本申请涉及半导体面板制造领域，具体涉及一种用于制造显示面板的新型掩模版及其参数确定方法。
背景技术：
当前在大型显示面板的制造领域中，光刻工艺通常采用波长为365纳米的i线曝光系统。i线曝光系统通过光学曝光的方式将掩模版上的图形转移至涂覆有光刻胶的基底上。光刻胶经过光学曝光记录下掩模版上的图形信息。
相关技术在图形的转移曝光过程中，为了实现大面积面板的制造，需要利用有限区域的掩模版进行多次拼接曝光。掩模版的中心为大量需要转移的图形，掩模版的边缘覆盖有不透光铬层，边缘内侧为透光区域。
相关技术简单的对掩模版进行几何拼接，由于掩模版的边缘在光学曝光过程中存在衍射现象，无法获得稳定良好的拼接效果和曝光质量，导致基底上的光刻胶经过曝光显影工艺后，存在拼接区域的边缘处曝光量不足的问题，基底上的光刻胶会出现部分的凸起或凹陷。
技术实现要素：
为解决以上问题，本申请提供一种用于制造显示面板的新型掩模版及其参数确定方法，在掩模版边缘的衍射过渡区域中设置不透光的过渡图形，过渡图形能增加掩模版的衍射区域宽度，调节多曝光区域的曝光量，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。
第一方面，本申请实施例提供了一种用于制造显示面板的新型掩模版，包括透光区域和遮光区域，
所述透光区域中包括衍射过渡区域，所述衍射过渡区域与所述遮光区域连接，所述衍射过渡区域中包括一组或多组间隔排列的过渡图形；
所述过渡图形与所述透光区域和所述遮光区域相接的临界线平行；
所述衍射过渡区域中被所述过渡图形覆盖的区域不透光。
在本申请一些实施例中，所述衍射过渡区域中透光区域和所述过渡图形按照预设宽度比例间隔分布，间隔排列的所述过渡图形用于增加所述新型掩模版的衍射区域范围。
在本申请一些实施例中，所述过渡图形为线形的长条图形。
第二方面，本申请实施例提供了一种上述第一方面所述的新型掩模版的参数确定方法，所述方法包括：
确定第一掩模版对应的边缘衍射区域宽度；
通过仿真方式分别在所述第一掩模版中添加按照不同候选宽度比例排布的过渡图形序列，得到多个第二掩模版；
根据所述边缘衍射区域宽度和多个所述第二掩模版，获得使曝光量分布最均匀的宽度比例和掩模移动距离。
在本申请一些实施例中，所述确定第一掩模版对应的边缘衍射区域宽度，包括：
通过曝光系统对拼接的第一掩模版进行单次曝光；
获取所述单次曝光对应的曝光量分布曲线；
根据所述曝光量分布曲线，确定所述第一掩模版中包括的多曝光区域；
将所述多曝光区域的宽度确定为所述第一掩模版对应的边缘衍射区域宽度。
在本申请一些实施例中，所述根据所述边缘衍射区域宽度和多个所述第二掩模版，获得使曝光量分布最均匀的宽度比例和掩模移动距离，包括：
根据所述边缘衍射区域宽度，确定多个候选移动距离；
将每个所述第二掩模版分别移动每个所述候选移动距离并进行曝光；
获取每次曝光对应的曝光量分布曲线对应的曝光质量系数；
将曝光质量系数最高的曝光量分布曲线对应的候选移动距离确定为使曝光量分布最均匀的掩模移动距离；
将曝光质量系数最高的曝光量分布曲线对应的第二掩模版中添加的过渡图形序列对应的候选宽度比例确定为使曝光量分布最均匀的宽度比例。
在本申请一些实施例中，所述获得使曝光量分布满足预设平整分布条件的宽度比例之后，还包括：
在所述第一掩模版中，按照从遮光区域与透光区域的临界线开始朝所述透光区域延伸的方向，添加按照所述宽度比例排布的过渡图形序列，得到新型掩模版。
在本申请一些实施例中，所述方法还包括：
采用曝光系统通过新型掩模版的透光区域对待拼接区域的衬底基板进行曝光；
将所述新型掩模版移动所述掩模移动距离；
采用所述曝光系统对移动后的所述新型掩模进行曝光，将所述新型掩模版上的掩模图形以拼接的方式转移至所述衬底基板上。
第三方面，本申请实施例提供了一种面板制造设备，包括：面板制造机台的存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行以实现上述第二方面所述的方法。
第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令可被处理器执行以实现上述第二方面所述的方法。
本申请实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
