本发明涉及电路技术领域，尤其涉及一种用于led的驱动电路。
背景技术：
随着科学技术的不断发展，发光二极管(led，lightemittingdiode)在日常生活中得到了越来越广泛的应用。基于安全、可靠、准确的目的，led产品需要驱动电路输出恒定的电流。目前，led驱动电路通常在芯片外利用一外部电阻以设定输出电流。但是，该种提供恒定驱动电流的方式，需要额外占用芯片的一只脚位来连接外部电阻，此电阻又会增加成本并占用电路基板(常用基板为印刷电路板(pcb，printedcircuitboard))面积，其不仅增加了开发者的设计难度，导致pcb面积增大以及绕线难度的增加，同时还提高了驱动电路的加工成本。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题在于提供一种用于led驱动电路，其采用半导体工艺制造的内部电阻，可与驱动电路整合于同一芯片中，用以解决采用外部电路所带来的设计难度增加、芯片脚数增加、pcb面积增大、绕线难度增加以及加工成本增加的问题。
为实现上述发明目的，本发明采用下述的技术方案.
根据本发明的一个方面提供一种用于led的驱动电路，所述驱动电路包含一非挥发性内存(nvm，non-volatilememory)及一恒流模块，该恒流模块在内部设置半导体电阻。该非挥发性内存用于储存外部输入的校正控制信号，确保每次上电后，都能依据该储存于非挥发内存的校正控制信号，将输出电流校正到目标值，而无需每次上电后都重复输入校正控制信号；该恒流模块基于所述半导体电阻及校正控制信号，及外部提供的电流倍率信号产生恒定驱动电流。
可选的，所述恒流模块具体包括：
电压产生模块，用于提供参考电压；
电流产生模块，包括所述半导体电阻，其中，所述半导体电阻为可调的半导体电阻；所述电流产生模块，用于根据校正控制信号对所述半导体电阻进行调整，并根据所述参考电压、调整后的半导体电阻值以及外部提供的电流倍率信号产生恒定驱动电流。
可选的，所述恒流模块具体包括：
电压产生模块，用于提供参考电压；
电流产生模块，包括所述半导体电阻及电流镜电路，根据储存于非挥发性内存的校正控制信号对电流镜进行校正性微调，以根据参考电压、半导体电阻得到参考电流，并根据外部提供的电流倍率信号对电流镜倍率进行调整，以产生恒定驱动电流。
可选的，所述电流产生模块包括校正单元以及倍率调整单元；其中，
校正单元包括可调的半导体电阻，用于根据储存于非挥发性内存的校正控制信号对所述半导体电阻的电阻值进行调整；
倍率调整单元，包括电流镜电路，用于根据所述参考电压、调整后的所述半导体电阻的电阻值得到参考电流以及根据外部提供的电流倍率信号对所述参考电流进行倍率调整，以产生恒定驱动电流。
可选的，所述恒流模块包括：
电压产生模块，包括所述半导体电阻，其中，所述半导体电阻为可调的半导体电阻，所述电压产生模块用于根据储存于非挥发性内存的校正控制信号对所述半导体电阻进行调整，用于调整得到所需参考电压；
电流产生模块，包括电流镜电路，用于根据参考电压得到参考电流以及外部提供的电流倍率信号对所述参考电流进行倍率调整，以产生恒定驱动电流。
可选的，所述电流镜电路由一级电流镜或一级以上的电流镜串接而成；
所述电流镜电路输入侧用于得到所述参考电流，输入侧和/或输出侧根据所述电流倍率信号控制各级的晶体管(常用的晶体管为金属氧化物场效晶体管(mosfet，metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，简称mos))的导通数量，以调整输出的恒定驱动电流相对于所述参考电流的倍率。
可选的，所述半导体电阻包括多个晶体管和多个电阻；所述多个晶体管用于根据校正控制信号进行导通和关闭，以控制所述半导体电阻中电阻的导通数量。
可选的，所述半导体电阻中采用一种低温度系数材质，或者由两种以上的相反温度系数的材质组成。
可选的，所述恒流模块具体包括：
电压产生模块，包括所述半导体电阻，其中，所述半导体电阻为可调的半导体电阻，所述电压产生模块用于根据外部提供的电流倍率信号对所述半导体电阻进行倍率调整，用于调整得到所需参考电压；
