本发明涉及显示屏技术领域，尤其涉及一种驱动ic取芯片的方法。
背景技术：
现有的显示屏驱动ic基本上都是采用cof封装技术，即将芯片邦定到柔性线路板上，邦定后采用胶体进行覆盖封装。
当驱动ic出现故障时，需要对驱动ic取芯片和清洁，以得到干净完整的样品进行后续检测。传统的驱动ic取芯片的方法是：将驱动ic置于沸腾(约为90℃)的发烟硝酸中静置；当驱动ic的胶体与芯片分离后，取出芯片放置于稀硫酸中并用超声波做清洁，直至芯片达到干净状态。
采用上述传统方法，存在以下问题：1、用以粘贴芯片的胶体在遇到高温发烟硝酸时，发生收缩变形，从而使柔性线路板上的金属走线被拉扯，进而带动与邦定线连接的金凸块，导致金凸块断裂脱落；2、在对芯片进行超声波清洁的过程中，很容易因震动导致芯片与清洗容器碰撞，进而导致金凸块脱落；3、对于芯片表面覆有pi保护层的驱动ic，无法将pi保护层去除干净。
综上可知，传统方法对芯片的清洁不够彻底，且很容易发生金凸块脱落现象，无法保证芯片的完好无损，使得后续实验将无法继续进行。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种驱动ic取芯片的方法，一方面通过降低发烟硝酸的温度来减缓发烟硝酸与胶体的反应速率，以防止胶体收缩变形拉扯柔性线路板上的金属走线而导致金凸块脱落；另一方面，将于稀硫酸中采用超声波做清洁方的式改为采用二胺试剂中浸泡的清洁方式，通过二胺试剂溶解芯片表面的pi保护层，并通过pi保护层的溶解将可能残留在芯片上的胶体完全去除，进而得到干净、完整的芯片，同时避免了传统的清洁方式所带来的因外力碰撞而导致的金凸块脱落现象。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种驱动ic取芯片的方法，所述驱动ic包括芯片，覆于所述芯片表面的pi保护层及覆于所述pi保护层表面的胶体，所述方法包括如下步骤：
将驱动ic置于不高于50℃的发烟硝酸中静置一段时间后取出；
将从所述发烟硝酸中取出的驱动ic置于二胺试剂中浸泡，直至完全清除所述芯片上的所述pi保护层和所述胶体后取出所述芯片。
通过大量实验得到上述方法，一方面采用不高于50℃的发烟硝酸，在一定程度上降低其与胶体的反应速率，防止胶体收缩变形进而拉扯柔性线路板上的金属走线并带动金凸块脱落；另一方面采用二胺类溶液来溶解pi保护层，使pi保护层被溶解的同时将可能残留在芯片上的胶体脱落，以得到干净、完整的芯片。
本发明驱动ic取芯片的方法的进一步改进在于，将驱动ic置于40～50℃的发烟硝酸中静置8分钟以上。
通过大量实验得到上述较佳方式，将发烟硝酸的温度限定在40～50℃范围，一方面防止胶体收缩变形，另一方面尽可能快速的使胶体从芯片上脱落。
本发明驱动ic取芯片的方法的进一步改进在于，所述二胺试剂为无水乙二胺试剂。
本发明驱动ic取芯片的方法的进一步改进在于，所述无水乙二胺的温度不高于60℃。
由于无水乙二胺试剂为发烟性化学试剂，温度越高，发烟越多，通过将无水乙二胺试剂的温度控制于60℃以下，以保证操作顺利进行。
本发明驱动ic取芯片的方法的进一步改进在于，将取出的驱动ic置于温度为50～60℃的所述无水乙二胺试剂中浸泡12分钟以上。
通过大量实验得到上述较佳方式，将无水乙二胺试剂的温度限定在50～60℃范围，一方面防止无水乙二胺试剂大量发烟，另一方面尽可能快速的使pi保护层溶解。
本发明驱动ic取芯片的方法的进一步改进在于，将从所述二胺试剂中取出的所述芯片置于纯水中清洗，然后用丙酮冲洗并用气体吹干。
本发明驱动ic取芯片的方法包括但不限于以下有益效果：
1、通过将传统的沸腾发烟硝酸换成温度不高于50℃微温发烟硝酸，在一定程度上降低发烟硝酸与胶体的反应速率，防止因胶体收缩变形进而拉扯柔性线路板上的金属走线并带动金凸块脱落的现象，保证芯片的完好无损；
2、通过对发烟硝酸的温度和静置时间的进一步限定，防止胶体收缩变形的同时保证胶体尽可能快速的从芯片上脱落，以缩短整个取芯片和清洁的时间。
3、通过能够溶解覆于芯片表面的pi保护层的二胺类试剂对芯片做进一步清洁，使pi保护层以及残留的胶体被完全清除，得到干净、完整的芯片。
4、通过对二胺试剂的种类、温度及浸泡时间的进一步限定，防止二胺试剂大量发烟的同时保证pi保护层尽可能快速的溶解，以进一步缩短整个取芯片和清洁的时间。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明方法的流程图；
图2示出了采用传统方法取芯片和清洁后芯片的金凸块状态图；
图3示出了采用本发明方法取芯片和清洁后芯片的金凸块状态图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