在本申请实施例提供的新型掩模版中，位于掩模版边缘的衍射过渡区域中设置了一组或多组不透光的过渡图形，在对掩模版进行曝光时，过渡图形能够增加掩模版的衍射区域宽度，调节多曝光区域的曝光量，如此在通过移动拼接掩模版的方式往显示面板的衬底基板上转移掩模图形的过程中，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。通过调整过渡图形和边缘距离，达到较好的曝光剂量分布，同时还可以达到削弱设备步进精度3σ值对拼接影响的效果，提升了面板制造过程中的容限。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变的明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1示出了本申请实施例所提供的一种新型掩模版的结构示意图；
图2示出了本申请实施例所提供的两个掩模版的拼接示意图；
图3示出了图2所示的两个掩模版对应的曝光量分布的示意图；
图4示出了本申请实施例所提供的一组过渡图形对应的宽度比例的示意图；
图5示出了本申请实施例所提供的一种新型掩模版的参数确定方法的流程图；
图6示出了本申请实施例所提供的调整步进精度的曝光量分布示意图；
图7示出了本申请实施例所提供的将新型掩模版移动掩模移动距离的示意图；
图8示出了本申请实施例所提供的一种新型掩模版的参数确定装置的结构示意图；
图9示出了本申请实施例所提供的一种面板制造设备的结构示意图；
图10示出了本申请实施例所提供的一种计算机可读存储介质的示意图。
上述附图中的标号所代表的含义如下所示：
1：不透光基板，2：透光区域，3：遮光区域，4：衍射过渡区域，5：过渡图形。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本申请的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本申请实施例提供一种用于制造显示面板的新型掩模版及其参数确定方法，下面结合附图进行说明。
本申请实施例提供了一种用于制造显示面板的新型掩模版，该新型掩模版中添加有过渡图形，通过过渡图形来增加掩模版的边缘衍射宽度，从而达到调整掩模版边缘的曝光量分布的效果。
参见图1，该新型掩模版包括不透光基板1，不透光基板1上形成有透光区域2，不透光基板1上除透光区域2外的区域为遮光区域3。
透光区域2中包括衍射过渡区域4，衍射过渡区域4与遮光区域3连接，衍射过渡区域4中包括一组或多组间隔排列的过渡图形5；过渡图形5与透光区域2和遮光区域3相接的临界线平行；衍射过渡区域4中被过渡图形5覆盖的区域不透光。
在利用掩模版制造大型的显示面板时，由于掩模版的面积通常比较小，需要将掩模版多次拼接以达到制造大型显示面板的需求。当掩模版位于当前位置处时，采用曝光系统通过掩模版的透光区域2对待拼接区域的衬底基板进行曝光，将掩模版上的掩模图形转移至衬底基板上。之后移动掩模版的位置再次进行曝光，如此通过移动拼接的方式完成在衬底基板上形成图形。其中，衬底基板为待制造的显示面板的衬底基板。
上述在对掩模版进行移动拼接的过程中，对于相邻位置处的多次曝光来说，多次曝光的曝光区域存在重叠区域，该重叠区域在掩模版上的对应区域称为多曝光区域。由于在拼接曝光的过程中，多曝光区域由于存在多次曝光的情形，因此多曝光区域中的曝光量分布会出现异常。
如图2所示，掩模版a与掩模版b拼接，掩模版a的遮光区域3与掩模版b的遮光区域3相邻接。在这种情况下，分别对掩模版a和b进行曝光，由于遮光区域3处会发生衍射现象，两次曝光的重叠区域中存在能量缺失，使得重叠区域的曝光量低于临近透光区域位置的曝光量。图3所示的曝光量分布示意图，即为图2所示的拼接方式对应的曝光量分布情况。从图3中可以看出，掩模版a与掩模版b拼接后，重叠区域的曝光量骤减。上述掩模版a和b可以为拼接移动中到不同位置的同一掩模版，也可以为位于不同位置处的两个掩模版。
上述多曝光区域出现的曝光量骤减的情况，会导致衬底基板上该多曝光区域对应的位置处出现光刻胶凸起或凹陷的问题。图1所示的新型掩模版中，在掩模版边缘设置了与遮光区域3连接的衍射过渡区域4，衍射过渡区域4中包括一组或多组间隔排列且与透光区域2和遮光区域3相接的临界线平行的过渡图形5。由于衍射过渡区域4中被过渡图形5覆盖的区域不透光，因此光线在这些过渡图形5处也会发生衍射现象，从而增加了新型掩模版的边缘衍射宽度，能够增加多曝光区域中的曝光量，从而使多曝光区域的曝光量趋近于其他区域的曝光量，使新型掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。
