一种温控半导体BOPET聚酯基膜的制作方法

专利2022-06-28  90


本实用新型涉及一种温控半导体bopet聚酯基膜,属于半导体复合聚酯基膜。



背景技术:

bopet薄膜是双向拉伸聚酯薄膜,其具有强度高、刚性好、透明、光泽度高等特点,现在市场上的流行的具有半导体性能的聚酯基膜均是在聚酯基膜上设置半导体层,半导体层为通过在开设有通孔的载体层,通过通孔内设置半导体粉粒实现导电性能,如通孔开设数量较少,半导体粉粒填充有限,因此导电性能不太稳定,而开设数量越多,则会导致半层体层强度下降,并且半导体层易老化脱落,影响产品质量。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种温控半导体bopet聚酯基膜,其半导体体具有较高的导电稳定性能与强度,不易老化脱落,可以解决现有技术的不足。

本实用新型的技术方案是:一种温控半导体bopet聚酯基膜,包括基膜层及设置于基膜层上的导电层,所述导电层上、下表面均设有网格状凹槽,导电层上开设有与上、下网格状凹槽连通的通孔,所述网格状凹槽与通孔内设有半导体粉粒,所述导电层上设置有防老化层。导电层固定于防老化层与基膜层之间,各层之间通过树脂粘合,使导电层结构稳定不易老化与脱落,在导电层两表面设置上、下网格状凹槽并用通孔连通,里面能均设数量较多的半导体粉粒,增强与稳定导电性能。

进一步的所述导电层分设于基膜层两侧,防老化层分设于导电层上。使其双面都具有稳定的半导体性能。

综上所述,本实用新型提供了一种其半导体体具有较高的导电稳定性能与强度,不易老化脱落的温控半导体bopet聚酯基膜。

附图说明

图1与图2为本实用新型的结构示意图;

图3为导电层的结构示意图。

图中所示:基膜层1;导电层2;网格状凹槽3;通孔4;防老化层5。

具体实施方式

本实用新型的实施例:如图1至图3所示,一种温控半导体bopet聚酯基膜,包括基膜层1及设置于基膜层1上的导电层2,导电层2上、下表面均设有网格状凹槽3,导电层2上开设有与上、下网格状凹槽3连通的通孔4,网格状凹槽3与通孔4内设有半导体粉粒,导电层2上设置有防老化层5。各层以聚酯为主要原料,根据功能需要添加其它辅料制成,导电层2固定于防老化层5与基膜层1之间,各层之间通过树脂粘合,使导电层2结构稳定不易老化与脱落,在导电层2两表面设置上、下网格状凹槽3并用通孔4连通,里面能均设数量较多的半导体粉粒,增强与稳定导电性能。

本实施例优先的导电层2分设于基膜层1两侧,防老化层5分设于导电层2上。使其双面都具有稳定的半导体性能。


技术特征:

1.一种温控半导体bopet聚酯基膜,包括基膜层及设置于基膜层上的导电层,其特征在于:所述导电层上、下表面均设有网格状凹槽,导电层上开设有与上、下网格状凹槽连通的通孔,所述网格状凹槽与通孔内设有半导体粉粒,所述导电层上设置有防老化层。

2.根据权利要求1所述的温控半导体bopet聚酯基膜,其特征在于:所述导电层分设于基膜层两侧,防老化层分设于导电层上。

技术总结
本实用新型公开了一种温控半导体BOPET聚酯基膜,包括基膜层及设置于基膜层上的导电层,所述导电层上、下表面均设有网格状凹槽,导电层上开设有与上、下网格状凹槽连通的通孔,所述网格状凹槽与通孔内设有半导体粉粒,所述导电层上设置有防老化层。本实用新型提供了一种其半导体体具有较高的导电稳定性能与强度,不易老化脱落的温控半导体BOPET聚酯基膜。

技术研发人员:俞炳仙;殷红兵;刘志强
受保护的技术使用者:绍兴日月新材料有限公司
技术研发日:2019.08.16
技术公布日:2020.06.09

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