本发明的实施例涉及电化学镀系统和工艺执行方法、形成半导体结构的方法。
背景技术：
集成电路包括许多器件，诸如晶体管、电容器、电阻器和二极管。最初相互隔离的这些器件通过布线互连在一起，以形成功能电路。这样的布线通过包括金属线和多个通孔的多个金属化层来完成，金属线提供横向电连接，通孔在两个相邻的堆叠的金属化层之间提供垂直电连接。金属线和通孔通常称为互连结构。互连结构越来越多地决定了先进集成电路的性能和密度的极限。
技术实现要素：
本发明的实施例提供了一种用于执行电化学镀(ecp)工艺的方法，包括：使衬底的表面与包含要沉积的金属的离子的镀液接触；将所述金属电镀在所述衬底的表面上；随着ecp工艺的进行而原位监测流过浸入所述镀液中的阳极和所述衬底之间的所述镀液的镀电流；以及响应于所述镀电流低于临界镀电流而调节所述镀液的组分，在所述临界镀电流以下时，在所述衬底上方的所述金属化层的多条导线中具有最高线端密度的导线的子集中形成空隙。
本发明的另一实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上方的介电层中形成多个接触开口，所述多个接触开口包括位于所述衬底的第一区域中的多个第一接触开口和位于所述衬底的第二区域中的多个第二接触开口，所述多个第一接触开口在所述多个接触开口中具有最高线端密度；沿着所述多个接触开口的侧壁和底部以及在所述介电层上方沉积阻挡层；在所述阻挡层上方沉积晶种层；以及执行电化学镀(ecp)工艺以用导电层填充所述多个接触开口，其中，执行所述电化学镀工艺包括：随着电化学镀工艺的进行，原位监测流过浸入所述镀液中的阳极和所述衬底之间的镀液的镀电流；以及响应于使得在所述多个第一接触开口中形成空隙的所述镀电流低于临界镀电流而调节所述镀液的组分。
本发明的又一实施例提供了一种电化学镀(ecp)系统，包括：电化学镀单元，用于电化学镀工艺的镀液；监测器件，被配置为随着所述电化学镀工艺的进行而原位测量流过阳极和待镀的衬底之间的镀液的镀电流；镀液供给系统，与所述电化学镀单元流体连通并被配置为向所述电化学镀单元供应镀液；以及控制系统，可操作地耦合至所述电化学镀单元、所述监测器件和所述镀液供给系统，所述控制系统被配置为：将所述镀电流与临界镀电流进行比较；以及响应于所述镀电流低于所述临界镀电流而调节所述镀液的组分。
附图说明
当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1是根据一些实施例的电化学镀(ecp)系统的平面图。
图2是根据一些实施例的ecp系统中的ecp单元和监测器件的示意图。
图3是根据一些实施例的使用ecp系统的方法的流程图。
图4是示出临界镀电流与线端密度之间的关系的曲线图。
图5是根据一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。
图6a至图6d是在制造工艺的各个阶段期间的半导体结构的截面图。
图7是根据一些实施例的用于控制ecp系统的操作的控制系统的图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本发明。当然这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明在各个示例中可以重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间关系术语旨在包括器件在使用或操作工艺中的不同方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其它方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可以同样地作相应地解释。
铜和铜合金已广泛用于填充半导体衬底上的亚微米、高高宽比的部件。与诸如例如铝的其他金属相比，铜和铜合金具有较低的电阻率和较高的电迁移电阻。这些特性对于实现更高的电流密度和增大的器件速度至关重要。在制造包括铜的互连结构时，执行镶嵌技术(即，单镶嵌或双镶嵌)，其中首先在半导体衬底上方沉积介电层。然后图案化介电层以在其中形成接触开口，诸如沟槽和/或通孔。接下来，在介电层上方放置阻挡层，以防止随后施加的铜扩散到介电层中，随后进行晶种层的物理或化学气相沉积，以为后续的镀工艺提供导电性。随后用铜或铜合金填充接触开口，然后使用例如化学机械抛光(cmp)工艺平面化该铜或铜合金。
在镶嵌工艺中沉积铜是通过电化学镀(ecp)工艺完成的。在电化学镀期间，半导体衬底被电偏置以用作阴极。将具有图案化的介电层的半导体衬底浸入包含铜离子的镀液中。铜离子在晶种层的表面被还原以形成电沉积的铜。ecp工艺将继续进行，直到用铜填充接触开口为止。
