本发明涉及集成电路封装领域，具体涉及一种电绝缘的多腔封装结构。
背景技术：
在军事及航空工业应用领域，为了保护人和设备安全、消除接地问题以及提高系统性能，需要对系统中的数据和电源进行隔离。为了隔绝水汽灰尘、防止氧化，保证高等级元器件的高可靠性及长寿命，必须对设备采用气密封装。前期工作中提供了一种电绝缘的多腔封装结构，能够同时兼顾高可靠性数字隔离设备通信和电气隔离两方面的需求。该封装结构利用陶瓷介质进行腔体之间的电气隔离，并将变压器等耦合传输结构置于陶瓷介质中实现相邻两腔体所属电源域之间的通信。然而在利用高温共烧陶瓷(htcc)介质进行电气隔离时，htcc介质中的变压器耦合传输结构的金属线圈只能使用钨等高熔点材料制作，这类金属材料电阻率较大，使得变压器寄生电阻较大，导致性能下降，这对传输信号影响较小，但对传输能量影响十分明显。因此，对隔离电源设备来说，现有的多腔封装结构传输能量效率极低，无法满足其性能要求。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是针对现有的多腔封装结构，利用htcc介质进行电气隔离时，htcc介质中的变压器耦合传输结构传输能量效率极低的问题，提供一种电绝缘的多腔封装结构。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种电绝缘的多腔封装结构，包括由高温共烧陶瓷介质实现电气隔离的两个或两个以上腔体，任意相邻两个腔体所属电源域之间的能量传输通过变压器耦合传输结构实现，所述变压器耦合传输结构中的至少一个金属线圈位于其中一个腔体内。
本发明的有益效果是：本发明利用高温共烧(htcc)陶瓷介质进行腔体之间的电气隔离，通过改进变压器耦合传输结构的放置方式以及制作工艺，选用低电阻率的金属材料制作变压器，可以将变压器的传输效率提高16.4％-31.1％，满足隔离电源设备中对能量传输效率的要求。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，所述变压器耦合传输结构的两个金属线圈上下对应布置，且其中一个位于腔体内，另一个位于高温共烧陶瓷介质中。
采用上述进一步方案的有益效果是：将两个金属线圈上下对应布置，并使一个金属线圈位于腔体内，另一个位于高温共烧陶瓷介质中，腔体内的金属线圈可以选用低电阻率的金属材料，提高多腔封装结构能量传输效率。
进一步，所述变压器耦合传输结构的两个金属线圈上下对应布置，两个所述金属线圈分别位于相邻的两个腔体内。
进一步，相邻两个腔体上下布置或左右并排布置。
采用上述进一步方案的有益效果是：可以根据封装需求，选择腔体不同的排布方式。
进一步，所述高温共烧陶瓷介质包括一体结构的高温共烧陶瓷管壳，所述高温共烧陶瓷管壳上形成有相互独立的凹槽，所述腔体包括所述凹槽以及封装在所述凹槽敞口端的金属盖板。
采用上述进一步方案的有益效果是：采用凹槽结构和金属盖板形成所述腔体，可以根据需要将腔体打开，方便更换腔体中的电器元件或安装维修等。
进一步，所述高温共烧陶瓷介质包括一体结构的高温共烧陶瓷管壳，所述高温共烧陶瓷管壳上形成有通孔，所述高温共烧陶瓷管壳内设有将所述通孔分隔成凹槽的低温共烧陶瓷介质，所述腔体包括所述凹槽以及封装在所述凹槽敞口端的金属盖板。
采用上述进一步方案的有益效果是：利用高温共烧陶瓷管壳作为外部支撑，采用低温共烧陶瓷介质作为内部支撑，保证经济实用性的基础上，能够有效提高能量传输效率。
进一步，位于所述腔体内的金属线圈采用铜或铝制成，位于所述低温共烧陶瓷介质中的金属线圈采用铜或银制成。
