为预设面积的单元子区域。
步骤103：在每个单元子区域中填充冗余图形，得到新型的第二掩模版。
在向每个单元子区域中填充冗余图形之前，首先确定冗余图形对应的填充率和图形尺寸。具体地，根据单元子区域的面积和预设填充率区间，确定待填充的冗余图形对应的面积区间；根据预设的掩模制造规则，确定待填充的冗余图形对应的最优尺寸。
上述预设填充率区间是预先通过大量仿真试验获得的，能够使得多曝光区域内的曝光量分布满足预设平整分布条件的填充率的区间范围。其中，预设平整分布条件可以为多曝光区域内的曝光量分布的均方差小于第一预设阈值，或者预设平整分布条件可以为多曝光区域内的曝光量分布的最大值与最小值之间的差值小于第二预设阈值。本申请实施例并不限制上述第一预设阈值和第二预设阈值的取值，实际应用中可根据需求来确定第一预设阈值和第二预设阈值的具体取值。
填充率为冗余图形的面积与单元子区域的面积之间的比值。根据预设填充率区间的上限值和下限值以及步骤102中划分出的单元子区域的面积，能够确定出待填充的冗余图形的最小面积和最大面积，以最小面积为下限值，以最大面积为上限值的数值区间，即为待填充的冗余图形对应的面积区间。从该面积区间中随机选择一个面积值作为待填充的冗余图的面积，或者选择该面积区间的中值作为待填充的冗余图形的面积。
待填充的冗余图形的面积确定之后，由于单元子区域的面积已确定，因此待填充的冗余图形对应的填充率也已确定。填充率确定之后，冗余图形的尺寸大小对曝光量分布的影响不大，但较小的冗余图形会有较细腻的曝光量分布。本申请实施例可以根据预设的掩模制造规则，确定待填充的冗余图形对应的最优尺寸。其中，掩模制造规则包括待制造的新型掩模版的精度、容限、波动范围等参数。
通过上述方式确定待填充的冗余图形的面积、最优尺寸、填充率后，根据待填充的冗余图形的面积和最优尺寸，在每个单元子区域中填充冗余图形。在第一掩模版的多曝光区域中的每个单元子区域中填充冗余图形后即得到了新型的第二掩模版。
之后可以通过该新型的第二掩模版来制造显示面板。即将第二掩模板在待拼接区域的衬底基板上方进行移动拼接；采用曝光系统通过每次移动后的第二掩模版的透光区域对衬底基板进行曝光，将第二掩模版上的掩模图形转移至衬底基板上。
在本申请实施例中，在位于掩模版边缘的多曝光区域中填充不透光的冗余图形，在对掩模版进行曝光时，冗余图形能够减少多曝光区域的曝光量，如此在通过移动拼接掩模版的方式往显示面板的衬底基板上转移掩模图形的过程中，多次曝光的重叠区域内的曝光量会减少，从而使得多曝光区域内的曝光量分布趋近于其他区域的曝光量分布，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。本申请实施例不依赖光刻成像模型和掩模版的具体大小，具有普适性和可移植性。对于面板制造光刻设备的精度不允许对掩模版的移动距离做精细调整的情况下，采用本申请实施例制造的新型掩模版能够使得曝光量分布更加均匀。
本申请实施例还提供一种用于制备上述实施例所述的新型掩模版的制备装置，该装置用于执行上述用于制备新型掩模版的制备方法，参见图8，该装置包括：
多曝光区域确定模块801，用于确定第一掩模版中包括的多曝光区域；
子区域划分模块802，用于在多曝光区域中划分若干单元子区域；
冗余图形填充模块803，用于在每个单元子区域中填充冗余图形，得到新型的第二掩模版。
上述多曝光区域确定模块801，用于通过曝光系统对第一掩模版进行单次曝光；通过面板制造光刻设备移动第一掩模版，通过曝光系统对移动后的第一掩模版进行再次曝光；分别获取第一掩模版每次曝光对应的曝光量分布曲线；根据面板制造光刻设备的设备参数及每次曝光对应的曝光量分布曲线，确定第一掩模版中包括的多曝光区域。
该装置还包括：冗余图形参数确定模块，用于根据单元子区域的面积和预设填充率区间，确定待填充的冗余图形对应的面积区间；从面积区间中选择待填充的冗余图形的面积；根据预设的掩模制造规则，确定待填充的冗余图形对应的最优尺寸。
上述冗余图形填充模块803，用于根据待填充的冗余图形的面积和最优尺寸，在每个单元子区域中填充冗余图形。
该装置还包括：新型掩模版使用模块，用于采用曝光系统通过第二掩模版的透光区域对待拼接区域的衬底基板进行曝光，将第二掩模版上的掩模图形转移至衬底基板上。
本申请实施例提供的新型掩模版的制备装置与上述实施例提供的新型掩模版的制备方法出于相同的发明构思，具有与其采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
本申请实施方式还提供一种与前述实施方式所提供的新型掩模版的制备方法对应的面板制造设备。请参考图9，其示出了本申请的一些实施方式所提供的一种面板制造设备的示意图。如图9所示，所述面板制造设备20可以包括：处理器200，存储器201，总线202和通信接口203，所述处理器200、通信接口203和存储器201通过总线202连接；所述存储器201中存储有可在所述处理器200上运行的计算机程序，所述处理器200运行所述计算机程序时执行本申请前述任一实施方式所提供的新型掩模版的制备方法。
其中，存储器201可能包含高速随机存取存储器(ram：randomaccessmemory)，也可能还包括非不稳定的存储器(non-volatilememory)，例如至少一个磁盘存储器。通过至少一个物理端口203(可以是有线或者无线)实现该系统网元与至少一个其他网元之间的通信连接，可以使用互联网、广域网、本地网、城域网等。
总线202可以是isa总线、pci总线或eisa总线等。所述总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。其中，存储器201用于存储程序，所述处理器200在接收到执行指令后，执行所述程序，前述本申请实施例任一实施方式揭示的所述新型掩模版的制备方法可以应用于处理器200中，或者由处理器200实现。
处理器200可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器200中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器200可以是通用处理器，包括中央处理器(centralprocessingunit，简称cpu)、网络处理器(networkprocessor，简称np)等；还可以是数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现成可编程门阵列(fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器201，处理器200读取存储器201中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