除了铜盐形式的无机成分外，镀液包含有机添加剂，诸如抑制剂、促进剂和流平剂，以实现所需的沉积性能。有机添加剂的关键功能之一是确保ecp工艺从底部到顶部的方向填充接触开口，以避免形成会降低器件性能和可靠性的针孔或空隙。当以适当的浓度使用时，这些有机添加剂可通过加速接触开口底部的铜沉积并抑制接触开口的上部拐角上的铜沉积来实现无空隙金属填充。
电路组件没有均匀地分布在半导体衬底上，因此跨越半导体衬底的金属化层中的金属线的密度不同。例如，在具有相对较高的器件密度的一个芯片区域中，由于较高的器件密度需要大量的电连接而存在密集的金属线，而在具有相对较低的器件密度的另一个芯片区域中，由于较低的器件密度需要较少数量的电连接，金属线的密度也较低。较高密度区域中的金属线具有较高的线端密度，而较低密度区域中的金属线具有较低的线端密度。
线端密度会影响ecp工艺期间的金属的间隙填充行为。在镀期间，由于到半导体衬底的总镀电流是固定的，因此较低的线端密度区域中的局部电流密度高于较高的线端密度区域中的局部电流密度。较高的线端密度区域中的相对较低的电流密度导致相对缓慢的自下而上的增长率。当沉积诸如铜的金属时，如果自下而上的生长速度不够快，则趋于在较高的线端密度区域中的接触开口的入口处更容易积聚铜。“积聚”或“悬垂”阻碍了铜沉积的路径，并经常导致在较高的线端密度区域的接触开口中形成空隙。空隙通常会导致金属线的故障，并降低集成电路的可靠性。
当电镀铜中的碳和铜的原子比大于1％时，已经观察到良好的(即，无空隙的)金属填充。然而，ecp操作的结果是有机添加剂随时间降解。随着有机添加剂的降解，特别是当用于抑制接触开口的拐角处的镀速率的抑制剂降解时，镀电流减小并且接触开口的拐角处的铜镀速率增大。一旦一定数量的有机添加剂降解，导致电镀铜中碳和铜的原子比小于1％，即镀电流减小至一定值，则在接触开口的具有最高线端密度的区域中开始出现悬垂。然而，在一些方法中，不能实时捕获接触开口的入口处的电镀铜的悬垂。仅在使用ecp工艺处理了一批半导体晶圆之后，才能发现电镀铜中的空隙。因此生产良率受到不利影响。
在一些实施例中，提供了一种电化学镀(ecp)系统，该系统能够防止在金属在接触开口中的电化学沉积期间对于给定的金属化层形成悬垂。ecp系统被配置为允许在电化学沉积过程中原位监测镀电流。将镀电流值与临界镀电流值进行比较，在该临界镀电流值以下时，对于特定金属化层，在具有最高线端密度的金属线中开始出现空隙。一旦观察到镀电流低于临界镀电流值，ecp系统就会调节镀液中有机添加剂的量，以增加镀电流，直至镀电流高于临界镀电流。因此，在整个衬底上获得了具有不同线端密度的无空隙电镀金属线。因此，本公开的各个实施例中的ecp系统有助于防止在互连结构中形成空隙并提高集成电路的可靠性。
图1是根据一些实施例的ecp系统100的顶视平面图。
参考图1，ecp系统100包括工厂接口110、处理主机120、退火室150、镀液供应系统160和控制系统170。处理主机120和退火室150与工厂接口110连通。
工厂接口110包括多个衬底装载站112，衬底装载站112配置为与容纳衬底的盒子113连接并且保持容纳衬底的盒子113。工厂接口机械手114位于工厂接口110中，并且配置为访问衬底并将衬底传送到衬底装载站112上的盒子113中和外部。工厂接口机械手114还延伸到将工厂接口110连接至处理主机120的连接隧道118中。工厂接口机械手114的位置允许机械手访问衬底装载站112，以从衬底装载站112上的盒子113之一中取出衬底，然后将衬底传送到处理主机120。另外，工厂接口机械手114可操作以将衬底传送进或送出退火室150。此外，在完成ecp工艺顺序后，操作工厂接口机械手114以将衬底返回到位于衬底装载站112上的盒子113之一，以从ecp系统100中移除。
处理主机120包括主机机械手122和位于处理主机120上的多个处理单元130。主机机械手122包括一个或多个机械手刀片124，机械手刀片124配置为支撑和传送衬底。另外，主机机械手122和机械手刀片124配置为独立地延伸、旋转、枢转和垂直移动，使得主机机械手122能够同时向/从多个处理单元130插入和移除衬底。在一些实施例中，主机机械手122是翻转机械手，其有助于将衬底从主机机械手122的机械手刀片124上的正面朝上的位置传送到需要对衬底进行正面朝下处理的处理单元130的正面朝下的位置。
处理单元130配置为在ecp工艺中使用，例如，作为ecp单元、冲洗单元、衬底斜面清洁单元、旋转冲洗干燥单元、衬底表面清洁单元以及与镀平台结合使用的其他单元。在一些实施例中，处理单元130包括一个或多个ecp单元132、一个或多个旋转冲洗干燥(srd)单元134以及一个或多个衬底斜面清洁单元136。虽然在图1的所示实施例中，两个处理单元130配置为ecp单元132，将理解的是，ecp单元132的数量不限于此，并且可以设想任何数量的ecp单元132。下面关于图2进一步描述ecp单元132。
