本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术：
随着显示技术的发展，为了实现较高屏占比，一系列异形显示屏应运而生。如，目前较为流行的“刘海屏”、“水滴屏”和“打孔屏”。
其中，“打孔屏”是指显示区包括物理孔的显示屏，该物理孔所在区域也可以称为开孔区，该显示区还包括围绕开孔区的隔离区，以及围绕隔离区的像素区。为了保证封装良率，该隔离区内一般会设置隔离柱(pillar)和阻挡坝(dam)等由金属材料制成的金属图案。并且，为了在实现触控的基础上，尽可能的减薄显示屏包括的显示基板的厚度，相关技术中还可以在显示基板中封装薄膜远离衬底基板的一侧，设置由金属材料制成的多层薄膜触控图案。
但是，由于隔离区内包括由金属材料制成的金属图案，且制成mloc的材料也为金属材料，因此可能导致该隔离区的容值与像素区的容值存在差异，进而导致在该隔离区进行触控时触控失效的问题。
技术实现要素：
本公开提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中因容值差异较大而导致隔离区发生触控失效的问题，所述技术方案如下：
一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：衬底基板，所述衬底基板具有开孔区、围绕所述开孔区的隔离区以及围绕所述隔离区的像素区；
一个或多个金属图案，位于所述隔离区，且每个所述金属图案在所述衬底基板上的正投影呈闭合的环形；
多层薄膜触控图案，位于所述像素区和所述隔离区，且位于所述一个或多个金属图案远离所述衬底基板的一侧；
一条或多条第一连接线，每条所述第一连接线的一端与所述多层薄膜触控图案中位于所述隔离区的部分或至少一个所述金属图案连接，每条所述第一连接线的另一端与屏蔽电源端连接。
可选的，每条所述第一连接线与其所连接的图案同层设置，且材料相同。
可选的，每条所述第一连接线的一端与所述多层薄膜触控图案中位于所述隔离区的部分连接。
可选的，所述多层薄膜触控图案包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠的第一金属子图案和第二金属子图案；
每条所述第一连接线的一端与所述第一金属子图案和所述第二金属子图案中的至少一个金属子图案位于所述隔离区的部分连接。
可选的，所述第一金属子图案和所述第二金属子图案中的每个所述金属子图案均包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠的多层金属层；
所述第二金属子图案包括的多层金属层中，远离所述衬底基板一侧的一层金属层的材料包括：氧化钼。
可选的，所述衬底基板还具有非显示区；所述显示基板还包括：位于所述非显示区的一个或多个选择电路；
每个所述选择电路分别与第一控制信号端、第二控制信号端、检测信号端、所述屏蔽电源端和一条所述第一连接线连接，所述检测信号端用于连接裂纹检测设备；
每个所述选择电路用于响应于所述第一控制信号端提供的控制信号，控制其所连接的所述第一连接线与所述检测信号端的通断状态，以及用于响应于所述第二控制信号端提供的控制信号，控制其所连接的所述第一连接线与所述屏蔽电源端的通断状态。
可选的，每个所述选择电路包括：第一选择晶体管和第二选择晶体管；
所述第一选择晶体管的栅极与所述第一控制信号端连接，所述第二选择晶体管的栅极与所述第二控制信号端连接，所述第一选择晶体管的第一极和所述第二选择晶体管的第一极与一条所述第一连接线连接，所述第一选择晶体管的第二极与所述检测信号端连接，所述第二选择晶体管的第二极与所述屏蔽电源端连接。
可选的，所述显示基板包括：两条所述第一连接线，以及与所述两条所述第一连接线一一对应连接的两个所述选择电路。
可选的，所述显示基板还包括：一条或多条第二连接线；
每条所述第二连接线的一端与所述多层薄膜触控图案中位于所述隔离区的部分连接，每条所述第二连接线的另一端与检测信号端连接，所述检测信号端用于连接裂纹检测设备。
可选的，每条所述第二连接线与所述多层薄膜触控图案同层设置，且材料相同。
可选的，所述显示基板包括：位于所述隔离区且沿远离所述像素区的方向依次间隔排布的一个或多个隔离柱，所述一个或多个金属图案包括：所述一个或多个隔离柱。
可选的，所述显示基板还包括：位于所述隔离柱远离所述像素区一侧的一个或多个阻挡坝，所述一个或多个金属图案还包括：所述一个或多个阻挡坝中的金属层。
可选的，每个所述金属图案在所述衬底基板上的正投影的形状，与所述开孔区在所述衬底基板上的正投影的形状相同。
另一方面，提供了一种显示基板的制造方法，用于制造如上述方面所述的显示基板，所述方法包括：