如图1中所示，衍射过渡区域4中透光区域2和过渡图形5按照预设宽度比例间隔分布，间隔排列的过渡图形5用于增加新型掩模版的衍射区域范围。本申请实施例预先通过仿真的方式试验了大量不同的宽度比例对曝光量分布的影响，确定出能够使得曝光量分布最优的宽度比例，该宽度比例即为上述预设宽度比例。并在掩模版中，按照从遮光区域3与透光区域2的临界线开始朝透光区域2延伸的方向，添加按照预设宽度比例排布的过渡图形5序列，得到新型掩模版。在本申请实施例中，一组过渡图形5中可以包括5个过渡图形5，相邻的两个过渡图形5之间为透光区域2，5个过渡图形5与之间的透光区域2的宽度比即为上述预设宽度比例，该比例可以为39:256:39:47:72:47:39，如图4所示。本申请实施例中并不限制一组过渡图形5中包括的过渡图形5的具体数目，也不限定上述预设宽度比例的具体取值，实际应用中可根据需求来确定。
在本申请实施例中，过渡图形5可以为线形的长条图形。也可以为波浪形的图形。本申请实施例中并不具体限定过渡图形5的形状，只要过渡图形5能够达到增加掩模版衍射区域宽度，提高掩模版曝光质量的目的即可。
在本申请实施例提供的新型掩模版中，位于掩模版边缘的衍射过渡区域中设置了一组或多组不透光的过渡图形，在对掩模版进行曝光时，过渡图形能够增加掩模版的衍射区域宽度，调节多曝光区域的曝光量，如此在通过移动拼接掩模版的方式往显示面板的衬底基板上转移掩模图形的过程中，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。
本申请实施例还提供一种上述实施例所述的新型掩模版的参数确定方法，如图5所示，该方法具体包括以下步骤：
步骤101：确定第一掩模版对应的边缘衍射区域宽度。
第一掩模版为添加过渡图形之前的掩模版，第一掩模版包括不透光基板，不透光基板上形成有透光区域，不透光基板上除透光区域外的区域为遮光区域。
通过曝光系统对拼接的第一掩模版进行单次曝光；获取单次曝光对应的曝光量分布曲线；根据曝光量分布曲线，确定第一掩模版中包括的多曝光区域；将多曝光区域的宽度确定为第一掩模版对应的边缘衍射区域宽度。
多曝光区域指拼接的第一掩模版的曝光区域之间的重叠区域。
步骤102：通过仿真方式分别在第一掩模版中添加按照不同候选宽度比例排布的过渡图形序列，得到多个第二掩模版。
通过仿真方式分别在第一掩模版中，按照从遮光区域与透光区域的临界线开始朝透光区域延伸的方向，添加按照不同候选宽度比例排布的过渡图形序列，得到每个候选宽度比例对应的第二掩模版。
步骤103：根据边缘衍射区域宽度和多个第二掩模版，获得使曝光量分布最均匀的宽度比例和掩模移动距离。
根据边缘衍射区域宽度，确定多个候选移动距离。其中，确定的多个候选移动距离均小于边缘衍射区域宽度。可以从小于边缘衍射区域宽度的区间内按照一定的步进确定多个候选移动距离。例如，假设边缘衍射区域宽度为1微米，则可以0.2为步进选取候选移动距离0.2微米、0.4微米、0.6微米、0.8微米。
将每个第二掩模版分别移动每个候选移动距离并进行曝光；获取每次曝光对应的曝光量分布曲线对应的曝光质量系数。对于步骤102中获得的多个候选宽度比例对应的第二掩模版中的任一第二掩模版，当该第二掩模版处于初始位置处时，通过曝光系统对第二掩模版进行曝光。对于上述多个候选移动距离中的任一候选移动距离，将第二掩模版移动该候选移动距离，然后曝光系统对移动后的第二掩模版进行曝光。获取两次曝光的曝光量分布曲线，该曝光量分布曲线即为该候选宽度比例及该候选移动距离对应的曝光量分布曲线。
对于其他任意一个第二掩模版及其他任意一个候选移动距离，都通过上述方式获得每个候选宽度比例及候选移动距离的组合对应的曝光量分布曲线。
分别计算得到的每个曝光量分布曲线对应的曝光质量系数。由于曝光量分布曲线越平整、掩模版各个位置处的曝光量越均匀，则曝光质量越高。本申请实施例可以计算曝光量分布曲线的均方差或者计算曝光量分布曲线中最大值与最小值之间的差值，将计算的均方差或者差值作为曝光量分布曲线对应的曝光质量系数。
将曝光质量系数最高的曝光量分布曲线对应的候选移动距离确定为使曝光量分布最均匀的掩模移动距离；将曝光质量系数最高的曝光量分布曲线对应的第二掩模版中添加的过渡图形序列对应的候选宽度比例确定为使曝光量分布最均匀的宽度比例。
