本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种清洗装置及方法。
背景技术：
在存储器的制造过程中，在某些工艺，如外延层的外延生长执行之前，需要对待执行该工艺的位置处进行预清洗处理，以避免一些氧化性的杂质影响该工艺的执行，从而得到高质量的工艺执行结果。相关技术中，一般利用还原性气体(如氢气h2)高温退火步骤(即将晶圆置于高温的炉管反应腔中，利用还原性气体与氧化性的杂质反应)结合湿法清洗步骤一起来执行预清洗，达到去除氧化性的杂质的目的。
然而，相关技术中，在利用还原性气体高温退火步骤去除氧化性的杂质时，存在对晶圆加热温度过高，从而对晶圆产生不良影响，如影响晶圆电性参数的漂移或者晶圆弯曲变形严重。
技术实现要素：
为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种清洗装置及方法，能够在利用还原性气体高温退火步骤去除氧化性的杂质时，降低对晶圆加热的温度，避免由于温度过高对晶圆产生的不良影响。
本发明实施例提供了一种清洗装置，包括：装载台、加热器、等离子体发生器及炉管反应腔；其中：
在进行清洗时，待清洗的半导体结构设置在所述装载台上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；
所述加热器，用于将所述炉管反应腔的温度加热至第一温度；
等离子体发生器，用于将还原性的第一气体进行离子化处理；
在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体在所述炉管反应腔中执行去除所述氧化性的杂质。
上述方案中，所述第一气体包含h2；
所述等离子体发生器，具体用于将h2转化为自由基h·和氢离子h ；
在所述第一温度条件下，利用所述h·和h 在所述炉管反应腔中执行去除所述氧化性的杂质。
上述方案中，所述等离子体发生器包括远程等离子体发生器。
上述方案中，所述装置还包括：进气口，所述第一气体从所述进气口通入到所述等离子体发生器中。
上述方案中，所述装置还包括：
气体注入管道；所述气体注入管道的输入口与所述等离子体发生器的输出口相连，所述气体注入管道的输出口与所述炉管反应腔相连；所述离子化处理后的第一气体通过所述气体注入管道传输至所述炉管反应腔中。
上述方案中，所述气体注入管道包括多个输出口；所述离子化处理后的第一气体通过所述多个输出口分流进入所述炉管反应腔中。
上述方案中，所述装置还包括出气口，所述离子化处理后的第一气体与所述氧化性的杂质反应后的气体通过所述出气口从所述炉管反应腔中排出。
上述方案中，所述装置还包括包含泵；所述泵抽气时，所述离子化处理后的第一气体与所述氧化性的杂质反应后的气体通过所述出气口从所述炉管反应腔中排出。
本发明实施例还提供了一种清洗方法，包括：
在进行清洗时，将待清洗的半导体结构设置在所述清洗装置的装载台上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；
利用所述清洗装置的加热器将所述清洗装置的炉管反应腔的温度加热至第一温度；
在所述清洗装置的等离子体发生器中将还原性的第一气体进行离子化处理；
在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除。
上述方案中，所述第一气体包含h2；
在所述清洗装置的等离子体发生器中将还原性的第一气体进行离子化处理时，所述方法包括：
在所述清洗装置的等离子体发生器中将h2转化为h·和h ；
在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除时，所述方法包括：
在所述第一温度条件下，利用所述h·和h 将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除。