电流产生模块，包括电流镜电路，用于根据参考电压及储存于非挥发性内存的校正控制信号对所述电流镜进行调整，以产生恒定驱动电流。
可选的，所述恒流模块包括：
电压产生模块，包括所述半导体电阻，其中，所述半导体电阻为可调的半导体电阻，所述电压产生模块用于根据储存于非挥发性内存的校正控制信号对所述半导体电阻进行调整，并根据外部提供的电流倍率信号对所述半导体电阻进行倍率调整，用于调整得到所需参考电压；
电流产生模块，包括电流镜电路，用于根据参考电压得到参考电流，以产生恒定驱动电流。
可选的，进一步，本发明将外部输入的校正控制信号、及电流倍率信号由同一信号输入端以分时方式输入，并连接至一移位寄存器(shift-inregister)，用于接收并暂时储存外部输入的各种信号，该移位寄存器将校正控制信号输出至前述非挥发性内存，并将电流倍率信号送至前述相对应的控制电路，如此可以最精简的芯片脚位实现对驱动电路的控制。
可选的，更进一步，前述移位寄存器输出的校正控制信号或电流倍率信号信号，可以先储存于一组态缓存器(configurationregister)中，再由该组态缓存器传送至前述非挥发性内存或驱动电路，如此可以减少相同信号重复输入，简化控制程序。
本发明所提供的led驱动电路在采用设置内部电阻的形式，该内部电阻为半导体制程中的电阻，根据储存于非挥发性内存的校正控制信号对电阻值进行校正，或微调电流镜倍率，以补偿半导体电阻的误差，等效于对电阻进行校正；再根据外部电流倍率信号对输出电流进行倍率调整，即可使得整个驱动电路准确输出所需的恒定驱动电流。上述电阻选用低温度系数半导体电阻，可以输出恒定驱动电流。并且仅使用同一信号输入端，分时输入的校正控制信号、及电流倍率信号。故本发明无需要额外占用芯片紧缺的脚位，提高芯片脚位的利用率，同时还可以节省外部电阻成本、有效减小pcb面积，降低绕线难度以及整个驱动电路的加工成本
附图说明
图1为本发明实施例中用于led驱动电路的原理架构图；
图2为本发明一可选实施例中用于led驱动电路的原理架构图；
图3为本发明一可选实施例中用于led驱动电路的原理架构图；
图4为本发明一可选实施例中用于led驱动电路的原理架构图；
图5为本发明一可选实施例中校正单元的原理架构图；
图6为本发明一可选具体实施例中驱动电路的电路图；
图7为本发明一可选具体实施例中驱动电路的电路图；
图8为本发明一可选具体实施例中驱动电路的电路图；
图9为本发明一可选具体实施例中驱动电路的电路图；
图10为本发明一可选具体实施例中驱动电路的电路图；
图11为本发明一可选实施例中用于led驱动电路的原理架构图；
图12为本发明一可选实施例中用于led驱动电路的原理架构图；
图13为本发明一可选实施例中用于led驱动电路的原理架构图；
图14为本发明一可选实施例中用于led驱动电路的原理架构图；
图15为本发明一可选实施例中用于led驱动电路的原理架构图。
附图标记说明
10led驱动电路
110恒流模块
120非挥发性内存
130移位寄存器
140组态缓存器
150信号输入端
160驱动电流输出端
1110电流产生模块
1120电压产生模块
1130半导体电阻
11110校正单元
11120倍率调整单元
bg能带隙参考电压电路
cga<2:0>电流倍率信号
cgb<2:0>电流倍率信号
cgc<2:0>电流倍率信号
cgd<2:0>电流倍率信号
cge<2:0>电流倍率信号
iout、iout2～4恒定驱动电流
m1～m33开关晶体管
mn1～mn6nmos，构成可调电流镜
mn10、mn11nmos
mp1～mp10pmos，构成可调电流镜
op1、op2、op4运算放大器
r1～r5半导体可调电阻
r6、r7半导体电阻
trim1～trim4校正控制信号
vbg能带隙参考电压
vref2参考电压
具体实施方式
以下配合图式及本发明的较佳实施例，进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段。