采用上述进一步方案的有益效果是：在低温共烧陶瓷介质中的金属线圈采用铜或银制成，能够有效保证两个金属线圈之间的能量传输效率。
进一步，所述腔体中设有集成电路芯片，所述集成电路芯片与实现相邻腔体之间能量传输的所述变压器耦合传输结构连接，所述集成电路芯片上连接有与外部实现能量传输的外封装引线。
进一步，位于腔体内的金属线圈固定在对应的集成电路芯片顶部，固定有所述金属线圈的集成电路芯片顶部通过绝缘胶粘合在腔体底壁上。
采用上述进一步方案的有益效果是：将金属线圈固定在集成电路芯片顶部，并将集成电路芯片顶部粘合在腔体底壁上，能够使两个金属线圈尽量靠近，提高能量传输效率。
进一步，所述金属线圈通过隔离材料粘合在所述腔体中。
进一步，位于所述腔体内的金属线圈采用铜或铝制成，位于所述高温共烧陶瓷介质中的金属线圈采用钨制成。
采用上述进一步方案的有益效果是：位于腔体内的金属线圈一般是发送线圈，采用铜或铝等电导率较好的金属材料，能够进一步提高能量传输效率。
附图说明
图1为本发明一种电绝缘的多腔封装结构实施方式一的结构示意图；
图2为本发明一种电绝缘的多腔封装结构实施方式二的结构示意图；
图3为本发明一种电绝缘的多腔封装结构实施方式三的结构示意图；
图4为本发明一种电绝缘的多腔封装结构实施方式四的结构示意图；
图5为本发明变压器耦合传输结构效率的仿真曲线示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、高温共烧陶瓷管壳；11、第一腔体；12、第二腔体；13、第一集成电路芯片；14、第二集成电路芯片；15、pad焊盘；16、键合线；17、过线导带；18、第一金属盖板；19、第二金属盖板；
2、变压器耦合传输结构；21、第一金属线圈；22、第二金属线圈；
3、外封装引线；4、第一电源域；5、第二电源域；6、绝缘胶；7、低温共烧陶瓷介质。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
如图1-图4所示，本实施例的一种电绝缘的多腔封装结构，包括由高温共烧陶瓷介质实现电气隔离的两个或两个以上腔体，任意相邻两个腔体所属电源域之间的能量传输通过变压器耦合传输结构实现，所述变压器耦合传输结构中的至少一个金属线圈位于其中一个腔体内。本实施例利用高温共烧陶瓷介质进行腔体之间的电气隔离，通过改进变压器耦合传输结构的放置方式以及制作工艺，选用低电阻率的金属材料制作变压器，可以将变压器的传输效率提高16.4％-31.1％，满足隔离电源设备中对能量传输效率的要求。
其中，本实施例的一个具体方案为，所述变压器耦合传输结构的两个金属线圈上下对应布置，且其中一个位于腔体内，另一个位于高温共烧陶瓷介质中。其中，位于所述腔体内的金属线圈一般为发送线圈，位于高温共烧陶瓷介质中的线圈一般为接收线圈。将两个金属线圈上下对应布置，并使一个金属线圈位于腔体内，另一个位于高温共烧陶瓷介质中，腔体内的金属线圈可以选用低电阻率的金属材料，提高多腔封装结构传输能量。
本实施例的另一具体方案为，所述变压器耦合传输结构的两个金属线圈上下对应布置，两个所述金属线圈分别位于相邻的两个腔体内，两个金属线圈可任意选择作为发送线圈和接收线圈。
其中，所述金属线圈通过隔离材料粘合在所述腔体中。位于所述腔体内的金属线圈采用铜或铝制成，位于所述高温共烧陶瓷介质中的金属线圈采用钨制成。
具体的，如图1-图4所示，相邻两个腔体上下布置或左右并排布置。可以根据封装需求，选择腔体不同的排布方式。
其中，高温共烧陶瓷介质的结构设置方式有以下两种：