提供衬底基板，所述衬底基板具有开孔区、围绕所述开孔区的隔离区以及围绕所述隔离区的像素区；
在所述隔离区，且在所述衬底基板的一侧形成一个或多个金属图案，每个所述金属图案在所述衬底基板上的正投影呈闭合的环形；
在所述像素区和所述隔离区，且在所述一个或多个金属图案远离所述衬底基板一侧形成多层薄膜触控图案；
形成一条或多条第一连接线，设置每条所述第一连接线的一端与所述多层薄膜触控图案中位于所述隔离区的部分或至少一个所述金属图案连接，并设置每条所述第一连接线的另一端与屏蔽电源端连接。
又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示基板的驱动电路，以及如上述方面所述的显示基板，所述显示基板的驱动电路与所述显示基板中的像素连接。
本公开提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本公开实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置。该显示基板包括位于隔离区的金属图案，位于隔离区和像素区的多层薄膜触控图案，以及第一连接线。由于第一连接线可以将多层薄膜触控图案位于隔离区的部分或金属图案与屏蔽电源端连接，因此可以通过设置该屏蔽电源端提供的电源信号的电位为低电位，实现对多层薄膜触控图案自身电容的屏蔽，或，实现对金属图案与多层薄膜触控图案形成的寄生电容的屏蔽。有效缩小了隔离区和像素区的容值差异，进而可靠避免了隔离区发生触控失效的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种打孔屏的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的一种打孔屏的截面图；
图3是本公开实施例提供的一种正常显示屏的电容数量示意图；
图4是相关技术中的一种打孔屏的电容数量示意图；
图5是本公开实施例提供的一种打孔屏的电容数量示意图；
图6是本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图7是本公开实施例提供的一种显示基板的俯视图；
图8是本公开实施例提供的一种显示基板开孔区和隔离区的放大示意图；
图9是本公开实施例提供的另一种显示基板的俯视图；
图10是本公开实施例提供的另一种开孔区和隔离区的放大示意图；
图11是本公开实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图12是本公开实施例提供的多层薄膜触控图案的结构示意图；
图13是本公开实施例提供的又一种显示基板的俯视图；
图14是本公开实施例提供的一种选择电路的结构示意图；
图15是本公开实施例提供的另一种选择电路的结构示意图；
图16是本公开实施例提供的再一种显示基板的俯视图；
图17是本公开实施例提供的再一种显示基板的俯视图；
图18是本公开实施例提供的一种显示基板的制造方法流程图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种打孔屏的结构示意图，图2是本公开实施例提供的打孔屏在mm'方向上的截面图。结合图1和图2可以看出，打孔屏是一种显示区具有物理孔k1的显示屏，该物理孔k1可以通过激光切割的方式形成。由于可以将一些硬件结构，如图2示出的摄像头设置于该物理孔k1的下方，因此打孔屏的屏占比相对于普通显示屏的屏占比较高。可选的，该物理孔k1的形状可以为图1示出的圆形，或者，该物理孔k1也可以为其他形状，如方形或椭圆形，本公开实施例对此不做限定。
由于在切割形成物理孔时，可能会造成空气中的水汽和氧气等杂质侵入像素区，因此为了确保打孔屏的良率，物理孔所在打孔区和像素区之间一般会设置隔离区，该隔离区内一般会设置有多个围绕物理孔且由金属材料制成的隔离柱和/或阻挡坝等结构，来实现对水氧的隔离。另外，为了在实现触控的基础上尽可能的减薄显示屏厚度，一般还会在封装薄膜远离衬底基板的一侧形成由金属材料制成的多层薄膜触控图案。可选的，该衬底基板可以为玻璃基板或者还可以为柔性衬底基板，本公开实施例均以该衬底基板为柔性衬底基板为例进行说明。在该衬底基板为柔性衬底基板时，包括该多层薄膜触控图案的显示屏也可以称为柔性多层外嵌式显示屏((flexiblemulti-layeroncell，fmloc)。