每个ecp单元132耦合到监测器件140。每个监测器件140适于随着ecp工艺的进行而原位测量流过相应的ecp单元132中的电极之间(例如，图2中的阳极201和衬底202之间)的镀液的镀电流。将原位测量的镀电流与临界镀电流进行比较，并且一旦测量的镀电流值小于临界镀电流值，则调节镀液(例如，图2中的镀液230)中的有机添加剂的浓度以增加镀电流，从而减小接触开口的入口处的金属沉积速率，并且增加接触开口内的金属沉积速率。因此，监测器件140有助于获得用于跨越衬底的给定金属化层具有不同线端密度的金属线的无空隙电镀金属。下面关于2进一步描述监测器件140。
退火室150适于在ecp工艺之后对电镀的金属膜进行退火。退火有助于增加晶粒尺寸，析出杂质并降低所得金属线的电阻。退火还有助于稳定微结构，以确保随后执行的cmp去除速率可再现。在一些实施例中，退火室150是两位置退火室，包括冷却板152和与冷却板152相邻定位的加热板154。衬底传送机械手156位于冷却板152和加热板154之间。衬底传送机械手156配置为在冷却板152和加热板154之间移动衬底。
镀液供应系统160单独地连接到ecp单元132，并且配置为在ecp工艺期间供应镀液并且使镀液循环通过ecp单元132。另外，srd单元134和衬底斜面清洁单元136也与流体输送系统(未示出)连通，该流体输送系统配置为在ecp工艺期间将必要的清洁流体供应到相应的单元134和136。在一些实施例中，流体输送系统还可以用于将镀液供应到ecp单元132。
ecp系统100中的组件与控制系统170通信。控制系统170配置为从用户和/或ecp系统100中的各种监测器件两者接收输入和/或预定的处理配方并且根据输入和/或预定的处理配方控制ecp系统100的操作。
图2是根据一些实施例的在例如ecp系统100的ecp系统中的ecp单元132和监测器件140的示意图。
参考图2，ecp单元132包括阳极201，安装在可旋转心轴205上的衬底保持器203、耦合至阳极201和衬底保持器203的电源250以及镀槽222。电源250耦合至控制系统170。镀槽222包含镀液230，并且阳极201设置在镀液230内。在一些实施例中，阳极201包括待镀在衬底202上的金属(例如，铜)源。
在电化学镀循环期间，将衬底202安装在衬底保持器203中，然后将衬底保持器203放置在镀槽222中。如箭头212和213所示，通过泵240将镀液230连续地施加到镀槽222。通常，镀液230向上流动到衬底202的中心，然后径向向外并跨越衬底202流动。然后，镀液230从镀槽222流到溢流池224，如由箭头214和216所示。然后将镀液230过滤(未示出)并如箭头218所示返回泵240，完成再循环。诸如dc电源的电源250具有经由衬底保持器203电连接至衬底202的负极输出引线。电源250的正极输出引线电连接至位于镀槽222中的阳极201。在ecp工艺期间，电源250使衬底202偏置以提供相对于阳极201的负电势，生成从阳极201到衬底202的电流。电流在与净正离子通量相同并且与净电子通量相反的方向上流动。这在衬底202上引起电化学反应(例如，cu2 2e＝cu)，这导致金属(例如，铜)沉积在衬底202上。在电镀循环期间，例如通过溶解阳极201(例如，cu＝cu2 2e)来补充镀液230的离子浓度。
镀液230包括含有要电镀在衬底202上的金属离子的金属盐。在要电镀到衬底202上的金属是铜的情况下，阳极201由铜制成，并且镀液230包括铜盐、酸、水和各种有机和无机添加剂的混合物，这些添加剂改善了沉积的铜的性能。镀液230中的铜盐的示例包括但不限于硫酸铜、氰化铜、氨基磺酸铜、氯化铜、氟化铜、硝酸铜、氧化铜、氟硼酸铜、三氟乙酸铜、焦磷酸铜和甲磺酸铜以及任何前述化合物的水合物。镀液230中使用的铜盐的浓度根据所使用的特定铜盐而变化。镀液中使用的酸的示例包括但不限于硫酸、甲磺酸、氟硼酸、盐酸、氢碘酸、硝酸和磷酸。镀液230中所使用的酸的浓度根据所使用的特定酸而变化。
镀液230还包含改善金属的电镀特性的有机添加剂。有机添加剂通过抑制衬底202的表面中的突出区域处的电沉积速率和/或通过加速衬底202的表面中的凹进区域中的电沉积速率来帮助消除空隙的形成。在铜镀液中使用的有机添加剂包括抑制剂、促进剂和流平剂。抑制剂是大分子沉积抑制剂，其倾向于吸附在衬底202的表面上并降低局部沉积速率，增加沉积均匀性。抑制剂的示例包括但不限于聚醚(诸如聚乙二醇)和其他聚合物，诸如聚环氧丙烷。促进剂是有机分子，它倾向于抵消抑制剂的抑制作用，并在衬底凹槽内提供加速沉积。促进剂的示例包括但不限于有机硫化物、诸如双(磺丙基钠)-二硫化物、3-巯基-1-丙烷磺酸钠盐、n-二甲基-二硫代氨基甲酰基丙基磺酸钠盐和3-s-异硫脲丙基磺酸盐。流平剂通常具有带氮官能团的成分，并且在一些情况下以相对低的浓度添加到镀液230中。流平涉及强电流抑制物质扩散或迁移到接触开口的拐角或边缘，否则由于电场和溶液的质量转移效应，镀层速率比预期的要快。流平剂的示例包括但不限于聚醚表面活性剂、聚乙二醇表面活性剂、聚丙烯酸、多胺、聚丙烯酰胺、吩嗪偶氮染料、烷氧基化胺表面活性剂和聚合物吡啶衍生物。