设置方式一，所述高温共烧陶瓷介质包括一体结构的高温共烧陶瓷管壳，所述高温共烧陶瓷管壳上形成有相互独立的凹槽，所述腔体包括所述凹槽以及封装在所述凹槽敞口端的金属盖板。采用凹槽结构和金属盖板形成所述腔体，可以根据需要将腔体打开，方便更换腔体中的电器元件或安装维修等。
设置方式二，所述高温共烧陶瓷介质包括一体结构的高温共烧陶瓷管壳，所述高温共烧陶瓷管壳上形成有通孔，所述高温共烧陶瓷管壳内设有将所述通孔分隔成两个凹槽的低温共烧陶瓷介质，所述腔体包括所述凹槽以及封装在所述凹槽敞口端的金属盖板。位于所述腔体内的金属线圈采用铜或铝制成，位于所述低温共烧陶瓷介质中的金属线圈采用铜或银制成。利用高温共烧陶瓷管壳作为外部支撑，采用低温共烧陶瓷介质作为内部支撑，保证经济实用性的基础上，能够有效提高能量传输效率。
本实施例中，所述腔体中设有集成电路芯片，所述集成电路芯片与实现相邻腔体之间能量传输的所述变压器耦合传输结构连接，所述集成电路芯片上连接有与外部实现通信的外封装引线。位于腔体内的金属线圈固定在对应的集成电路芯片顶部，固定有所述金属线圈的集成电路芯片顶部通过绝缘胶粘合在腔体底壁上。将金属线圈固定在集成电路芯片顶部，并将集成电路芯片顶部粘合在腔体底壁上，能够使两个金属线圈尽量靠近，提高能量传输效率。
下面以两个腔体为例，对电绝缘的多腔封装结构的具体实施方式进行说明。当腔体为两个时，可以采用上下结构或左右结构进行布置，以方便用户根据不同封装需求来选择腔体不同的布置形式。
实施方式一：如图1所示，一种电绝缘的多腔封装结构，采用高温共烧陶瓷管壳1形成上下布置的第一腔体11和第二腔体12，即在高温共烧陶瓷管壳1的上下两侧各设置一个凹槽，上方凹槽的敞口处设置第一金属盖板18对其进行封装，下方凹槽的敞口处设置第二金属盖板19来对其进行封装。第一腔体11所在区域以及其内的电器元件属于第一电源域4，第二腔体12所在区域以及其内的电器元件属于第二电源域5。
图1中，第一腔体11中设置有第一集成电路芯片13，第一集成电路芯片13倒置通过绝缘胶6粘合在第一腔体11底壁上，第一集成电路芯片一端采用键合线16(即金属键合丝)键合在第一腔体11底壁的pad焊盘15上，第一电源域4的外封装引线3通过过线导带17连接pad焊盘15从而实现第一集成电路芯片13与外部的通信，变压器耦合传输结构2的第一金属线圈21置于第一集成电路芯片13的顶部，第一金属线圈21可采用铜或铝等金属材料制作。
图1中，第二腔体12中设置有第二集成电路芯片14，第二集成电路芯片14两端采用键合线16(即金属键合丝)键合在第二腔体12底部的两个pad焊盘15上，第二电源域5的外封装引线3通过过线导带17连接其中一个pad焊盘15从而实现第二集成电路芯片14与外部的通信，变压器耦合传输结构2的第二金属线圈22置于高温共烧陶瓷管壳1中，通过过线导带17连接另一个pad焊盘15。
具体的，图1中的第一腔体11位于第二腔体12正上方，形成第一腔体11的凹槽结构开口朝上布置，形成第二腔体12的凹槽结构开口朝下布置。第一腔体11中的第一集成电路芯片13倒置通过绝缘胶6粘合在第一腔体11凹槽结构的槽底，第二腔体12中的第二集成电路芯片14设置在第二腔体12凹槽结构的槽底，第一集成电路芯片13与第二集成电路芯片14对应设置，第一腔体11中的pad焊盘15和第二腔体12中的pad焊盘15都设置在所在凹槽结构的槽底，并位于第一集成电路芯片13的一侧或第二集成电路芯片15的两侧。第一金属线圈21置于第一集成电路芯片13的顶部，可采用铜或铝等低电阻率材料制作，位于多腔封装结构左侧的外封装引线3通过过线导带17与第一腔体11左侧的pad焊盘15连接；第二金属线圈22置于高温共烧陶瓷管壳1中，可采用钨等金属材料制作，第二金属线圈22的一端与第二腔体12左侧的pad焊盘15通过过线导带17连接，位于多腔封装结构右侧的外封装引线3通过过线导带17与第二腔体12右侧的pad焊盘15连接。图1中的第一金属线圈21和第二金属线圈22上下对齐设置并通过隔离材料粘合，构成变压器来进行能量的传输。