本发明提供一种用于led驱动电路10如图1所示，该驱动电路包括一信号输入端150，用于分时输入外部输入的校正控制信号、电流倍率信号；及一驱动电流输出端160；及一恒流模块110；及一非挥发性内存120；该恒流模块内部设置一半导体电阻1130；该非挥发性内存储存外部提供的校正控制信号，该驱动电路根据该非挥发性内存储存的校正控制信号、及外部提供的电流倍率信号，以及内部的半导体电阻产生恒定驱动电流。其中，驱动电路根据校正控制信号对半导体可调电阻进行调整，或微调电流镜倍率，以补偿半导体电阻的误差，等效于对电阻进行校正，以此校正最终输出恒定驱动电流，具体如何调整及校正在后文中进行详述。
上述半导体电阻为内部电阻，其采用半导体工艺制成，可由一种或多种不同材质的电阻组成，且具有低温度系数(电阻值随温度变化而改变的幅度很小)的特性，具体的，半导体电阻中采用一种低温度系数材质，或者由两种以上的相反温度系数的材质组成。但半导体工艺制造的内部电阻阻值变异甚大，包括芯片间的阻值误差，与不同温度下的阻值差异，一般无法作为精准电流输出的依据；且内部电阻本身不易置换，也无法像外部电阻一样可以弹性设定输出电流。因此本发明中通过校正控制信号对电阻值或电流镜倍率进行校正，再根据电流倍率信号对电流进行调整，即可使得整个驱动电路准确输出所需的恒定驱动电流。
本发明一实施例中，如图2所示，所述用于led驱动电路的恒流模块具体包括：
电压产生模块1120，用于提供参考电压；本发明中的电压产生模块可采用能带隙(bandgap)参考电压电路实现，此为本领域技术人员所熟知的技术，这里不做过多的介绍。
电流产生模块1110，包括所述半导体电阻，并设计该半导体电阻为阻值可调的，用于根据储存于非挥发性内存的校正控制信号对半导体电阻的电阻值进行调整，并根据参考电压、调整后的电阻值以及外部提供的电流倍率信号产生恒定驱动电流。
另一种电流产生模块实施方式为：包括半导体电阻及电流镜电路，根据储存于非挥发性内存的校正控制信号对电流镜电路进行校正性微调，以补偿半导体电阻的误差，效果与校正半导体电阻相当，并根据参考电压、半导体电阻得到参考电流；并根据外部提供的电流倍率信号对电流镜倍率进行调整，以对参考电流进行倍率以产生恒定驱动电流。
上述半导体电阻可以用一种或多种材料的电阻组合而成产生低温度系数电阻，并据以产生恒定驱动电流。
上述提到的校正控制信号和电流倍率信号可由外部器件提供，例如控制器等通过控制指令即可输出不同的控制信号。本发明采用的led驱动电路采用内部电阻即可实现恒定驱动电流的输出，而无需要额外占用芯片紧缺的脚位，提高芯片脚位的利用率，同时还可以有效减小pcb面积，降低绕线难度以及整个驱动电路的加工成本。
本发明一实施例中，如图3所示，该用于led驱动电路的恒流模块具体包括：
电压产生模块，用于提供参考电压；包括可调的半导体电阻，根据储存于非挥发性内存的校正控制信号对半导体电阻进行调整，以调整得到所需参考电压；
电流产生模块，用于根据调整后的参考电压以及外部提供的电流倍率信号产生恒定驱动电流。
本发明图2其中一种具体实施例为，电流产生模块包括校正单元11110以及倍率调整单元11120。如图4所示，校正单元包括可调的半导体电阻，根据储存于非挥发性内存的校正控制信号对半导体电阻进行调整；倍率调整单元，包括电流镜电路，根据参考电压、调整后的半导体电阻的电阻值得到参考电流以及外部提供的电流倍率信号对参考电流进行倍率调整，以产生恒定驱动电流；
其中，对于可调半导体电阻的实现方式，本发明一实施例中，采用多个晶体管(因最常使用mos，以下简称mos)和多个电阻组成的半导体电阻实现。多个mos根据校正控制信号进行导通和关闭，以控制半导体电阻中电阻的导通数量。例如，如图5所示，多个mos根据校正控制信号trim1、trim2……trim4进行导通和关闭，以控制半导体可调电阻中电阻r1～r5的导通数量。需要说明的是，在该图中，电阻的数量以及mos可以根据实际需要进行调整，以选择合适的电阻调整范围。当然可采用其他通过校正控制信号实现电阻校正的形式，本发明中所提供的实现方式仅用于说明，不用于对本发明技术内容的限定。对于上述几个实施例中，电流镜电路可以采用一级电流镜或一级以上的电流镜串接而成。电流镜电路输入侧用于得到所述参考电流，输入侧和/或输出侧根据所述电流倍率信号控制各级的mos的导通数量，以调整输出的恒定驱动电流相对于所述参考电流的倍率。