本申请实施例提供的面板制造设备与本申请实施例提供的新型掩模版的制备方法出于相同的发明构思，具有与其采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
本申请实施方式还提供一种与前述实施方式所提供的新型掩模版的制备方法对应的计算机可读存储介质，请参考图10，其示出的计算机可读存储介质为光盘30，其上存储有计算机程序(即程序产品)，所述计算机程序在被处理器运行时，会执行前述任意实施方式所提供的新型掩模版的制备方法。
需要说明的是，所述计算机可读存储介质的例子还可以包括，但不限于相变内存(pram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、其他类型的随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪记忆体或其他光学、磁性存储介质，在此不再一一赘述。
本申请的上述实施例提供的计算机可读存储介质与本申请实施例提供的新型掩模版的制备方法出于相同的发明构思，具有与其存储的应用程序所采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
需要说明的是：
在此提供的算法和显示不与任何特定计算机、虚拟装置或者其它设备有固有相关。各种通用装置也可以与基于在此的示教一起使用。根据上面的描述，构造这类装置所要求的结构是显而易见的。此外，本申请也不针对任何特定编程语言。应当明白，可以利用各种编程语言实现在此描述的本申请的内容，并且上面对特定语言所做的描述是为了披露本申请的最佳实施方式。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
类似地，应当理解，为了精简本申请并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本申请的示例性实施例的描述中，本申请的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本申请要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本申请的单独实施例。
本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。
此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本申请的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
本申请的各个部件实施例可以以硬件实现，或者以在一个或者多个处理器上运行的软件模块实现，或者以它们的组合实现。本领域的技术人员应当理解，可以在实践中使用微处理器或者数字信号处理器(dsp)来实现根据本申请实施例的虚拟机的创建装置中的一些或者全部部件的一些或者全部功能。本申请还可以实现为用于执行这里所描述的方法的一部分或者全部的设备或者装置程序(例如，计算机程序和计算机程序产品)。这样的实现本申请的程序可以存储在计算机可读介质上，或者可以具有一个或者多个信号的形式。这样的信号可以从因特网网站上下载得到，或者在载体信号上提供，或者以任何其他形式提供。
以上所述，仅为本申请较佳的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
1.一种用于制造显示面板的新型掩模版，包括透光区域和遮光区域，其特征在于，
所述透光区域中包括与所述遮光区域连接的多曝光区域，所述多曝光区域为制造显示面板过程中对所述新型掩模版进行拼接曝光的多个曝光区域之间的重叠区域；
所述多曝光区域中划分有一个或多个单元子区域，所述单元子区域中填充有冗余图形，所述单元子区域中被所述冗余图形覆盖的区域不透光。
2.根据权利要求1所述的新型掩模版，其特征在于，所述冗余图形的尺寸小于所述新型掩模版对应的最大分辨率尺寸。
3.根据权利要求1所述的新型掩模版，其特征在于，所述冗余图形在所述单元子区域中的填充率位于预设填充率区间内，所述填充率位于所述预设填充率区间内使得所述多曝光区域内的曝光量分布满足预设平整分布条件。
4.一种权利要求1-3任一项所述的新型掩模版的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
确定第一掩模版中包括的多曝光区域；
在所述多曝光区域中划分若干单元子区域；
在每个所述单元子区域中填充冗余图形，得到新型的第二掩模版。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述确定第一掩模版中包括的多曝光区域，包括：
通过曝光系统对第一掩模版进行单次曝光；
通过面板制造光刻设备移动所述第一掩模版，通过所述曝光系统对移动后的所述第一掩模版进行再次曝光；
分别获取所述第一掩模版每次曝光对应的曝光量分布曲线；
根据所述面板制造光刻设备的设备参数及每次曝光对应的所述曝光量分布曲线，确定所述第一掩模版中包括的多曝光区域。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在每个所述单元子区域中填充冗余图形之前，还包括：
根据所述单元子区域的面积和预设填充率区间，确定待填充的冗余图形对应的面积区间；
从所述面积区间中选择待填充的所述冗余图形的面积；
根据预设的掩模制造规则，确定待填充的冗余图形对应的最优尺寸。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在每个所述单元子区域中填充冗余图形，包括：
根据待填充的所述冗余图形的面积和所述最优尺寸，在每个所述单元子区域中填充所述冗余图形。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在每个所述单元子区域中填充冗余图形，得到新型的第二掩模版之后，还包括：
将所述第二掩模板在待拼接区域的衬底基板上方进行移动拼接；
采用曝光系统通过每次移动后的所述第二掩模版的透光区域对所述衬底基板进行曝光，将所述第二掩模版上的掩模图形转移至所述衬底基板上。
9.一种面板制造设备，包括：面板制造机台的存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行以实现如权利要求4-8任一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令可被处理器执行以实现如权利要求4-8任一项所述的方法。
技术总结