本申请实施例通过上述方式，以仿真的形式来不断调整掩模版边缘的距离和掩模版中过渡图形的比例，确定能够使曝光量分布最均匀的最佳的过渡图形比例及最佳的掩模移动距离。如图6所示，示出了调整掩模边缘距离后考虑步进精度的曝光量分布示意图。
在本申请实施例中，由于负责移动掩模版的光刻设备的步进精度的限制，很难将掩模版恰好移动最佳的掩模移动距离，光刻设备移动掩模版的可能的距离值满足正态分布。本申请实施例确定的掩模移动距离只要在最佳的掩模移动距离的3σ值范围内即可。
通过上述方式确定出能够使曝光量分布最均匀的宽度比例和掩模移动距离之后，在第一掩模版中，按照从遮光区域与透光区域的临界线开始朝透光区域延伸的方向，添加按照该宽度比例排布的过渡图形序列，得到新型掩模版。
得到新型掩模版之后，即可使用该新型掩模版来制造显示面板。具体地，采用曝光系统通过新型掩模版的透光区域对待拼接区域的衬底基板进行曝光；将新型掩模版移动上述掩模移动距离；采用曝光系统对移动后的新型掩模进行曝光，将新型掩模版上的掩模图形以拼接的方式转移至衬底基板上。图7所示为将新型掩模版移动上述掩模移动距离示意图。
在本申请实施例提供的新型掩模版中，位于掩模版边缘的衍射过渡区域中设置了一组或多组不透光的过渡图形，在对掩模版进行曝光时，过渡图形能够增加掩模版的衍射区域宽度，调节多曝光区域的曝光量，如此在通过移动拼接掩模版的方式往显示面板的衬底基板上转移掩模图形的过程中，使掩模版边缘的曝光剂量均匀分布，达到良好的曝光效果。通过增加过渡图形和边缘距离调整，达到较好的曝光剂量分布，同时还可以达到削弱设备步进精度3σ值对拼接影响的效果，提升了面板的显示效果。
本申请实施例还提供一种上述实施例所述的新型掩模版的参数确定装置，该装置用于执行上述新型掩模版的参数确定方法，参见图8，该装置包括：
衍射区域宽度确定模块801，用于确定第一掩模版对应的边缘衍射区域宽度；
仿真模块802，用于通过仿真方式分别在第一掩模版中添加按照不同候选宽度比例排布的过渡图形序列，得到多个第二掩模版；
参数确定模块803，用于根据边缘衍射区域宽度和多个第二掩模版，获得使曝光量分布最均匀的宽度比例和掩模移动距离。
上述衍射区域宽度确定模块801，用于通过曝光系统对拼接的第一掩模版进行单次曝光；获取单次曝光对应的曝光量分布曲线；根据曝光量分布曲线，确定第一掩模版中包括的多曝光区域；将多曝光区域的宽度确定为第一掩模版对应的边缘衍射区域宽度。
上述参数确定模块803，用于根据边缘衍射区域宽度，确定多个候选移动距离；将每个第二掩模版分别移动每个候选移动距离并进行曝光；获取每次曝光对应的曝光量分布曲线对应的曝光质量系数；将曝光质量系数最高的曝光量分布曲线对应的候选移动距离确定为使曝光量分布最均匀的掩模移动距离；将曝光质量系数最高的曝光量分布曲线对应的第二掩模版中添加的过渡图形序列对应的候选宽度比例确定为使曝光量分布最均匀的宽度比例。
该装置还包括：过渡图形添加模块，用于在第一掩模版中，按照从遮光区域与透光区域的临界线开始朝透光区域延伸的方向，添加按照宽度比例排布的过渡图形序列，得到新型掩模版。
新型掩模版使用模块，用于采用曝光系统通过新型掩模版的透光区域对待拼接区域的衬底基板进行曝光；将所述新型掩模版移动所述掩模移动距离；采用所述曝光系统对移动后的所述新型掩模进行曝光，将所述新型掩模版上的掩模图形以拼接的方式转移至所述衬底基板上。
本申请实施例提供的新型掩模版的参数确定装置与上述实施例提供的新型掩模版的参数确定方法出于相同的发明构思，具有与其采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
本申请实施方式还提供一种与前述实施方式所提供的新型掩模版的参数确定方法对应的面板制造设备。请参考图9，其示出了本申请的一些实施方式所提供的一种面板制造设备的示意图。如图9所示，所述面板制造设备20可以包括：面板制造机台的处理器200，存储器201，总线202和通信接口203，所述处理器200、通信接口203和存储器201通过总线202连接；所述存储器201中存储有可在所述处理器200上运行的计算机程序，所述处理器200运行所述计算机程序时执行本申请前述任一实施方式所提供的新型掩模版的参数确定方法。