这里，提到的在根据电流倍率信号对参考电流倍率时有多种实现形式，可以在输入侧和/或输出侧进行电流的调整，具体包括：
一种方式是，电流镜电路输入侧可接入参考电压产生一参考电流，输入侧及输出侧同时根据电流倍率信号对参考电流进行倍率调整，得到符合设定大小的恒定驱动电流。具体的，在输入侧接入参考电压时，电流镜电路输入侧根据参考电压以及导通的电阻直接得到参考电流；输入侧及输出侧根据电流倍率信号控制mos的导通数量，对电流镜进行倍率调整，得到符合设定大小的电流。
一可选具体实施例中，图6所示，能带隙参考电压电路bg输出能带隙参考电压vbg，电流镜电路输入侧包括mosmp1、mp2、mp3，运算放大器op1的负相输入端连接vbg，正相输入端连接半导体电阻r1～r5，输出端透过开关mosm4、m5、m6、m10、m11、m12连接电流镜pmosmp1～mp6的闸极(gate)，构成一负回授回路，利用运算放大器op1于此负回授电路稳定时，会使其两输入端电压接近的特性，可以依其接入参考电压vbg、可调半导体电阻的导通电阻r1～r5、产生一参考电流；输出侧包括mosmp4、mp5、mp6。部件m1～m12为开关元器件，可以根据信号电流倍率信号cga<2:0>、cgb<2:0>进行打开或者关闭，以控制mp1～mp6导通或关闭。对于部件m1～m12可选择多路选择器等实现开关控制功能的元器件，其可以也集成于同一组件器中，这里不做具体的限定。通过控制mosmp1～mp6导通或关闭，可以控制输出侧与输入侧的间的电流倍率，输出总的镜像电流为经过倍率后的参考电流，也就是本发明中的恒定驱动电流iout。这里，在输入侧及输出侧根据电流倍率信号控制mos的导通数量可实现参考电流的倍率调整。因此在选择所需电流倍率时，还可以通过在输入侧或输出侧增加或减少并联电流镜mos的方式。对于输入侧和输出侧mos的长宽不做具体限定，可以根据实际所需电流进行选择。
上述利用运算放大器与参考电压、电流镜、电阻的结构以产生恒定参考电流的方式，仅为实际应用中一种简单实施例，另有多种等效电路可以依相同原理达到产生恒定驱动电流的效果，例如电流倍率信号也可以只对输出侧进行倍率调整，又例如可以选择在可调半导体电阻实现电流倍率调整功能，本发明包括但不限于此实施例。
上述电流镜也可以同时作为校正电流之用，如果不直接校正上述半导体电阻值，可以在电流镜的其中一级，加入校正用的控制电路，以控制电流镜mos导通数量，即可校正最终输出电流，达到与校正电阻相同的效果。例如，可以选择在前述图6中的输入侧校正电流，其中半导体电阻可用图中所示的形式即电阻r1～r5，也可采用定值的半导体电阻，根据校正控制信号校正参考电流，以实现与校正半导体电阻相同的效果。具体的，根据校正控制信号cga<2:0>通过控制m1～m6导通或关闭，可以控制mp1～mp3导通或关闭、进而校正输出的参考电流。通常校正的电流变化幅度远小于前述电流倍率的变化幅度，因此校正用的mos宽长比(width/length)通常较小，以达到微调电流的目的。这样，输入侧的信号则用于校正参考电流，而后输出侧再根据电流倍率信号cgb<2:0>进行倍率调整。
其中，电流镜可采用并联的结构以实现一个或者多个恒定驱动电流的输出，例如，将图6中的输出侧复制并且并联，即为图7的mp7～mp9及m17～m22，可产生第二个电流输出iout2。这样通过并联的方式，可以输出多个恒定驱动电流。
对于电流镜电路的具体实现，可依应用需求采用pmos电流镜或nmos电流镜，也可采用一组以上的pmos电流镜以及一组以上的nmos电流镜相串联的形式，如图8。电流倍率调整功能可以依实际应用，选择于电流镜其中一处或多处中实现，图8中所示为串联两级电流镜的输出入两侧都具有电流倍率调整功能。本发明中对于电流镜的形式与电流倍率调整形式不做具体的限定。
与此同时，为了减小电流镜在不同输出电压下的输出电流变化，可选择采用迭接(cascode)电流镜。对于迭接电流镜其属于本领域技术人员所熟知的技术，这里不再赘述。