本发明实施例提供的清洗装置及方法，在进行清洗时，将待清洗的半导体结构设置在所述清洗装置的装载台上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；利用所述清洗装置的加热器将所述清洗装置的炉管反应腔的温度加热至第一温度；在所述清洗装置的等离子体发生器中将还原性的第一气体进行离子化处理；在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除。本发明实施例中，对于包含氧化性杂质的半导体结构，利用等离子体发生器中将还原性气体进行离子化处理，并利用该进行离子化处理后的还原性气体与氧化性杂质反应以去除氧化性杂质。由于采用的离子化处理后的还原性气体的反应活性更高，离子化处理后的还原性气体在与氧化性杂质反应时所需要的温度不需要过高，即对晶圆加热温度不需要过高，如此，本发明实施例中，在利用还原性气体高温退火步骤去除氧化性的杂质时，不需要将晶圆加热到过高温度，从而避免了由于温度过高对晶圆产生的不良影响。
附图说明
图1a为相关技术中存储器的外延生长工艺以及在进行外延生长工艺前的工艺示意图；
图1b为相关技术中用于进行存储器的外延生长的凹陷区表面存在一些氧化性的杂质示意图；
图1c为相关技术中用于进行存储器的外延生长的凹陷区表面去除氧化性的杂质后的示意图；
图2为相关技术中清洗装置的剖面示意图；
图3为本发明实施例清洗装置的结构组成示意图；
图4为本发明实施例清洗装置的剖面示意图；
图5为本发明实施例清洗方法的实现流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对发明的具体技术方案做进一步详细描述。
本发明实施例中提到的清洗装置及方法不仅适用于存储器中在进行外延层的外延生长前的预处理，同样适用于其它在工艺执行前需要对前面工艺产生的损伤进行修复，更重要的是去除一些前面工艺产生的氧化性的杂质的预处理。下文中，仅以在进行外延层的外延生长前的预处理作为举例说明。
相关技术中，在存储器的制造过程中，通常需要在衬底上外延生长一层纯净度更高的外延层，具体的外延生长工艺以及在进行外延生长工艺前的工艺通常包括如下步骤：
步骤a：如图1a所示，在衬底110表面形成堆叠结构120，在堆叠结构120中形成多个(图1a中仅示出一个)贯穿堆叠结构120且延伸到衬底110表面的凹陷区130；
实际应用时，提供衬底110，衬底的材料可以包括硅；在所述衬底110表面形成有多层(层数与存储器包含的层数相关)交错堆叠的第一材料层121及第二材料层122，其中，所述第一材料层121为氧化物(英文表达为oxide)层，所述第二材料层122为氮化物层(英文表达为nitride)；在堆叠结构120表面涂覆光刻胶，显影去胶后形成掩模层(图1a中未示出)；对堆叠结构和衬底进行等离子体刻蚀以形成多个贯穿堆叠结构120且延伸到衬底110表面的凹陷区130。这里，后续会在该凹陷区处进行外延生长。
步骤b：去除刻蚀后聚合物残留；去除掩模层的硬化后的光刻胶；
在步骤b中，虽然已经进行了相应的工艺后处理，但处理后的凹陷区底部表面上仍然存在一些氧化性的杂质，如衬底杂质(如o、c、n)，聚合物(英文表达为polymer)，碎晶，自然氧化层，反应残留气体(英文表达为outgassing)(衬底杂质、聚合物、碎晶，如图1b所示)等，这些氧化性的杂质会阻碍外延层的生长。同时，由于等离子体刻蚀工艺中，等离子体(英文表达为ion)对凹陷区底部的轰击力较大，容易造成凹陷区底部损伤，如晶格缺陷。
因此，为了获得高质量的外延层(这里，高质量的外延层是指外延层的高度均匀性好，且外延层中无空隙、无泄漏)，需要对凹陷区底部表面进行去除氧化性杂质处理和修复损伤。
步骤c：将进行上述步骤处理后的半导体结构(也称为晶圆)置于第二温度的炉管反应腔中，通入含有还原性的气体，如h2，利用该还原性的气体与氧化性的杂质反应，以去除氧化性的杂质同时修复损伤。
实际应用时，利用图2所示的清洗装置具体实施步骤c，如图2所示，在进行清洗时，将待清洗的半导体结构设置在所述清洗装置的装载台上；利用所述清洗装置的加热器(图2中未示出)将所述清洗装置的炉管反应腔的温度加热至第二温度；在所述第二温度条件下，利用还原性的气体将氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除，同时在第二温度条件下，完成损伤修复。这里，第二温度可以为能够将该还原性的气体激活，以使该还原性的气体与氧化性的杂质发生反应的温度，如当还原性的气体为h2时，第二温度为900℃～1000℃。