但是，由于隔离柱和/或阻挡坝等由金属材料制成的结构会与fmloc相互作用形成寄生电容，而fmloc包括的多层金属一般也会形成电容，因此结合图3和图4，打孔屏(图4)相对于没有物理孔的正常显示屏(图3)而言，隔离区所在区域的电容值相对于像素区的电容值即会较大，该容值差异可能会造成隔离区存在跳电或触控失效等风险。图3和图4以隔离区包括的电容c1数量为例对隔离区电容值增大现象进行示意性说明。本公开实施例提供了一种显示基板，参考图5，该显示基板可以通过将上述提到的寄生电容和/或fmloc自身形成的电容c1与屏蔽电源端v1连接，来实现对隔离区电容值的屏蔽，从而缩小隔离区和像素区容值差异，避免触控失效或其他风险。
图6是本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图。图7是本公开实施例提供的一种显示基板的俯视图。结合图6和图7可以看出，该显示基板可以包括：衬底基板01，且该衬底基板01可以具有开孔区a1、围绕开孔区a1的隔离区a2以及围绕隔离区a2的像素区a3。
图8是本公开实施例提供的一种显示基板开孔区局部放大示意图。结合图6至图8可以看出，该显示基板还可以包括：一个或多个金属图案02，该一个或多个金属图案02可以位于隔离区a2中。且每个金属图案02在衬底基板01上的正投影呈闭合的环形。其中，图6和图7仅示意性示出了一个金属图案02，图8示意性示出了两个金属图案02，且图8还示出了其他走线。
继续参考图6，该显示基板还可以包括：多层薄膜触控图案03(即fmloc)。该多层薄膜触控图案03可以位于像素区a3和隔离区a2，且可以位于一个或多个金属图案02远离衬底基板01的一侧。
图9是本公开实施例提供的另一种显示基板的俯视图，图10是本公开实施例提供的一种显示基板的俯视图放大图。结合图6至图10，该显示基板还可以包括：一条或多条第一连接线l1。每条第一连接线l1的一端可以与多层薄膜触控图案03中位于隔离区a2的部分连接，或，与至少一个金属图案02连接，每条第一连接线l1的另一端与屏蔽电源端v1连接。
例如，参考图9和图10，其示出的显示基板包括两条第一连接线l1，且每条第一连接线l1的一端均与多层薄膜触控图案03位于隔离区a2的部分连接。可选的，该屏蔽电源端v1可以为地端gnd，或者，该屏蔽电源端v1可以为提供较低电位的低电平电源端vgl。结合图9，本公开实施例均以该屏蔽电源端v1为地端gnd为例进行说明。
综上所述，本公开实施例提供了一种显示基板。该显示基板包括位于隔离区的金属图案，位于隔离区和像素区的多层薄膜触控图案，以及第一连接线。由于第一连接线可以将多层薄膜触控图案位于隔离区的部分或金属图案与屏蔽电源端连接，因此可以通过设置该屏蔽电源端提供的电源信号的电位为低电位，实现对多层薄膜触控图案自身电容的屏蔽，或，实现对金属图案与多层薄膜触控图案形成的寄生电容的屏蔽。有效缩小了隔离区和像素区的容值差异，进而可靠避免了隔离区发生触控失效的问题。
可选的，每条第一连接线l1与其所连接的图案可以同层设置，且材料相同。也即是，每条第一连接线l1可以与其所连接的图案通过一次构图工艺形成，避免增加制造成本和制造工艺的复杂度。
例如，结合上述图9，其示出的每条第一连接线l1的一端与多层薄膜触控图案03中位于隔离区a2的部分连接。相应的，每条第一连接线l1即可以与该多层薄膜触控图案03同层设置，且可以与该多层薄膜触控图案03的材料相同
图11是本公开实施例提供的另一种显示基板的结构示意图。如图11所示，该显示基板还可以包括：位于衬底基板01与金属图案02之间的无机层04。位于像素区a3且呈阵列排布的多个像素(图中未示出)，每个像素包括多个薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)，tft可以为顶栅型、底栅型或双栅型。另，该像素区a3还可以包括覆盖多个像素且依次层叠的平坦层(planarization，layer，pln)05和像素介定层(pixeldefinitionlayer，pdl)06。位于金属图案02远离衬底基板01一侧的钝化层07，参考图9，该钝化层07可以覆盖金属图案02。以及位于钝化层07远离衬底基板01一侧且依次层叠的无机膜层、有机膜层和无机膜层，该无机膜层、有机膜层和无机膜层共同构成封装薄膜08。多层薄膜触控图案03一般位于封装薄膜远离衬底基板01的一侧，即一般将触控电极制作到柔性封装薄膜上方，来减薄厚度。
结合图11，由于多层薄膜触控图案03一般设置于封装薄膜远离衬底基板01的一侧，且该多层薄膜触控图案03远离衬底基板01的一侧无其他膜层结构，而该金属图案02一般位于封装薄膜与衬底基板01之间，若第一连接线l1与该金属图案02连接，可能需要跨越较多膜层，布线较为复杂，成本较高。因此，通过该连接方式，在有效避免容值差异较大的前提下，简化了布线工艺，节省了成本，且避免了对封装薄膜和衬底基板之间的其他膜层造成信号干扰的问题。