然而，在ecp工艺期间，这些有机添加剂会与阳极发生反应。该反应使有机添加剂分解，这使有机添加剂无效。这样，由于镀工艺中的消耗，降低了镀液中的有机添加剂的浓度。因此，在阳极201和衬底202之间流动的镀电流通常随时间逐渐减小。一旦镀电流减小到低于临界镀电流值的值，由于接触开口的拐角处的镀铜速率增加，在具有最高线端密度的接触开口中的电镀铜中开始产生悬垂和空隙。为了帮助在衬底202上形成无空隙的电镀金属填充物，随着ecp工艺的继续，使用监测器件140原位测量流过衬底202的电流，以确定何时在具有最高的线端密度的接触开口的拐角处开始发生悬垂，并且在形成空隙之前调节镀液中的有机添加剂的量。例如，在一些实施例中，调节有机添加剂的量以确保电镀铜中碳和铜的原子比大于1％。
监测器件140设置在ecp单元132的外部。在一些实施例中，监测器件140是电流表。监测器件140包括适于部分浸入镀液230中的探针242。探针242与镀液230接触，以原位测量流过阳极201和衬底之间的镀液的电流。在一些实施例中，探针242由要电镀在衬底202上的金属或要电镀在贵金属上的金属制成。贵金属的示例包括但不限于铂、金、钯、铱和钌。在要电镀到衬底202上的金属是铜的情况下，探针242是由铜或镀铜的贵金属制成的布线。应该注意的是，尽管图2示出了将探针242放置在镀槽222中，也预期将探针242放置在溢流池224中。
ecp单元132和监测器件140与控制系统170通信。控制系统170配置为将控制信号输出到电源250或ecp单元132中的其他可控组件，以调节电场的局部强度，从而控制镀工艺。控制系统170还配置为从监测器件140接收信息。在一些实施例中，控制系统170从监测器件140接收与镀电流有关的信息。基于从监测器件140接收的镀电流，控制系统170配置为将原位测量的镀电流与临界镀电流进行比较，在该临界镀电流以下时，对于给定的金属化层，在具有最高线端密度的电镀金属线中会形成空隙。在一些实施例中，控制系统170配置为一旦镀电流的值减小至低于临界镀电流值的值，则调节镀液230的组分，即镀液230中的有机添加剂(诸如抑制剂、促进剂和流平剂)的浓度。
图3是根据一些实施例的使用ecp系统100的方法300的流程图。在一些实施例中，在方法300之前、期间和/或之后执行附加操作，或者替换和/或消除所描述的一些操作。本领域普通技术人员将理解，虽然以特定的顺序执行的操作讨论了一些实施例，但是这些操作可以以另一逻辑顺序执行。
参考图3，方法300包括操作302，其中，接收集成电路的布局数据。作为非限制性示例，布局数据以gdsii格式提供，尽管可以使用用于集成电路的其他图形设计数据格式。布局数据包括集成电路中金属化层的布局数据。
在方法300(图3)的操作304中，基于布局数据，计算给定的金属化层中的金属线的线端密度。例如，如果要评估的金属化层是最接近衬底的第一金属化层，则提取与用于第一金属化层的金属线对应的布局数据。为了计算线端密度，将整个衬底区划分为多个单位网格，并计算给定金属化层的每个单位网格中的金属线的线端密度。对于衬底上方的每个单位网格，线端密度(led)计算为金属线的表面积与单位网格的面积之间的比率。
在方法300(图3)的操作306中，识别给定的金属化层中的具有最高线端密度的单位网格中的金属线。
在方法300(图3)的操作308中，确定ecp工艺中的临界镀电流值，在该临界镀电流值以下时，对于给定的金属化层，在具有最高线端密度的金属线中形成空隙。在一些实施例中，使用根据经验获得的线性模型(图4)来确定对应于线端密度的临界镀电流。在确定对应于不同线端密度的临界镀电流时，选择具有已知线端密度值的若干接触开口。对于每个选定的线端密度，施加不同的电流以使金属沉积在接触开口中。沉积之后，通过晶圆检查系统检查所得的金属线，以检测诸如金属线中的空隙的缺陷。在一些实施例中，使用扫描电子显微镜(sem)、透射电子显微镜(tem)或电子背散射衍射对金属线成像以检测其中的空隙。对于给定的线端密度，将在其以下开始出现空隙的镀电流设置为临界镀电流。从而建立了临界镀电流和线端密度之间的相关性。
图4是根据本发明的一些实施例的示出ecp单元(例如，图2的ecp单元132)中的临界镀电流(a)与晶圆上的给定金属化层的线端密度(led)之间的关系的曲线图。如图4所示，临界镀电流与线端密度(led)成正比。
在方法300(图3)的操作310中，在例如ecp系统100(图1和图2)的ecp系统中执行ecp工艺。将待镀的衬底(例如衬底202)固定到衬底保持器(例如衬底保持器203)，并使衬底202的镀表面与镀液(例如镀液230)接触。当与镀液接触时，将电偏压施加到沉积在衬底202的镀表面上的晶种层。晶种层通常包括与待镀金属相同的金属。电偏压通常是配置为利用阴极电荷偏置衬底表面/金属晶种层的偏压，这使得将镀液230中的金属离子从镀液230中驱除并镀在带阴极的衬底表面/金属晶种层上。