步骤d：采用硫酸(h2so4)和过氧化氢(h2o2)的混合溶液进行湿法清洗，以进一步去除残余的氧化性的杂质反应，清洗后的凹陷区如图1c所示。
步骤e：在凹陷区进行硅外延生长，形成外延层140。
利用还原性的气体高温退火加上湿法清洗技术虽然可以达到较好的清洗效果，然而，随着堆叠结构中堆叠层数的增加，等离子刻蚀需要的能量越来越大，氧化性的杂质增多，损伤也越严重，这样，对去除氧化性杂质和修复损伤的要求越来越高。相关技术中，为了提高去除氧化性杂质和修复损伤的能力，主要通过增加炉管反应腔温度(进一步增加还原性的气体的活性)以及增加反应的时长。增加炉管反应腔温度会使得对晶圆加热温度过高，而对晶圆加热温度过高会造成一系列不良影响，包括：
1、在清洗之前的工艺中经常存在掺杂处理，对晶圆加热温度过高会加大掺杂离子的扩散，影响电性参数的漂移；
2、对晶圆加热温度过高对堆叠结构产生更大程度的收缩，导致晶圆弯曲度(英文可以表达为bow)增加即晶圆严重变形，可能导致后续工艺无法正常进行。
另外，增加的反应时长会严重降低清洗处理的效率，从而降低生产效率(wph，waferperhour)。
基于此，在本发明实施例的各种实施例中，对于包含氧化性杂质的半导体结构，利用等离子体发生器中将还原性气体进行离子化处理，并利用该进行离子化处理后的还原性气体与氧化性杂质反应以去除氧化性杂质。由于采用的离子化处理后的还原性气体的反应活性更高，离子化处理后的还原性气体在与氧化性杂质反应时所需要的温度不需要过高，即对晶圆加热温度不需要过高，如此，本发明实施例中，在利用还原性气体高温退火步骤去除氧化性的杂质时，不需要将晶圆加热到过高温度，从而避免了由于温度过高对晶圆产生的不良影响。
图3示出了本发明实施例清洗装置的结构组成图，本发明实施例的清洗装置300包括：装载台301、加热器302、等离子体发生器303及炉管反应腔304；其中：
在进行清洗时，待清洗的半导体结构设置在所述装载台301上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；
所述加热器302，用于将所述炉管反应腔304的温度加热至第一温度；
等离子体发生器303，用于将还原性的第一气体进行离子化处理；
在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体在所述炉管反应腔304中执行去除所述氧化性的杂质。
下面将结合示出的本发明实施例中一种具体的清洗装置的剖面示意图(图4)来详细说明。
这里，所述氧化性的杂质为在制造半导体结构的工艺过程中产生的氧化性杂质。实际应用时，所述氧化性的杂质可以为衬底杂质(如o、c、n)，聚合物，碎晶，自然氧化层，反应残留气体中的一种或几种的组合。
所述装载台301，设置在炉管反应腔304中，在进行清洗处理时，所述装载台301主要用来承载晶圆(半导体结构)的部件。实际应用时，装载台301可以为多层结构，以同时装载多片晶圆，如装载台301一次可同时装载25片晶圆。
实际应用时，所述装载台301的材料可以为耐热的材料，如无定型石英。因此，装载台也可以称为石英舟。
所述加热器302，设置在炉管反应腔304的周围，用于加热炉管反应腔304。这里，所述第一温度可以是离子化处理后的第一气体能够被激活从而与氧化性的杂质发生反应以达到去除氧化性的杂质的温度范围。这里，由于离子化处理后的第一气体本身活性高，离子化处理后的第一气体在与氧化性杂质反应时所需要的激活温度，相较于还原性的第一气体与氧化性杂质反应时所需要的温度更低，即第一温度小于第二温度。实际应用时，在第一温度下，仍然可以实现对半导体结构中可能存在的损伤，如晶格缺陷的修复。
实际应用时，加热器302可以包括温度检测部件、控制器及加热部件；其中：所述温度检测部件用于检测炉管反应腔304中的温度，所述控制器，用于当炉管反应腔304中的温度小于第一阈值时，生成第一指令；所述冷却部件，用于响应所述第一指令，加热所述炉管反应腔304。这里，所述第一阈值为根据第一温度制定出温度，由于温度控制具有滞后，因此所述第一阈值一般低于第一温度。所述第一指令为指示所述加热部件启动加热的指令。具体地，所述温度检测部件可以是温度测量传感器，如热电偶等；所述控制器可以为各种具有控制功能的芯片，如微控制器(mcu，microcontrollerunit)等；所述加热部件可以是缠绕在炉管反应腔304外面的金属电阻丝。