其中，存储器201可能包含高速随机存取存储器(ram：randomaccessmemory)，也可能还包括非不稳定的存储器(non-volatilememory)，例如至少一个磁盘存储器。通过至少一个物理端口203(可以是有线或者无线)实现该系统网元与至少一个其他网元之间的通信连接，可以使用互联网、广域网、本地网、城域网等。
总线202可以是isa总线、pci总线或eisa总线等。所述总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。其中，存储器201用于存储程序，所述处理器200在接收到执行指令后，执行所述程序，前述本申请实施例任一实施方式揭示的所述新型掩模版的参数确定方法可以应用于处理器200中，或者由处理器200实现。
处理器200可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器200中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器200可以是通用处理器，包括中央处理器(centralprocessingunit，简称cpu)、网络处理器(networkprocessor，简称np)等；还可以是数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现成可编程门阵列(fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器201，处理器200读取存储器201中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
本申请实施例提供的面板制造设备与本申请实施例提供的新型掩模版的参数确定方法出于相同的发明构思，具有与其采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
本申请实施方式还提供一种与前述实施方式所提供的新型掩模版的参数确定方法对应的计算机可读存储介质，请参考图10，其示出的计算机可读存储介质为光盘30，其上存储有计算机程序(即程序产品)，所述计算机程序在被处理器运行时，会执行前述任意实施方式所提供的新型掩模版的参数确定方法。
需要说明的是，所述计算机可读存储介质的例子还可以包括，但不限于相变内存(pram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、其他类型的随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪记忆体或其他光学、磁性存储介质，在此不再一一赘述。
本申请的上述实施例提供的计算机可读存储介质与本申请实施例提供的新型掩模版的参数确定方法出于相同的发明构思，具有与其存储的应用程序所采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
需要说明的是：
在此提供的算法和显示不与任何特定计算机、虚拟装置或者其它设备有固有相关。各种通用装置也可以与基于在此的示教一起使用。根据上面的描述，构造这类装置所要求的结构是显而易见的。此外，本申请也不针对任何特定编程语言。应当明白，可以利用各种编程语言实现在此描述的本申请的内容，并且上面对特定语言所做的描述是为了披露本申请的最佳实施方式。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
类似地，应当理解，为了精简本申请并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本申请的示例性实施例的描述中，本申请的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本申请要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本申请的单独实施例。
本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。
此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本申请的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
