本发明涉及射频芯片测试技术领域，具体为一种芯片的制造方法。
背景技术：
射频芯片在用测试设备校准时，需要一些具有固定阻值的芯片例如校准芯片进行测试前校准，而这些校准芯片必须与射频芯片尺寸一致，仅功能不同，因此需要对校准芯片重新设计和制作，而在这过程中，需要专门为校准芯片设计一种封装方案，通过smt表面贴装技术将电阻贴在封装基板上，然后塑封封装实现电路连接。
但是，通过对校准芯片重新设计和制作过程中，需要额外设计开发和投资，以及需要全流程封装作业，其过程所需时间较长，无法在射频芯片在用测试设备校准时，快速满足测试前校准需求。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明实施例提供了一种芯片的制造方法。
为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：
一芯片的制造方法，所述芯片包括塑封体，所述制造方法包括：
在所述塑封体表面开出元器件槽以及在所述塑封体表面开出连接槽；
向所述元器件槽埋入校准元器件；
在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接。
优选的，所述元器件槽的深度不小于待埋的校准元器件的厚度，不大于所述塑封体的厚度，截面尺寸与所述校准元器件适配。
优选的，所述元器件槽通过激光镭射技术开出。
优选的，所述连接槽，包括：
连接所述元器件槽和第一引脚端的第一连接槽，和连接所述元器件槽和第二引脚端的第二连接槽。
优选的，所述元器件槽位于多个引脚端围绕所形成的区域。
优选的，所述连接槽，包括：
连接所述元器件槽和射频口的第一连接槽，和连接所述元器件槽和接地端的第二连接槽。
优选的，所述连接槽通过激光镭射技术开出。
优选的，所述连接槽的宽度不大于待埋校准元器件宽度。
优选的，所述校准元器件，包括：校准电阻。
优选的，在所述塑封体表面开出连接槽之后，在所述向所述元器件槽埋入校准元器件之前，还包括：
取出所述芯片中的预装元器件。
优选的，所述在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接，包括：
在所述连接槽内填充焊锡膏将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接；
或者，在所述连接槽内埋入焊锡丝将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接。
优选的，在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接之后，还包括：
填充所述元器件槽和所述连接槽，使所述元器件槽和所述连接槽与其周围所述塑封体齐平。
由上述内容可知，本发明公开了一种芯片的制造方法，该芯片包括塑封体，所述方法包括：在塑封体表面开出元器件槽以及在塑封体表面开出连接槽，向元器件槽埋入校准元器件，在连接槽内将校准元器件与芯片的引脚端连接。通过上述公开的芯片的制造方法，在已封装芯片的塑封体表面开出元器件槽和连接槽，将校准元器件埋入元器件槽中，并使校准元器件与引脚端相连，从而达到低成本快速封装电路，且能灵活实现不同射频口与接地端的芯片封装。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种芯片的制造方法流程图；
图2为本发明实施例提供的在已封装芯片的塑封体表面开出元器件槽的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的在已封装芯片的塑封体表面开出连接槽的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的在已封装芯片的元器件槽埋入校准元器件的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的在连接槽内将所述校准元器件与引脚端连接的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种芯片结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种芯片结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种芯片结构示意图。
在图2-图5，图7和图8的一种实施例中，11为元器件槽，12为第一连接槽，13为第二连接槽，14为射频口，15为接地端，16为校准元器件，17为第一连接机构，18为第二连接机构；
在图6的另一种实施例中，21为元器件槽，22为第一连接槽，23为第二连接槽，24为射频口，25为接地端，26为校准元器件，27为第一连接机构，28为第二连接机构。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本申请中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本发明提供一种芯片的制造方法，所述芯片包括塑封体。该芯片可以用于校准，本发明对其用途不做限定。参见图1，为本发明芯片的制造方法的流程示意图，结合图2对应实施例为例进行说明，上述制造方法至少包括如下步骤：