本发明的方法主要针对特殊结构的驱动ic，该驱动ic采用cof封装或cob封装，包括芯片、覆于芯片表面的pi保护层以及覆于pi保护层表面的封装胶体，对于该类驱动ic暂时还没有发现能够保证芯片清洁干净且不受损坏的取芯片方法，而传统的驱动ic取芯片的方法是将驱动ic置于沸腾(约为90℃)的发烟硝酸中静置；当驱动ic的胶体与芯片分离后，取出芯片放置于稀硫酸中并用超声波做清洁，直至芯片达到干净状态。采用上述方法对该特殊结构的驱动ic进行取芯片，无法将pi保护层清除干净，且很容易导致芯片上的金凸块发生脱落，无法保证芯片的完好无损，使得后续实验将无法继续进行。所以，本发明提供了一种针对该特殊结构的驱动ic取芯片的方法，可以将芯片上的pi保护层和胶体完全清楚干净，且不会发生金凸块脱落的现象。
下面结合附图和具体实施例对本发明的方法做进一步详细说明。
参阅图1所示，一种驱动ic取芯片的方法，所述驱动ic包括芯片，覆于芯片表面的pi保护层及覆于pi保护层表面的胶体，所述方法包括如下步骤：
步骤s1、将驱动ic置于不高于50℃的发烟硝酸中静置一段时间后取出。
在此步骤中，静置时间需根据发烟硝酸的实际温度确定，通常发烟硝酸的温度越高，反应速率越快，静置时间则越短，但为了兼顾防止胶体收缩变形，本实施例经过大量实验后优选发烟硝酸的温度不高于50℃，同时不低于40℃，在此温度范围内，将驱动ic静置8分钟左右的时间即可以使芯片上的大部分甚至全部胶体从芯片脱离。
步骤s2、将从发烟硝酸中取出的驱动ic置于二胺试剂中浸泡，直至完全清除芯片上的pi保护层和胶体后取出芯片。
在此步骤中，二胺试剂用以溶解pi保护层，当pi保护层完全被溶解掉时，可有带落芯片上可能残留的胶体，进而使芯片完全清洁干净，同时避免了传统方法中因超声波振动而导致的金凸块脱落现象。根据二胺试剂与pi保护层的反应特性可知，二胺试剂的浓度越高，反应速率越快，所以本实施例优选采用实验用的无水乙二胺(eda)试剂(较工业用的乙二胺试剂浓度更高)，另外，由于无水乙二胺试剂属于发烟性的溶液，温度越高，发烟现象越明显，本发明采用无水乙二胺试剂进行了大量实验，得出一较佳实施例，该实施例中无水乙二胺试剂的温度不高于60℃，且不低于50℃，该温度范围既防止了无水乙二胺试剂大量发烟的现象，又能将pi保护层完全溶解的反应时间控制在大约12分钟内，以确保芯片清洁干净的同时尽可能缩短整个取芯片和清洁的时间。
上述实施例能够保证在尽可能短的时间内将芯片清洁干净，且无金凸块脱落现象。在实际操作过程中，可以根据驱动ic的封装形式、胶体材质以及pi保护层的厚度等自行调整发烟硝酸和二胺试剂的温度以及芯片静置的时间。
较佳地，本方法还包括步骤s3：将从二胺试剂中取出的芯片置于纯水中清洗，然后用丙酮冲洗并用气体吹干，以作为后续实验的样品。
采用本发明的方法，能够将芯片从驱动ic上完好无损的取出并将芯片上的pi保护层和胶体完全清除，得到干净、完整的裸芯片，有效的防止了在取芯片和清洁过程中的金凸块脱落现象，同时保证了整个过程的操作时间，图2和图3分别示出了采用传统方法和采用本发明方法对cof封装的驱动ic取芯片和清洁后的芯片状态图，可以很明显的看到，传统方法(如图2)中芯片10上存在多处(图2中圆圈位置)金凸块脱落的现象，而本发明方法(如图3)中芯片10’上的金凸块11’整齐完整，无任何金凸块脱落现象，芯片10’光洁完整。
需要说明的是，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
以上所述仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
1.一种驱动ic取芯片的方法，所述驱动ic包括芯片，覆于所述芯片表面的pi保护层及覆于所述pi保护层表面的胶体，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
将驱动ic置于不高于50℃的发烟硝酸中静置一段时间后取出；
将从所述发烟硝酸中取出的驱动ic置于二胺试剂中浸泡，直至完全清除所述芯片上的所述pi保护层和所述胶体后取出所述芯片。
2.如权利要求1所述的驱动ic取芯片的方法，其特征在于，将驱动ic置于40～50℃的发烟硝酸中静置8分钟以上。
3.如权利要求1所述的驱动ic取芯片的方法，其特征在于，所述二胺试剂为无水乙二胺试剂。
4.如权利要求3所述的驱动ic取芯片的方法，其特征在于，所述无水乙二胺试剂的温度不高于60℃。
5.如权利要求4所述的驱动ic取芯片的方法，其特征在于，将取出的驱动ic置于温度为50～60℃的所述无水乙二胺试剂中浸泡12分钟以上。
6.如权利要求1所述的驱动ic取芯片的方法，其特征在于，将从所述二胺试剂中取出的所述芯片置于纯水中清洗，然后用丙酮冲洗并用气体吹干。
技术总结