在方法300(图3)的操作312中，原位监测流过阳极201和衬底202之间的镀液的镀电流。在一些实施例中，使用监测器件140监测镀电流。
在方法300(图3)的操作314中，将镀电流值与临界镀电流值进行比较。如果镀电流值高于临界镀电流值，则继续进行ecp工艺。另一方面，如果镀电流值小于临界镀电流值，则方法300进行到操作316，在操作316中，例如，通过控制系统170调节镀液230中的有机添加剂(例如抑制剂、促进剂和流平剂)的浓度，以增加在阳极201和衬底202之间流动的镀电流，从而降低对应于具有最高线端密度的金属线的接触开口的拐角处的金属沉积速率。结果，可以在整个衬底202上实现无空隙金属填充。因此，本发明的ecp系统100有助于提高集成电路的可靠性并提高制造良率。
图5是根据一些实施例的用于制造半导体结构600的方法500的流程图。图6a至图6d是根据一些实施例的在方法500的各个阶段中的半导体结构600的截面图。在下文中参考图6a至图6d中的半导体结构详细讨论方法500。在一些实施例中，在方法500之前、期间和/或之后执行附加操作，或者所描述的一些操作被替换和/或消除。在一些实施例中，在半导体结构600中添加附加部件。在一些实施例中，以下描述的一些部件被替换或消除。本领域的普通技术人员将理解，尽管以按特定顺序执行的操作讨论了一些实施例，但是可以以另一逻辑顺序执行这些操作。
参考图5和图6a，方法500包括操作502，其中蚀刻衬底602上方的介电层610以形成多个接触开口612、614。图6a是在蚀刻衬底602上方的介电层610以形成多个接触开口612、614之后的半导体结构600的截面图。
首先提供衬底602。在一些实施例中，衬底602是包括硅的体半导体衬底。可选地或额外地，在一些实施例中，体半导体衬底包括诸如锗的另一种元素半导体；包括砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟的化合物半导体；包括sige、gaasp、alinas、algaas、gainas、gainp和/或gainasp的合金半导体；或它们的组合。在一些实施例中，衬底602包括外延层。例如，衬底602具有位于体半导体衬底上面的外延层。此外，在一些实施例中，衬底602是绝缘体上半导体(soi)衬底。例如，衬底602包括通过诸如通氧隔离(simox)的工艺或诸如晶圆接合和研磨的其他合适技术形成的掩埋氧化物(box)层。
在一些实施例中，衬底602还包括有源器件，诸如p型场效应晶体管(pfet)、n型场效应晶体管(nfet)、金属氧化物半导体(mos)晶体管、互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管、双极型晶体管、高压晶体管和/或高频晶体管。在一些实施例中，晶体管是平面晶体管或三维鳍式晶体管。在一些实施例中，衬底602还包括无源器件，诸如电阻器、电容器和/或电感器。衬底602还包括诸如浅沟槽隔离(sti)结构的隔离结构，以将各种有源和/或无源器件彼此分隔开。为了方便起见，在图6a中未示出任何这样的电路元件。
介电层610沉积在衬底602上方。在一些实施例中，并且如图6a所示，介电层610直接沉积在衬底602之上并与衬底602接触。在一些实施例中，其中包含接触/互连结构的一个或多个介电层设置在介电层610与衬底602之间。
在一些实施例中，介电层610包括氧化硅。在一些实施例中，介电层610包括介电常数(k)小于4的低k介电材料。在一些实施例中，低k介电材料具有约1.2至约3.5的介电常数。在一些实施例中，介电层610包括正硅酸乙酯(teos)氧化物、未掺杂硅酸盐玻璃或掺杂硅酸盐玻璃，诸如硼磷硅酸盐玻璃(bpsg)、氟硅玻璃(fsg)、磷硅酸盐玻璃(psg)、硼掺杂硅玻璃(bsg)和/或其他合适的介电材料。在一些实施例中，通过化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、物理气相沉积(pvd)或旋涂来沉积介电层610。在一些实施例中，介电层610通过平坦化工艺被平坦化或以其他方式凹进以提供平坦的顶面。在一些实施例中，使用cmp工艺平坦化介电层610的顶面。
随后蚀刻介电层610以在其中形成多个接触开口612、614。在一些实施例中，接触开口612、614是沟槽或沟槽与通孔的组合。在衬底602的第一区域602a中形成多个第一接触开口612，并且在衬底602的第二区域602b中形成多个第二接触开口614。由于衬底602中的电路元件的封装密度不同，例如，由于在第一区域602a中需要更多数量的电连接，而将衬底602的第一区域602a中的第一接触开口612形成为具有更高线端密度的更高的密度，例如，由于第二区域602b中所需的电连接的数量较少，第二区域602b中的第二接触开口614形成为具有更低线端密度的更低的密度。