实际应用时，通过加热器302的加热作用，可以将所述炉管反应腔304的温度稳定在第一温度。实际应用时，当第一气体不同，离子化处理后的第一气体被激活的温度也不同，具体实施时，第一温度的具体值可以根据实际情况进行调整。
这里，所述自由基，化学上也称为“游离基”，是指化合物的分子在光热等外界条件下，共价键发生均匀裂解而形成的具有不成对电子的原子或基团。而当共价键不均匀裂解时，两原子间的共用电子对完全转移到其中的一个原子上，其结果是形成了带正电和带负电的离子(这种断裂方式称之为键的异裂)。自由基的反应活性特别高。因此，这里利用等离子体发生器303将还原性的第一气体转化为离子化处理后可以极大的提高反应活性，从而提高了清洗装置300去除氧化性杂质反应的能力，进而不需要通过升温的方式来提高清洗装置300去除氧化性杂质反应的能力。
实际应用中，经常使用的还原性的第一气体包含h2。
基于此，在一实施例中，所述第一气体包含h2；
所述等离子体发生器303，具体用于将h2转化为h·和h ；
在所述第一温度条件下，利用所述h·和h 在所述炉管反应腔304中执行去除所述氧化性的杂质。这里，当第一气体包含h2时，所述第一温度的取值可以为700℃～800℃。
实际应用中，可以通过直流弧光放电法、沟通工频放电法、高频感应放电法、低气压放电法(如，辉光放电法)等方式实现等离子体发生器303的功能。相关技术中，等离子体发生器的技术，已经非常成熟，这里不作赘述。
实际应用中，等离子体发生器303设置在炉管反应腔304之外，并且清理时，需要持续地供应离子化处理后的第一气体，因此，等离子体发生器303供应的能量必须大于等离子体在传输过程中丢失的能量。
基于此，在一实施例中，所述等离子体发生器303包括远程等离子体发生器。
这里，所述远程等离子体发生器可以适应将离子化处理后的第一气体从炉管反应腔304之外传输到炉管反应腔304中的能量损失，从而保证清洗过程中离子化处理后的第一气体的正常供应。
所述去胶反应腔304提供利用离子化处理后的第一气体与氧化性的杂质反应以去除氧化性的杂质的场所。
实际应用时，所述炉管反应腔304的材料可以为耐热的材料，如无定型石英。
在一实施例中，所述装置300还包括：进气口，所述第一气体从所述进气口通入到所述等离子体发生器303中。
实际应用时，所述进气口与第一气体提供装置之间均设置有阀门，当所述阀门被打开时，第一气体通过所述进气口进入到等离子体发生器303中。这里，实际应用时，当第一气体为h2时，第一气体提供装置可以为h2气瓶或h2产生装置。
在一实施例中，所述装置300还包括：气体注入管道；所述气体注入管道的输入口与所述等离子体发生器303的输出口相连，所述气体注入管道的输出口与所述炉管反应腔304相连；所述离子化处理后的第一气体通过所述气体注入管道传输至所述炉管反应腔304中。
实际应用时，为了使离子化处理后的第一气体与晶圆接触更充分，设置多个分别对应炉管反应腔304中不同的高度位置的分流出口。
在一实施例中，所述装置300还包括：所述气体注入管道包括多个输出口；所述离子化处理后的第一气体通过所述多个输出口分流进入所述炉管反应腔304中。
实际应用时，如图4所示，所述气体注入管道的入口与所述等离子体发生器303的输出口相连，所述气体注入管道包括多个分支管道，每个分支管道又包括多个出口，每个分支管道可以达到炉管反应腔304中不同的高度位置。如此，可以保证离子化处理后的第一气体从多个层面输出，使得装载台301中的晶圆与离子化处理后的第一气体更快、更均匀、更充分的接触。
实际应用时，气体注入管道为耐高温的材质。
在一实施例中，所述装置300还包括：出气口，离子化处理后的第一气体与所述氧化性的杂质反应后的气体通过所述出气口从所述炉管反应腔304中排出。
实际应用时，如图4所示，所述出气口设置在炉管反应腔304上。
在一实施例中，所述装置300还包括泵；所述泵被抽气时，所述离子化处理后的第一气体与所述氧化性的杂质反应后的气体通过所述出气口从所述炉管反应腔304中排出。