步骤s101：在所述塑封体表面开出元器件槽。
需要说明的是，已封装芯片是指已经封装好的芯片，包括：框架、引脚端和塑封体，所述塑封体将所述框架和所述引脚端封装在一起，且所述引脚端的接线部位至少部分暴露在所述塑封体外，通过在已封装芯片的塑封体表面开出元器件槽，如图2所示，从而达到能够容纳下校准元器件的元器件槽11。
步骤s102：在所述塑封体表面开出连接槽。
在步骤s102中，所述连接槽是一种与元器件槽和两个引脚端相连的槽。
步骤s103：向所述元器件槽埋入校准元器件。
在步骤s103中，向所述元器件槽埋入校准元器件是将校准元器件放入元器件槽内，使校准元器件不露出元器件槽，如图4的一种具体实施例所示，其中，图4中校准元器件16为50欧姆的电阻。
步骤s104：在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接。
需要指出的，步骤的标号仅为参考，本实施例不对步骤的顺序进行限定。例如可以先在塑封体表面开出连接槽，再在塑封体表面开出元器件槽；或者先在塑封体表面开出元器件槽，再在塑封体表面开出连接槽。
本申请通过上述公开的芯片的制造方法，在已封装芯片的塑封体表面开出元器件槽和连接槽，将校准元器件埋入元器件槽中，并使校准元器件与引脚端相连，从而达到低成本快速封装电路，在应用于校准芯片时，本发明且能灵活实现不同引脚端的校准芯片封装，如图6和图8所示。
进一步，所述元器件槽的深度不小于待埋的校准元器件的厚度，不大于所述塑封体的厚度，截面尺寸与所述校准元器件适配。
需要说明的是，在电路封装中，是把集成电路装配为芯片最终产品的过程，简单的说，就是生产出来的集成电路裸片放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体，因此需要在已封装芯片的塑封体表面开出深度不小于待埋的校准元器件的厚度、不大于所述塑封体的厚度，截面尺寸与所述校准元器件适配的元器件槽。
进一步，所述元器件槽的通过激光镭射技术开出。
需要说明的是，激光镭射技术又被称为激光加工，是一种利用高能量密度的光束，照射到材料表面，使材料汽化或发生颜色变化的加工过程。
进一步，所述连接槽，包括：
连接所述元器件槽和第一引脚端的第一连接槽，和连接所述元器件槽和第二引脚端的第二连接槽。
需要说明的是，在本申请中，是将校准元器件封装在芯片电路中，并且需要与芯片中的引脚端相连，因此，需要在已封装芯片的塑封体表面开出连接所述元器件槽和第一引脚端的第一连接槽，和连接所述元器件槽和第二引脚端的第二连接槽，通过将校准元器件埋入元器件槽，然后通过开出的第一连接槽和第二连接槽，将校准元器件与第一引脚端和第二引脚端连在一起，从而完成校准元器件的装配，即校准元器件的封装。
进一步，所述器件槽位于多个引脚端围绕所形成的区域。
作为优选，所述元器件槽位于多个引脚端围绕所形成的区域。其结构可以参照图2所述，即元器件槽11置于多个引脚端中间的空间，以便于连接槽和连接机构的布设，其空间必须大于后续需要填埋的校准元器件尺寸。
进一步，所述连接槽，包括：
连接所述元器件槽和射频口的第一连接槽，和连接所述元器件槽和接地端的第二连接槽。
即在本实施例中，如图3所示，第一引脚端可以具体为射频口14，第二引脚端可以具体为接地端15。需要说明的是，在本申请中，将校准元器件与已封装芯片的接地端和射频口相连，因此，需要先在已封装芯片的塑封体表面开出连接所述元器件槽11和射频口14的第一连接槽12，和连接所述元器件槽11和接地端15的第二连接槽13，然后通过开出的第一连接槽12和第二连接槽13，将校准元器件16与射频口14和接地端15组成相连接的电路，如图7和图8所示。
进一步，所述连接槽通过激光镭射技术开出。
激光镭射技术适用于芯片加工的特点前文已经说明，在此不再赘述。
优选的，所述连接槽的宽度不大于待埋校准元器件宽度。
需要说明的是，在已封装芯片的塑封体表面开出的连接槽宽度应根据实际需求进行设定，但开出的宽度不能大于待埋校准元器件宽度，这样可以防止校准元器件移动，在本申请中，优选在已封装芯片的塑封体表面开出宽度50um的连接槽，但并不仅限于此。
还需要说明的是，若本申请采用电阻器件作为校准元器件，可选地，电阻器件的长为0.4mm，宽为0.2mm，厚度为0.2mm，则需要在已封装芯片的塑封体表面开出宽度为40um至200um的连接槽，40um是激光开槽设备的最小加工宽度，故在本申请中，连接槽的最小开槽宽度是根据开槽设备而设定的，本申请并不限定最小开槽宽度，但在已封装芯片的塑封体表面开出宽度不能大于待埋校准元器件宽度，这样可以达到防止校准元器件移动的效果。
优选的，所述校准元器件，包括：校准电阻。
需要说明的是，校准元器件可根据实际需求进行选择，在本申请中校准元器件为校准电阻，因此，需要向所述元器件槽埋入校准电阻。
进一步，在所述塑封体表面开出连接槽之后，在所述向所述元器件槽埋入校准元器件之前，还包括：
取出所述芯片中的预装元器件。
需要说明的是，当已封装芯片中存在上述预装元器件时，需要增加先将其取出的步骤；当已封装芯片中不存在上述预装元器件时，则直接埋入校准元器件即可。
还需要说明的是，在实际应用中，并不一定需要取出已封装芯片中的预装元器件，如在不影响校准元器件实现功能时，可以不取出已封装芯片中的预装元器件。