实施方式二：如图2所示，一种电绝缘的多腔封装结构，采用高温共烧陶瓷管壳1形成左右布置的第一腔体11和第二腔体12，即在高温共烧陶瓷管壳1的左右两侧各设置一个凹槽，左侧凹槽的敞口处设置第一金属盖板18对其进行封装，右侧凹槽的敞口处设置第二金属盖板19来对其进行封装。第一腔体11所在区域以及其内的电器元件属于第一电源域4，第二腔体12所在区域以及其内的电器元件属于第二电源域5。
本实施方式中第一腔体和第二腔体中的集成电路芯片安装结构与实施方式一相同。第一金属线圈可采用铜或铝等金属材料，第二金属线圈可采用钨等金属材料。
具体的，图2中的第一腔体11和第二腔体12并排左右布置，第一腔体11位于第二腔体12的左侧，形成第一腔体11的凹槽结构以及形成第二腔体12的凹槽结构开口均朝上布置，第一腔体11底部与第二腔体12底部一体设置且位于同一水平高度。第一腔体11中的第一集成电路芯片13倒置通过绝缘胶6粘合在第一腔体11凹槽结构的槽底，第二腔体12中的第二集成电路芯片14设置在第二腔体12凹槽结构的槽底，第一腔体11中的pad焊盘15和第二腔体12中的pad焊盘15都设置在所在凹槽结构的槽底，并位于第一集成电路芯片13的一侧或第二集成电路芯片14的两侧。第一金属线圈21置于第一集成电路芯片13的顶部，位于多腔封装结构左侧的外封装引线3通过过线导带17与第一腔体11左侧的pad焊盘15连接；第二金属线圈22置于高温共烧陶瓷管壳1中，第二金属线圈22的一端与第二腔体12左侧的pad焊盘15通过过线导带17连接，位于多腔封装结构右侧的外封装引线3通过过线导带17与第二腔体12右侧的pad焊盘15连接。图2中的第一金属线圈21和第二金属线圈22上下对齐设置并通过隔离材料粘合，构成变压器来进行能量的传输。
实施方式三：如图3所示，一种电绝缘的多腔封装结构，采用高温共烧陶瓷管壳形成上下布置的第一腔体11和第二腔体12，即在高温共烧陶瓷管壳1的上下两侧各设置一个凹槽，上方凹槽的敞口处设置第一金属盖板18对其进行封装，下方凹槽的敞口处设置第二金属盖板19来对其进行封装。第一腔体11所在区域以及其内的电器元件属于第一电源域4，第二腔体12所在区域以及其内的电器元件属于第二电源域5。
如图3所示，所述第一腔体11中设置有第一集成电路芯片13，第一集成电路芯片13倒置通过绝缘胶6粘合在第一腔体11底部上，第一集成电路芯片13一端采用键合线16(即金属键合丝)键合在第一腔体11底部的pad焊盘15上，第一电源域4的外封装引线3通过过线导带17连接pad焊盘15从而实现第一集成电路芯片13与外部的通信，变压器耦合传输结构2的第一金属线圈21置于第一集成电路芯片13的顶部，第一金属线圈21可采用铜或铝等金属材料制作。
如图3所示，所述第二腔体12中设置有第二集成电路芯片14，第二集成电路芯片14倒置通过绝缘胶6粘合在第二腔体12底部上，第二集成电路芯片14一端采用键合线16(即金属键合丝)键合在第二腔体12底部的pad焊盘15上，第二电源域5的外封装引线3通过过线导带17连接pad焊盘15从而实现第二集成电路芯片14与外部的通信，变压器耦合传输结构2的第二金属线圈22置于第二集成电路芯片14的顶部，第二金属线圈22可采用铜或铝等金属材料制作。