一可选具体实施例中，如图9所示，电压产生模块输出连接运放op1的正相输入端，负相输入端连接可调的半导体电阻r1～r5，输出端连接nmos的闸极，构成一负回授回路。nmos的汲极(drain)连接pmos电流镜，源极(source)则连接可调的半导体电阻和op1的负相输入端。在该pmos电流镜输出端，改用运放op2以及pmosmp10。运放op2的正相端和反相端分别连接pmosmp1～mp3、pmosmp4～mp6的汲极，这样可以保证输出入侧pmos的vgs(闸极-源极电压)及vds(汲极-源极电压)的电压相同，以使电流镜输出正比于参考电流的恒定驱动电流。
图9的pmos电流镜作法，亦可用于nmos，并与图9的pmos电流镜串接，以输出恒定驱动电流。
另外，图3的其中一种可选具体实施例可参见图10。在该驱动电路中，带隙基准电路bg产生vbg，连接图10中运放op4的正相输入端，负相输入端连接可调半导体电阻r1～r5，输出端连接nmos的闸极。nmos的汲极连接电压vdd，源极则连接可调的半导体电阻r1～r5和op4的负相输入端，半导体电阻r1～r5通过电阻r6连接电压vss，半导体电阻r1～r5与电阻r6的连接处为参考电压vref2的输出端。通过校正控制信号控制可调半导体电阻r1～r5的导通数量，以使得参考电压输出不同的数值。参考电压vref2后续通过运放op1连接pmos电流镜模块实现恒定驱动电流iout的输出。在该实施例中，通过改变导通的电阻数，将带隙基准电压vbg产生可校正的参考电压vref2，再根据参考电压vref2产生参考电流，也可得到期望的恒定驱动电流。
前例中，也可以通过调整可调半导体电阻来调整参考电压倍率，以实现电流倍率调整功能。综合前述各实施例可知，可调半导体电阻也可选择放在电压产生模块或电流产生模块；而校正与电流倍率调整，分别都可以选择通过控制电压产生模块实现，或选择通过控制电流产生模块实现，如图11及图12。
基于不同的实施例可知，在本发明中，内部电阻为半导体制程中的电阻，尤指低温度系数的电阻。通过校正控制信号对电阻值或电流镜进行校正，可保证参考电流的准确输出，再根据电流倍率信号对输出电流进行倍率调整，即可使得整个驱动电路准确输出所需的低温度系数恒定驱动电流。在电流倍率方面，可以采用不同的电流镜相配合的形式，实现倍率的调整，及一组或者多组恒定驱动电流的输出。因此，本发明中无需采用外部电阻，可以有效避免外部电阻所带来的各种问题，同时通过校正和电流倍率功能，可以有效避免采用内部电阻所带来的半导体电阻精准度差以及无法调整阻值的问题。
一可选具体实施例中，如图13，可将外部输入的校正控制信号、及电流倍率信号由同一信号输入端以分时方式输入，并连接至一移位寄存器130，用于接收并暂时储存外部输入的各种信号，该移位寄存器将校正控制信号输出至前述非挥发性内存，并将电流倍率信号送至前述相对应的控制电路，如此可以最精简的芯片脚位实现对驱动电路的控制。
进一步，另一可选具体实施例中，，如图14及图15，前述移位寄存器输出的校正控制信号或电流倍率信号信号，可以先储存于一组态缓存器140中，再由该组态缓存器传送至前述非挥发性内存或驱动电路，如此可以减少相同信号重复输入，简化控制程序。非挥发性内存输出的校正控制信号亦可先储存于一缓存器，再输出至前述相对应的校正电路，如此每次上电后仅需读取该非挥发性内存一次。
为便于说明，以上仅是本发明的简易实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以简易实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动，或变换电路组合，或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
1.一种用于led的驱动电路，其特征在于，包含；
一信号输入端，用于自外部分时输入校正控制信号、及电流倍率信号；
一半导体电阻，该电阻采用一种低温度系数材质，或者由两种以上的相反温度系数的材质组成，以达到低温度系数的效果；
一非挥发性内存，用于储存该外部输入的校正控制信号，以基于该校正控制信号值将输出电流校正至一目标值；