进一步，所述在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接，包括：
在所述连接槽内填充焊锡膏将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接；
或者，在所述连接槽内埋入焊锡丝将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接。
需要说的是，焊锡膏是伴随着smt应运而生的一种新型焊接材料，是由焊锡粉、助焊剂以及其它的表面活性剂、触变剂等加以混合，形成的膏状混合物。主要用于smt行业pcb表面电阻、电容、ic等电子元器件的焊接。
所述焊锡丝是由锡合金和助剂两部分组成，合金成份分为锡铅、无铅助剂均匀灌注到锡合金中间部位。
焊锡丝种类不同助剂也就不同，助剂部分是提高焊锡丝在焊接过程中的辅热传导，去除氧化，降低被焊接材质表面张力，去除被焊接材质表面油污，增大焊接面积。焊锡丝的特质是具有一定的长度与直径的锡合金丝，在电子原器件的焊接中可与电烙铁或激光配合使用。
采用本方案制造方法的芯片的最终状态包括两种：
一、如果只需简单的校准验证使用，元器件槽和连接槽不封起来；
二、如果是基于量产使用，需要考虑使用环境对其造成的影响，需要填充元器件槽和连接槽(如使用树脂)，并平坦化处理，要求处理后元器件槽和连接槽与周围塑封体齐平；这样元器件和连接机构会封在芯片内，为内藏式结构。针对上述第二种最终状态，本实施例提供的芯片的制造方法，在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接之后，还包括：
填充所述元器件槽和所述连接槽，使所述元器件槽和所述连接槽与其周围所述塑封体齐平。
与上述芯片的制造方法相对应，参考图7和图8本申请还公开了一种根据该制造方法所获得的芯片，所述芯片，包括：框架、引脚端和塑封体，所述塑封体将所述框架和所述引脚端封装在一起，且所述引脚端的接线部位至少部分暴露在所述塑封体外；所述塑封体开设有：
用于埋设校准元器件16的元器件槽11；
连接于所述引脚端和所述元器件槽11之间，用于设置所述引脚端和所述校准元器件16之间的连接机构的连接槽。
需要说明的是，将校准元器件16埋入元器件槽11后，需要将校准元器件16与芯片其他的引脚端相连，因此，需要设置用于校准元器件16与引脚的连接机构，以及用于埋放连接机构的连接槽，该连接槽是设置在引脚端与校准元器件16之间。
本发明通过上述公开的芯片，在已封装芯片的塑封体开出元器件槽和连接槽，将校准元器件埋入元器件槽中，并使校准元器件与引脚端相连，从而达到低成本快速封装电路，且能灵活实现不同引脚端的校准芯片封装，如图6和图8所示。
进一步，所述元器件槽11的深度不小于待埋的所述校准元器件16的厚度，不大于所述塑封体的厚度，截面尺寸与所述校准元器件16适配。
需要说明的是，由于元器件槽11需要容纳下待埋的校准元器件16，因此，元器件槽11的深度不能小于待埋的校准元器件16的厚度，不能大于塑封体的厚度，且截面尺寸与所述校准元器件16适配，因为大于塑封体的厚度，无法将校准元器件16埋入。
进一步，所述元器件槽11通过激光镭射开槽的技术在所述塑封体表面开出。
所述激光镭射技术适用于芯片加工的特点前文已经说明，在此不再赘述。
进一步，如图3所示，所述连接槽包括：
连接所述元器件槽11和第一引脚端的第一连接槽12；
连接所述元器件槽11和第二引脚端的第二连接槽13。即芯片中的引脚端包括第一引脚端和第二引脚端。
需要说明的是，一般校准元器件16会与芯片中至少两个引脚端相连，因此，需要为第一引脚端开设第一连接槽12，以及为第二引脚端开设第二连接槽13。
作为优选，所述元器件槽位于多个引脚端围绕所形成的区域其结构可以参照图3所述，以便于连接槽和连接机构的布设，其空间必须大于后续需要填埋的校准元器件尺寸。
进一步，如图3所示，所述连接槽包括：
连接所述元器件槽11和射频口14的第一连接槽12；
连接所述元器件槽11和接地端15的第二连接槽13。
即在本实施例中，如图3所示，第一引脚端可以具体为射频口14，第二引脚端可以具体为接地端15。需要说明的是，校准元器件16在使用的过程中，接入芯片的待测两引脚端之间，在本发明中，具体接入芯片的接地端15和射频口14，但并不仅限于此。
进一步，所述连接槽通过激光镭射开槽的技术在所述塑封体表面开出。
所述激光镭射技术适用于芯片加工的特点前文已经说明，在此不再赘述。进一步，所述芯片还包括：埋设在所述元器件槽11内的校准元器件16，其结构可以参照图8所示。
进一步，校准元器件16包括电阻。
需要说明的是，校准元器件16可以为需要类型的电子元器件，在本发明中，所述校准元器件16具体为电阻，但所述校准元器件16并不仅限于电阻。
进一步，还包括：设置在所述连接槽内的连接机构，所述连接机构的一端连接于所述引脚端，另一端用于连接所述校准元器件。
需要说明的是，所述连接机构主要用于校准元器件16与芯片引脚端的连接，所述连接机构包括用于同第一引脚端(在此具体为射频口14)配合的第一连接机构17，和用于同第二引脚端(在此具体为接地端15)配合的第二连接机构18，如图5所示。