具体的，图3中的第一腔体11位于第二腔体12正上方，形成第一腔体11的凹槽结构开口朝上布置，形成第二腔体12的凹槽结构开口朝下布置。第一腔体11中的第一集成电路芯片13倒置通过绝缘胶6粘合在第一腔体11凹槽结构的槽底，第二腔体12中的第二集成电路芯片14倒置通过绝缘胶6粘合在第二腔体12凹槽结构的槽底，第一集成电路芯片13与第二集成电路芯片14对应设置，第一腔体11中的pad焊盘15和第二腔体12中的pad焊盘15都设置在所在凹槽结构的槽底，并位于第一集成电路芯片13或第二集成电路芯片15的一侧。第一金属线圈21置于第一集成电路芯片13的顶部，位于多腔封装结构左侧的外封装引线3通过过线导带17与第一腔体11左侧的pad焊盘15连接；第二金属线圈22置于第二集成电路芯片14的顶部，位于多腔封装结构右侧的外封装引线3通过过线导带17与第二腔体12右侧的pad焊盘15连接。图3中的第一金属线圈21和第二金属线圈22上下对齐设置并通过隔离材料粘合在芯片上，构成变压器来进行能量的传输。隔离材料主要是作为隔离层起到隔离作用。
实施方式四：一种电绝缘的多腔封装结构，采用高温共烧陶瓷管壳1仅形成一个腔体(即通孔结构)，采用低温共烧陶瓷介质7形成第一腔体11和第二腔体12。即在高温共烧陶瓷管壳1的中间设置一个左右两侧带有凸起的凹槽结构，左右两侧凸起的管壳上方设置低温共烧陶瓷介质7，将一个贯通的通孔结构隔离分成上下两个凹槽结构，上方的凹槽结构的敞口处设置第一金属盖板18来对其进行封装，下方的凹槽结构的敞口处设置第二金属盖板19来对其进行封装。第一腔体11所在区域以及其内的电器元件属于第一电源域4，第二腔体12所在区域以及其内的电器元件属于第二电源域5。
如图4所示，所述第一腔体11中设置有第一集成电路芯片13，第一集成电路芯片13倒置通过绝缘胶6粘合在第一腔体11底部上，第一集成电路芯片13一端采用键合线16(即金属键合丝)键合在第一腔体11底部的pad焊盘15上，第一电源域4的外封装引线3通过过线导带17连接pad焊盘15从而实现第一集成电路芯片13与外部的通信，变压器耦合传输结构2的第一金属线圈21置于第一集成电路芯片13的顶部，第一金属线圈21可采用铜或铝等金属材料制作。
如图4所示，所述第二腔体12中设置有第二集成电路芯片14，第二集成电路芯片14两端采用键合线16(即金属键合丝)键合在第二腔体12底部的两个pad焊盘15上，第二电源域5的外封装引线3通过过线导带17连接其中一个pad焊盘15从而实现第二集成电路芯片14与外部的通信，变压器耦合传输结构2的第二金属线圈22置于低温共烧陶瓷介质7中，可采用银或铜等金属材料制作，第二金属线圈22通过过线导带17连接另一个pad焊盘15。
具体的，图4中的第一腔体11位于第二腔体12正上方，形成第一腔体11的凹槽结构开口朝上布置，形成第二腔体12的凹槽结构开口朝下布置。第一腔体11中的第一集成电路芯片13倒置通过绝缘胶6粘合在第一腔体11凹槽结构的槽底，具体粘合在低温共烧陶瓷介质的顶端；第二腔体12中的第二集成电路芯片14设置在第二腔体12凹槽结构的槽底，具体粘合在低温共烧陶瓷介质的底端；第一集成电路芯片13与第二集成电路芯片14对应设置，第一腔体11中的pad焊盘15和第二腔体12中的pad焊盘15都设置在所在凹槽结构的槽底，并位于第一集成电路芯片13的一侧或第二集成电路芯片15的两侧。