实际应用时，如图4所示，所述泵设置在炉管反应腔304之外，靠近所述出气口的位置，所述泵能够将自由基h·和h 离子与所述氧化性的杂质反应后的气体从炉管反应腔304中抽走。
需要说明的是，进气口和出气口一般分别设置在炉管反应腔304的两端，如图4中所示出的进气口位于炉管反应腔304的右边(正视清洗装置300剖面的方向)，出气口位于炉管反应腔304的左面(正视清洗装置300剖面的方向)，实际应用中，进气口和出气口的方向还可以调换，或者分别设置在炉管反应腔的其它合适位置，以保证进出气流的通畅。
本发明实施例提供了一种清洗装置，包括：装载台、加热器、等离子体发生器及炉管反应腔；其中：在进行清洗时，待清洗的半导体结构设置在所述装载台上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；所述加热器，用于将所述炉管反应腔的温度加热至第一温度；等离子体发生器，用于将还原性的第一气体进行离子化处理；在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体在所述炉管反应腔中执行去除所述氧化性的杂质。本发明实施例中，对于包含氧化性杂质的半导体结构，利用等离子体发生器中将还原性气体进行离子化处理，并利用该进行离子化处理后的还原性气体与氧化性杂质反应以去除氧化性杂质。由于采用的离子化处理后的还原性气体的反应活性更高，离子化处理后的还原性气体在与氧化性杂质反应时所需要的温度不需要过高，即对晶圆加热温度不需要过高，如此，本发明实施例中，在利用还原性气体高温退火步骤去除氧化性的杂质时，不需要将晶圆加热到过高温度，从而避免了由于温度过高对晶圆产生的不良影响，即对晶圆加热的温度的降低以及作用时间的降低可以降低对硅衬底的掺杂离子的扩散，从而让电性收敛，稳定；同时对晶圆加热的温度的降低还可以大大减少堆叠结构的收缩程度，使得晶圆弯曲度更小，从而能够满足更高质量的产品开发需求。
此外，由于离子化处理后的还原性气体相较于相关技术中的还原性气体大大增加了去除氧化性的杂质的能力，因此，相较于相关技术中利用h2进行氧化性的杂质的方案还可以降低对晶圆高温作用的时间，从而提高了清洗处理的效率，进而提高了wph。
基于上述装置，本发明实施例还提供了一种清洗方法，如图5所示，所述清洗方法包括以下步骤：
步骤501：在进行清洗时，将待清洗的半导体结构设置在所述清洗装置的装载台上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；
步骤502：利用所述清洗装置的加热器将所述清洗装置的炉管反应腔的温度加热至第一温度；
步骤503：在所述清洗装置的等离子体发生器中将还原性的第一气体进行离子化处理；
步骤504：在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除。
其中，在一实施例中，所述第一气体包含氢气h2；
在所述清洗装置的等离子体发生器中将还原性的第一气体进行离子化处理时，所述方法包括：
在所述清洗装置的等离子体发生器中将h2转化为h·和h ；
在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除时，所述方法包括：
在所述第一温度条件下，利用所述离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除。
在一实施例中，所述等离子体发生器包括远程等离子体发生器。
在一实施例中，在所述将还原性的第一气体进行离子化处理之前，所述方法还包括：
通过所述清洗装置的进气口将所述第一气体通入到所述等离子体发生器中。
在一实施例中，在所述将还原性的第一气体进行离子化处理之前，所述方法还包括：
通过所述清洗装置的气体注入管道将所述离子化处理后的第一气体从等离子体发生器传输至所述炉管被反应腔中。
其中，在一实施例中，通过所述清洗装置的气体注入管道的多个输出口使离子化处理后的第一气体分流进入所述炉管被反应腔中。
在一实施例中，在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除时，所述方法还包括：
利用所述清洗装置的出气口将所述离子化处理后的第一气体与所述氧化性的杂质反应后的气体从所述炉管反应腔排出。