利用光刻和蚀刻工艺蚀刻介电层610。在一些实施例中，光刻工艺包括在介电层610上方施加光刻胶层(未示出)，将光刻胶层暴露于图案，执行曝光后烘烤，以及显影光刻胶以形成图案化的光刻胶层(未示出)。图案化的光刻胶层暴露介电层610的将要形成接触开口612、614的部分。接下来，蚀刻由图案化的光刻胶层暴露的介电层610的部分以形成接触开口612、614。在一些实施例中，使用干蚀刻(例如，反应性离子蚀刻(rie)或等离子蚀刻)来蚀刻介电层610。在一些实施例中，使用湿蚀刻来蚀刻介电层610。在介电层610中形成接触开口612、614之后，例如通过湿剥离或等离子体灰化去除图案化的光刻胶层。可选地，在一些实施例中，使用硬掩模，使得通过第一蚀刻将接触开口图案从图案化的光刻胶层转移至硬掩模，然后通过第二蚀刻将接触开口图案转移至介电层610。
参考图5和图6b，方法500进行到操作504，其中沿着接触开口612、614的侧壁和底部以及在介电层610的顶面上方沉积阻挡层620，然后在阻挡层620上方沉积晶种层630。图6b是在沿着接触开口612、614的侧壁和底部以及在介电层610的顶面上方沉积阻挡层620，并且在阻挡层620上方沉积晶种层630之后的图6a的半导体结构的截面图。
阻挡层620沉积在接触开口612、614和介电层610的暴露表面上方。阻挡层620适于防止填充在接触开口612、614中的金属扩散到介电层610。阻挡层620还用于改善金属对介电层610的粘附。在一些实施例中，阻挡层620包括诸如钛(ti)、钽(ta)或钌(ru)的难熔金属；金属氮化物，诸如氮化钛(tin)或氮化钽(tin)；或两者的双层，诸如ti/tin或ta/tan。在一些实施例中，利用诸如cvd、pecvd、pvd或原子层沉积(ald)的共形沉积工艺来沉积阻挡层620。
然后，将晶种层630沉积在阻挡层620上方。在一些实施例中，晶种层630包括用于金属化填充的相同金属，以便于将填充金属沉积和接合到阻挡层上。在一些实施例中，晶种层630包括用于铜金属化的铜。在一些实施例中，使用诸如pvd或ald的共形沉积工艺来沉积晶种层630。
参考图5和图6c，方法500进行到操作406，其中执行ecp工艺以形成金属层540，填充接触开口612、614。图6c是在执行ecp工艺以形成金属层540，填充接触开口612、614之后的图6b的半导体结构600的截面图。
在一些实施例中，ecp系统100(图1和图2)用于对衬底602进行电化学镀，以形成金属层640。在ecp工艺期间，通过监测器件140(图1和图2)监测在浸入镀液中的阳极201和衬底202之间流动的镀电流，并且调节镀液230中的有机添加剂的浓度，以确保ecp工艺在第一接触开口612和第二接触开口614中均形成基本上无空隙的金属层640。在一些实施例中，金属层640包括铜。在金属层640和晶种层630由相同金属组成的情况下，金属层640和晶种层630之间的边界是不可辨别的。将理解的是，尽管在描述各种实施例时参考铜作为示例，但是本文描述的镀工艺能够与其他金属一起使用，包括但不限于金(au)、银(ag)、镍(ni)、铁(fe)、钯(pd)及其合金镀层。
参考图5和图6d，方法500进行到操作508，其中在接触开口612、614内形成互连结构550。图6d是在接触开口612、614内形成互连结构550之后的图6c的半导体结构600的截面图。
每个互连结构550包括内衬相应接触开口612、614的侧壁和底部的阻挡层部分620p、位于阻挡层部分620p上方的晶种层部分630p以及位于晶种层部分630p上方的金属层部分640p。通过去除金属层640、晶种层630和阻挡层620的位于介电层610的顶面之上的部分来形成互连结构550。在一些实施例中，执行平坦化工艺(例如，cmp)以从介电层610的顶面去除金属层640、晶种层630和阻挡层620的部分。在平坦化之后，接触开口612、614内的阻挡层620的剩余部分构成了阻挡层部分620p，接触开口612、614内的晶种层630的剩余部分构成晶种层部分630p，并且接触开口612、614内的金属层640的剩余部分构成金属层部分640p。阻挡层部分620p、晶种层部分630p和金属层部分640p具有与介电层610的顶面共面的顶面。
图7是根据一些实施例的用于控制ecp系统100的操作的控制系统170的框图。根据一些实施例，控制系统170生成用于控制ecp系统100的一个或多个组件的操作的输出控制信号。根据一些实施例，控制系统170从ecp系统100的一个或多个组件接收输入信号。控制系统170还将在浸入镀液230中的阳极201和衬底202之间流动的镀电流值与临界镀电流的值进行比较，在临界镀电流值以下时，对于给定的金属化层，在具有最高线端密度的金属线中形成空隙，并且一旦镀电流值低于临界镀电流值就调节镀液230的组分。在一些实施例中，控制系统170位于ecp系统100附近。在一些实施例中，控制系统170远离ecp系统100。