图6为本方案的另一实施例，针对与图7和图8不同位置的引脚端(如射频口24和接地端25)，在不同位置开设元器件槽21和第一连接槽22、第二连接槽23；在图8中，校准元器件26已埋入元器件槽21内，第一连接机构27已设置在第一连接槽22内，第一连接机构28已设置在第一连接槽22内。
采用本方案的芯片的最终状态包括两种：
一、如果只需简单的校准验证使用，元器件槽和连接槽不封起来；
二、如果是基于量产使用，需要考虑使用环境对其造成的影响，需要填充元器件槽和连接槽(如使用树脂)，并平坦化处理，要求处理后元器件槽和连接槽与周围塑封体齐平；这样元器件和连接机构会封在芯片内，为内藏式结构。
针对上述第二种最终状态，本实施例提供的芯片，还包括：设置在所述元器件槽内和所述连接槽内的填充体，且所述填充体与所述元器件槽和所述连接槽周围的所述塑封体齐平。
进一步，所述连接机构包括：焊锡膏或焊锡丝。
所述焊锡膏或焊锡丝适用于芯片加工的特点前文已经说明，在此不再赘述。
为了便于理解上述方案，下面结合一个具体实施例对本方案作进一步介绍：
一种芯片的制造方法，包括以下步骤：
1、在芯片例如射频芯片成品上通过激光镭射开槽的技术先在塑封体表面开出线路槽，需要开槽深度大于埋入的期间电阻厚度，以电阻器件例如元器件为例(假定长0.4mmx宽0.2mmx厚0.2mm)，需激光开出一个长度0.4mm，宽0.2mm的槽，要求深度大于0.2mm但不得超过芯片封装厚度，如图7所示。
2、然后再激光开出宽度50um的槽，第二个槽需使之前的较大的槽与需要的两个引脚端连接，如图7所示。
3、埋入需要的电阻，如50欧姆的上述尺寸大小的电阻，如图8所示。
4、再将引脚端与该电阻实现连接，即完成所需校准芯片的封装，如图8所示。
本发明的优点：
1、封装方法操作简单容易实现，可以实现快速封装。
2、投入成本非常低，无需新设计一种封装电路和其对应的封装流程。
3、可以灵活实现不同射频口与接地端的校准芯片，可以实现不同射频口与接地端的连接。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统或系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的系统及系统实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
1.一种芯片的制造方法，所述芯片包括塑封体，其特征在于，所述制造方法包括：
在所述塑封体表面开出元器件槽以及在所述塑封体表面开出连接槽；
向所述元器件槽埋入校准元器件；
在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接。
2.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述元器件槽的深度不小于待埋的校准元器件的厚度，不大于所述塑封体的厚度，截面尺寸与所述校准元器件适配。
3.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述元器件槽通过激光镭射技术开出。
4.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述连接槽，包括：
连接所述元器件槽和第一引脚端的第一连接槽，和连接所述元器件槽和第二引脚端的第二连接槽。
5.根据权利要求4所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述元器件槽位于多个引脚端围绕所形成的区域。
6.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述连接槽，包括：
连接所述元器件槽和射频口的第一连接槽，和连接所述元器件槽和接地端的第二连接槽。
7.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述连接槽通过激光镭射技术开出。
8.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述连接槽的宽度不大于待埋校准元器件宽度。
9.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述校准元器件，包括：校准电阻。
10.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，在所述塑封体表面开出连接槽之后，在所述向所述元器件槽埋入校准元器件之前，还包括：
取出所述芯片中的预装元器件。
11.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接，包括：
在所述连接槽内填充焊锡膏将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接；
或者，在所述连接槽内埋入焊锡丝将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接。
12.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，在所述连接槽内设置连接机构将所述校准元器件与所述芯片的引脚端连接之后，还包括：
填充所述元器件槽和所述连接槽，使所述元器件槽和所述连接槽与其周围所述塑封体齐平。
技术总结