本申请的各个部件实施例可以以硬件实现，或者以在一个或者多个处理器上运行的软件模块实现，或者以它们的组合实现。本领域的技术人员应当理解，可以在实践中使用微处理器或者数字信号处理器(dsp)来实现根据本申请实施例的虚拟机的创建装置中的一些或者全部部件的一些或者全部功能。本申请还可以实现为用于执行这里所描述的方法的一部分或者全部的设备或者装置程序(例如，计算机程序和计算机程序产品)。这样的实现本申请的程序可以存储在计算机可读介质上，或者可以具有一个或者多个信号的形式。这样的信号可以从因特网网站上下载得到，或者在载体信号上提供，或者以任何其他形式提供。
应该注意的是上述实施例对本申请进行说明而不是对本申请进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本申请可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
以上所述，仅为本申请较佳的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
1.一种用于制造显示面板的新型掩模版，包括透光区域和遮光区域，其特征在于，
所述透光区域中包括衍射过渡区域，所述衍射过渡区域与所述遮光区域连接，所述衍射过渡区域中包括一组或多组间隔排列的过渡图形；
所述过渡图形与所述透光区域和所述遮光区域相接的临界线平行；
所述衍射过渡区域中被所述过渡图形覆盖的区域不透光。
2.根据权利要求1所述的新型掩模版，其特征在于，所述衍射过渡区域中透光区域和所述过渡图形按照预设宽度比例间隔分布，间隔排列的所述过渡图形用于增加所述新型掩模版的衍射区域范围。
3.根据权利要求1所述的新型掩模版，其特征在于，所述过渡图形为线形的长条图形。
4.一种权利要求1-3任一项所述的新型掩模版的参数确定方法，其特征在于，所述方法包括：
确定第一掩模版对应的边缘衍射区域宽度；
通过仿真方式分别在所述第一掩模版中添加按照不同候选宽度比例排布的过渡图形序列，得到多个第二掩模版；
根据所述边缘衍射区域宽度和多个所述第二掩模版，获得使曝光量分布最均匀的宽度比例和掩模移动距离。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述确定第一掩模版对应的边缘衍射区域宽度，包括：
通过曝光系统对拼接的第一掩模版进行单次曝光；
获取所述单次曝光对应的曝光量分布曲线；
根据所述曝光量分布曲线，确定所述第一掩模版中包括的多曝光区域；
将所述多曝光区域的宽度确定为所述第一掩模版对应的边缘衍射区域宽度。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述边缘衍射区域宽度和多个所述第二掩模版，获得使曝光量分布最均匀的宽度比例和掩模移动距离，包括：
根据所述边缘衍射区域宽度，确定多个候选移动距离；
将每个所述第二掩模版分别移动每个所述候选移动距离并进行曝光；
获取每次曝光对应的曝光量分布曲线对应的曝光质量系数；
将曝光质量系数最高的曝光量分布曲线对应的候选移动距离确定为使曝光量分布最均匀的掩模移动距离；
将曝光质量系数最高的曝光量分布曲线对应的第二掩模版中添加的过渡图形序列对应的候选宽度比例确定为使曝光量分布最均匀的宽度比例。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获得使曝光量分布满足预设平整分布条件的宽度比例之后，还包括：
在所述第一掩模版中，按照从遮光区域与透光区域的临界线开始朝所述透光区域延伸的方向，添加按照所述宽度比例排布的过渡图形序列，得到新型掩模版。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
采用曝光系统通过新型掩模版的透光区域对待拼接区域的衬底基板进行曝光；
将所述新型掩模版移动所述掩模移动距离；
采用所述曝光系统对移动后的所述新型掩模进行曝光，将所述新型掩模版上的掩模图形以拼接的方式转移至所述衬底基板上。
9.一种面板制造设备，包括：面板制造机台的存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行以实现如权利要求4-8任一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令可被处理器执行以实现如权利要求4-8任一项所述的方法。
技术总结