一恒流模块，包括所述半导体电阻，用于根据储存于该非挥发性内存的校正控制信号，及该外部提供的电流倍率信号产生恒定驱动电流；
一驱动电流输出端，用于输出该恒定驱动电流。
2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述恒流模块具体包括：
电压产生模块，用于提供参考电压；
电流产生模块，包括所述半导体电阻，其特征在于，所述半导体电阻为可调的半导体电阻；所述电流产生模块，用于根据储存于该非挥发性内存的校正控制信号对所述半导体电阻进行调整，并根据所述参考电压、调整后的半导体电阻值以及该外部提供的电流倍率信号产生恒定驱动电流。
3.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述恒流模块具体包括：
电压产生模块，用于提供参考电压；
电流产生模块，包括所述半导体电阻及电流镜电路，根据储存于该非挥发性内存的校正控制信号对电流镜进行校正性微调，以根据该参考电压、半导体电阻得到参考电流，并根据该外部提供的电流倍率信号对电流镜倍率进行调整，以产生恒定驱动电流。
4.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述电流产生模块包括校正单元以及倍率调整单元；其中，，
校正单元包括可调的半导体电阻，用于根据储存于该非挥发性内存的校正控制信号对所述半导体电阻的电阻值进行调整；
倍率调整单元，包括电流镜电路，用于根据所述参考电压、调整后的所述半导体电阻的电阻值得到参考电流以及根据该外部提供的电流倍率信号对所述参考电流进行倍率调整，以产生恒定驱动电流。
5.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述恒流模块包括：
电压产生模块，包括所述半导体电阻，其中，所述半导体电阻为可调的半导体电阻，所述电压产生模块用于根据储存于该非挥发性内存的校正控制信号对所述半导体电阻进行调整，用于调整得到所需该参考电压；
电流产生模块，包括电流镜电路，用于根据该参考电压得到参考电流以及该外部提供的电流倍率信号对所述参考电流进行倍率调整，以产生恒定驱动电流。
6.如权利要求3或4或5所述的驱动电路，其特征在于，
所述电流镜电路由一级电流镜或一级以上的电流镜串接而成；
所述电流镜电路输入侧用于得到所述参考电流，输入侧和/或输出侧根据所述电流倍率信号控制各级的晶体管的导通数量，以调整输出的恒定驱动电流相对于所述参考电流的倍率。
7.如权利要求4或5所述的驱动电路，其特征在于，所述半导体电阻包括多个晶体管和多个电阻；所述多个晶体管用于根据校正控制信号进行导通和关闭，以控制所述半导体电阻中电阻的导通数量。
8.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述恒流模块具体包括：
电压产生模块，包括所述半导体电阻，其特征在于，所述半导体电阻为可调的半导体电阻，所述电压产生模块用于根据该外部提供的电流倍率信号对所述半导体电阻进行倍率调整，用于调整得到所需该参考电压；
电流产生模块，包括电流镜电路，用于根据该参考电压及储存于该非挥发性内存的校正控制信号对所述电流镜进行调整，以产生恒定驱动电流。
9.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述恒流模块包括：
电压产生模块，包括所述半导体电阻，其中，所述半导体电阻为可调的半导体电阻，所述电压产生模块用于根据储存于该非挥发性内存的校正控制信号对所述半导体电阻进行调整，并根据该外部提供的电流倍率信号对所述半导体电阻进行倍率调整，用于调整得到所需该参考电压；
电流产生模块，包括电流镜电路，用于根据该参考电压得到参考电流，以产生恒定驱动电流。
10.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路进一步包括：
一移位寄存器，其输入端电连接于该信号输入端，用于接收并暂时储存该些外部输入的校正控制信号、及电流倍率信号，并将该校正控制信号输出至该非挥发性内存。
技术总结