第一金属线圈21置于第一集成电路芯片13的顶部，位于多腔封装结构左侧的外封装引线3通过过线导带17与第一腔体11左侧的pad焊盘15连接；第二金属线圈22置于低温共烧陶瓷介质7中，第二金属线圈22的一端与第二腔体12左侧的pad焊盘15通过过线导带17连接，位于多腔封装结构右侧的外封装引线3通过过线导带17与第二腔体12右侧的pad焊盘15连接。图4中的第一金属线圈21和第二金属线圈22上下对齐设置并通过隔离材料粘合，构成变压器来进行能量的传输。
图5为本发明变压器耦合传输结构效率的仿真曲线示意图，a为前期工作中所提供的多腔封装结构的变压器仿真效率曲线，变压器第一金属线圈21和第二金属线圈22均采用钨材料；b为图1和图2的变压器仿真效率曲线，其中变压器第一金属线圈21和第二金属线圈22分别采用铜材料和钨材料；c为图3和图4的变压器仿真效率曲线，其中变压器第一金属线圈21和第二金属线圈22均采用铜材料。对于小体积微功率隔离电源常用的工作频率180mhz，a、b和c仿真效率分别为0.61、0.71和0.8，b和c相对a分别提高了16.4％和31.1％。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
1.一种电绝缘的多腔封装结构，其特征在于，包括由高温共烧陶瓷介质实现电气隔离的两个或两个以上腔体，任意相邻两个腔体所属电源域之间的能量传输通过变压器耦合传输结构实现，所述变压器耦合传输结构中的至少一个金属线圈位于其中一个腔体内。
2.根据权利要求1所述一种电绝缘的多腔封装结构，其特征在于，所述变压器耦合传输结构的两个金属线圈上下对应布置，且其中一个位于腔体内，另一个位于高温共烧陶瓷介质中。
3.根据权利要求1所述一种电绝缘的多腔封装结构，其特征在于，所述变压器耦合传输结构的两个金属线圈上下对应布置，两个所述金属线圈分别位于相邻的两个腔体内。
4.根据权利要求1所述一种电绝缘的多腔封装结构，其特征在于，所述高温共烧陶瓷介质包括一体结构的高温共烧陶瓷管壳，所述高温共烧陶瓷管壳上形成有相互独立的凹槽，所述腔体包括所述凹槽以及封装在所述凹槽敞口端的金属盖板。
5.根据权利要求1所述一种电绝缘的多腔封装结构，其特征在于，所述高温共烧陶瓷介质包括一体结构的高温共烧陶瓷管壳，所述高温共烧陶瓷管壳上形成有通孔，所述高温共烧陶瓷管壳内设有将所述通孔分隔成两个凹槽的低温共烧陶瓷介质，所述腔体包括所述凹槽以及封装在所述凹槽敞口端的金属盖板。
6.根据权利要求5所述一种电绝缘的多腔封装结构，其特征在于，位于所述腔体内的金属线圈采用铜或铝制成，位于所述低温共烧陶瓷介质中的金属线圈采用铜或银制成。
7.根据权利要求1至6任一项所述一种电绝缘的多腔封装结构，其特征在于，所述腔体中设有集成电路芯片，所述集成电路芯片与实现相邻腔体之间能量传输的所述变压器耦合传输结构连接，所述集成电路芯片上连接有与外部实现通信的外封装引线。
8.根据权利要求7所述一种电绝缘的多腔封装结构，其特征在于，位于腔体内的金属线圈固定在对应的集成电路芯片顶部，固定有所述金属线圈的集成电路芯片顶部通过绝缘胶粘合在腔体底壁上。
9.根据权利要求1至6、8任一项所述一种电绝缘的多腔封装结构，其特征在于，相邻两个腔体上下布置或左右并排布置；所述金属线圈通过隔离材料粘合在所述腔体中。
10.根据权利要求1至4任一项所述一种电绝缘的多腔封装结构，其特征在于，位于所述腔体内的金属线圈采用铜或铝制成，位于所述高温共烧陶瓷介质中的金属线圈采用钨制成。
技术总结