其中，在一实施例中，通过所述清洗装置的泵的抽气作用使所述离子化处理后的第一气体与所述氧化性的杂质反应后的气体通过所述出气口从所述炉管反应腔排出。
需要说明的是，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的方法的具体步骤，可以参考前述清洗装置实施例中的对应过程，在此不再赘述。
需要说明的是：“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
另外，本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
1.一种清洗装置，其特征在于，所述装置包括：装载台、加热器、等离子体发生器及炉管反应腔；其中：
在进行清洗时，待清洗的半导体结构设置在所述装载台上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；
所述加热器，用于将所述炉管反应腔的温度加热至第一温度；
等离子体发生器，用于将还原性的第一气体进行离子化处理；
在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体在所述炉管反应腔中执行去除所述氧化性的杂质。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一气体包含氢气h2；
所述等离子体发生器，具体用于将h2转化为自由基h·和氢离子h ；
在所述第一温度条件下，利用所述h·和h 在所述炉管反应腔中执行去除所述氧化性的杂质。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述等离子体发生器包括远程等离子体发生器。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：进气口，所述第一气体从所述进气口通入到所述等离子体发生器中。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：气体注入管道；所述气体注入管道的输入口与所述等离子体发生器的输出口相连，所述气体注入管道的输出口与所述炉管反应腔相连；所述离子化处理后的第一气体通过所述气体注入管道传输至所述炉管反应腔中。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述气体注入管道包括多个输出口；所述离子化处理后的第一气体通过所述多个输出口分流进入所述炉管反应腔中。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括出气口，所述离子化处理后的第一气体与所述氧化性的杂质反应后的气体通过所述出气口从所述炉管反应腔中排出。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括包含泵；所述泵抽气时，所述离子化处理后的第一气体与所述氧化性的杂质反应后的气体通过所述出气口从所述炉管反应腔中排出。
9.一种清洗方法，其特征在于，所述方法包括：
在进行清洗时，将待清洗的半导体结构设置在所述清洗装置的装载台上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；
利用所述清洗装置的加热器将所述清洗装置的炉管反应腔的温度加热至第一温度；
在所述清洗装置的等离子体发生器中将还原性的第一气体进行离子化处理；
在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一气体包含h2；
在所述清洗装置的等离子体发生器中将还原性的第一气体进行离子化处理时，所述方法包括：
在所述清洗装置的等离子体发生器中将h2转化为h·和h ；
在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除时，所述方法包括：
在所述第一温度条件下，利用所述h·和h 将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除。
技术总结