控制系统170包括处理器702、输入/输出(i/o)器件704、存储器706和网络接口708，每个都经由总线710或其他互连通信机制通信地耦合。
处理器702布置成执行和/或解释存储在存储器706中的一组或多组指令712。在一些实施例中，处理器702是中央处理单元(cpu)、多处理器、分布式处理系统、专用集成电路(asic)和/或合适的处理单元。
i/o接口704耦合到外部电路。在一些实施例中，i/o接口704包括键盘、小键盘、鼠标、轨迹球、轨迹板和/或光标方向键，用于将信息和命令传达给处理器702。
存储器706(也称为计算机可读介质)包括通信地耦合到总线710以存储数据和/或指令以供处理器702执行的随机存取存储器或其他动态存储器件。在一些实施例中，存储器706用于在执行要由处理器702执行的指令期间存储临时变量或其他中间信息。在一些实施例中，存储器706还包括耦合到总线710的只读存储器或其他静态存储器件，用于存储用于处理器702的静态信息和指令。在一些实施例中，存储器706是电子、磁性、光学、电磁、红外和/或半导体系统(或装置或器件)。例如，存储器706包括半导体或固态存储器、磁带、可移动计算机磁盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、硬磁盘和/或光盘。在使用光盘的一些实施例中，存储器706包括光盘只读存储器(cd-rom)、光盘读/写(cd-r/w)和/或数字视频盘(dvd)。
存储器706被编码(即存储)计算机程序代码，即一组可执行指令712，用于控制ecp系统100的一个或多个组件，并使控制系统170执行ecp工艺。在一些实施例中，存储器706还存储执行ecp工艺所需的信息以及在执行ecp工艺期间生成的信息。在一些实施例中，存储器706存储临界镀电流的值以及在执行ecp工艺期间生成的镀液230的电阻数据。
网络接口708包括用于连接到网络609的机制，一个或多个其他计算机系统连接到网络609。在一些实施例中，网络接口708包括有线和/或无线连接机制。网络接口708包括诸如bluetooth、wifi、wimax、gprs或wcdma的无线网络接口；或有线网络接口，诸如ethernet、usb或ieee-1394。在一些实施例中，控制系统170经由网络接口708与ecp系统100的一个或多个组件耦合。在一些实施例中，控制系统170与ecp系统100的一个或多个组件直接耦合，例如，组件耦合到总线710，而不是通过网络接口708。
本说明书的一方面涉及用于执行电化学镀(ecp)工艺的方法。该方法包括使衬底的表面与包含要沉积的金属离子的镀液接触。该方法还包括将金属电镀在衬底的表面上。该方法还包括随着ecp工艺的进行而原位监测流过浸入镀液中的阳极和衬底之间的镀液的镀电流。该方法还包括响应于所述镀电流低于临界镀电流而调节所述镀液的组分，在所述临界镀电流以下时，在衬底上方的所述金属化层的多条导线中具有最高线端密度的导线的子集中形成空隙。在一些实施例中，调节镀液的组分包括调节镀液中的至少一种有机添加剂的量。在一些实施例中，调节镀液的组分包括调节镀液中至少一种抑制剂或至少一种促进剂的量。在一些实施例中，该方法还包括接收要在衬底上制造的集成电路的布局数据。在一些实施例中，该方法还包括基于布局数据计算衬底中的多个单位网格区中的多条导线的线端密度。在一些实施例中，该方法还包括在多个单位网格区中的单位网格区中识别具有最高线端密度的导线的子集。在一些实施例中，该方法还包括使用将临界镀电流与相应的线端密度相关联的线性模型确定镀电流。
本说明书的另一方面涉及一种形成半导体结构的方法。该方法包括在衬底上方的介电层中形成多个接触开口。多个接触开口包括位于衬底的第一区域中的多个第一接触开口和位于衬底的第二区域中的多个第二接触开口。多个第一接触开口在多个接触开口中具有最高线端密度。该方法还包括沿着多个接触开口的侧壁和底部以及在介电层上方沉积阻挡层。该方法还包括在阻挡层上方沉积晶种层。该方法还包括执行电化学镀(ecp)工艺以用导电层填充多个接触开口。执行ecp工艺包括：随着ecp工艺的进行，原位监测流过浸入镀液中的阳极和衬底之间的镀液的镀电流，以及响应于镀电流低于临界镀电流而导致在多个第一接触开口中形成空隙，来调节镀液的组分。在一些实施例中，在介电层中形成多个接触开口包括使用各向异性蚀刻来蚀刻介电层。在一些实施例中，该方法还包括从介电层的顶面去除导电层、晶种层和阻挡层的部分。在一些实施例中，执行ecp工艺还包括在衬底与位于镀液中的阳极之间施加偏压。在一些实施例中，执行ecp工艺还包括随着ecp工艺的进行，将原位监测的镀电流与临界镀电流进行比较。在一些实施例中，沉积阻挡层包括沉积钛(ti)、钽(ta)或钌(ru)、氮化钛(tin)、氮化钽(tin)、ti/tin或ta/tan。在一些实施例中，沉积晶种层包括沉积铜。
本说明书的又一方面涉及电化学镀(ecp)系统。ecp系统包括：ecp单元，该ecp单元包括用于ecp工艺的镀液；监测器件，被配置为随着ecp工艺的进行而原位测量流过阳极和待镀的衬底之间的镀液的镀电流；镀液供给系统，其与ecp单元流体连通并被配置为向ecp单元供应镀液；以及控制系统，其可操作地耦合至ecp单元、监测器件和镀液供给系统。控制系统被配置为将镀电流与临界镀电流进行比较，并且响应于镀电流低于临界镀电流来调节镀液的组分。在一些实施例中，监测器件包括适于部分浸入镀液中的探针。在一些实施例中，镀液包括金属盐和有机添加剂。控制系统被配置为调节镀液中至少一种有机添加剂的量。在一些实施例中，ecp系统还包括一个或多个旋转冲洗干燥单元和一个或多个衬底斜面清洁单元。在一些实施例中，ecp系统还包括工厂接口，该工厂接口包括多个衬底装载站。在一些实施例中，ecp系统还包括退火室。
上面概述了若干实施例的特征，使得本领域人员可以更好地理解本发明的方面。本领域人员应该理解，它们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其它工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同配置并且不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，本文中它们可以做出多种变化、替换以及改变。
1.一种用于执行电化学镀(ecp)工艺的方法，包括：
使衬底的表面与包含要沉积的金属的离子的镀液接触；
将所述金属电镀在所述衬底的表面上；
随着ecp工艺的进行而原位监测流过浸入所述镀液中的阳极和所述衬底之间的所述镀液的镀电流；以及
响应于所述镀电流低于临界镀电流而调节所述镀液的组分，在所述临界镀电流以下时，在所述衬底上方的所述金属化层的多条导线中具有最高线端密度的导线的子集中形成空隙。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，调节所述镀液的组分包括调节所述镀液中的至少一种有机添加剂的量。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，调节所述镀液的组分包括调节所述镀液中至少一种抑制剂或至少一种促进剂的量。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括，接收要在所述衬底上制造的集成电路的布局数据。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括，基于所述布局数据计算所述衬底中的多个单位网格区中的所述多条导线的线端密度。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括，在所述多个单位网格区中的单位网格区中识别具有最高线端密度的导线的子集。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括，使用将临界镀电流与相应的线端密度相关联的线性模型确定所述镀电流。
8.一种形成半导体结构的方法，包括：
在衬底上方的介电层中形成多个接触开口，所述多个接触开口包括位于所述衬底的第一区域中的多个第一接触开口和位于所述衬底的第二区域中的多个第二接触开口，所述多个第一接触开口在所述多个接触开口中具有最高线端密度；
沿着所述多个接触开口的侧壁和底部以及在所述介电层上方沉积阻挡层；
在所述阻挡层上方沉积晶种层；以及
执行电化学镀(ecp)工艺以用导电层填充所述多个接触开口，其中，执行所述电化学镀工艺包括：
随着电化学镀工艺的进行，原位监测流过浸入所述镀液中的阳极和所述衬底之间的镀液的镀电流；以及
响应于使得在所述多个第一接触开口中形成空隙的所述镀电流低于临界镀电流而调节所述镀液的组分。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述介电层中形成所述多个接触开口包括使用各向异性蚀刻来蚀刻所述介电层。
10.一种电化学镀(ecp)系统，包括：
电化学镀单元，用于电化学镀工艺的镀液；
监测器件，被配置为随着所述电化学镀工艺的进行而原位测量流过阳极和待镀的衬底之间的镀液的镀电流；
镀液供给系统，与所述电化学镀单元流体连通并被配置为向所述电化学镀单元供应镀液；以及
控制系统，可操作地耦合至所述电化学镀单元、所述监测器件和所述镀液供给系统，所述控制系统被配置为：
将所述镀电流与临界镀电流进行比较；以及
响应于所述镀电流低于所述临界镀电流而调节所述镀液的组分。
技术总结