图12是本公开实施例提供的一种多层薄膜触控图案的结构示意图。如图12所示，多层薄膜触控图案03可以包括沿远离衬底基板01方向依次层叠的第一金属子图案031(metal1)和第二金属子图案032(metal2)。
可选的，每条第一连接线l1的一端可以与第一金属子图案031和第二金属子图案032中的至少一个金属子图案位于隔离区a2的部分连接。
可选的，本公开实施例提供的第一金属子图案031和第二金属子图案032的每个金属子图案均可以包括沿远离衬底基板01方向依次层叠的多层金属层，且第二金属子图案032包括的多层金属层中，远离衬底基板01一侧的一层金属层的材料可以包括：氧化钼(moox)。
示例的，结合图12，第一金属子图案031和第二金属子图案032均包括三层金属层。假设沿远离衬底基板01方向每个金属子图案包括的三层金属层依次为第一金属层、第二金属层和第三金属层。则第一金属子图案031包括的第一层金属层和第三层金属层的材料可以为钛(ti)，第二层金属层的材料可以为铝(al)。第二金属子图案031包括的第一层金属层的材料可以为钛，第二层金属层的材料可以为铝(al)，第三层金属层的材料可以为moox。由于氧化钼具有较好的防漏光和防反射效果，因此采用氧化钼材料制成最后一层金属层，可以实现对物理孔附近出现的侧面漏光问题，保证显示效果。
需要说明的是，由于在切割形成物理孔时，多层薄膜触控图案03位于隔离区的部分可能会发生裂纹，因此本公开实施例还可以通过将多层薄膜触控图案03通过检测信号端连接至裂纹检测设备，实现对多层薄膜触控图案03是否出现裂纹的检测，保证产品良率。
作为一种可选的实现方式：图13是本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。如图13所示，该衬底基板01还可以具有非显示区。且，该显示基板还可以包括：位于非显示区的一个或多个选择电路10。例如，参考图13，其示出的显示基板包括：两条第一连接线l1，以及与两条第一连接线l1一一对应连接的两个选择电路10。
图14是本公开实施例提供的选择电路的结构示意图。结合图14可以看出，每个选择电路10可以分别与第一控制信号端con1、第二控制信号端con2、检测信号端pcd、屏蔽电源端v1和一条第一连接线l1连接，检测信号端pcd用于连接裂纹检测设备。
每个选择电路10可以响应于第一控制信号端con1提供的控制信号，控制其所连接的第一连接线l1与检测信号端pcd的通断状态，以及可以响应于第二控制信号端con2提供的控制信号，控制其所连接的第一连接线l1与屏蔽电源端v1的通断状态。
示例的，每个选择电路10可以在第一控制信号端con1提供的控制信号的电位为有效电位时，控制其所连接的第一连接线l1与检测信号端pcd导通；以及在第一控制信号端con1提供的控制信号的电位为无效电位时，控制其所连接的第一连接线l1与检测信号端pcd断开连接。同理，每个选择电路10可以在第二控制信号端con2提供的控制信号的电位为有效电位时，控制其所连接的第一连接线l1与屏蔽电源端v1导通；以及在第二控制信号端con2提供的控制信号的电位为无效电位时，控制其所连接的第一连接线l1与屏蔽电源端v1断开连接。可选的，有效电位相对于无效电位可以为高电位。
相应的，在本公开实施例中，仅设置第一连接线l1，并通过灵活调整第一控制信号端con1和第二控制信号端con2提供的控制信号的电位，即可以实现电容值屏蔽和裂纹检测双重功能。如，一般在产品生产测试时，可以通过选择电路10导通第一连接线l1与检测信号端pcd，而断开第一连接线l1与屏蔽电源端v1的连接，实现检测功能，保证生产良率。而在产品测试完成，准备出厂时，可以直接通过选择电路导通第一连接线l1与屏蔽电源端v1，而断开第一连接线l1与检测信号端pcd的连接，实现电容屏蔽，避免触控失效风险。
图15是本公开实施例提供的另一种选择电路10的结构示意图。如图15所示，每个选择电路10可以包括：第一选择晶体管m1和第二选择晶体管m2。
第一选择晶体管m1的栅极可以与第一控制信号端con1连接，第二选择晶体管m2的栅极可以与第二控制信号端con2连接。第一选择晶体管m1的第一极和第二选择晶体管m2的第一极可以与一条第一连接线l1连接，第一选择晶体管m1的第二极可以与检测信号端pcd连接，第二选择晶体管m2的第二极可以与屏蔽电源端v1连接(如图15示出的地端gnd)。
需要说明的是，第一选择晶体管m1和第二选择晶体管m2的类型可以相同，也可以不同，即该两个选择晶体管可以均为p型晶体管或n型晶体管；或者，该两个选择晶体管中一个选择晶体管可以为n型晶体管，相应的，另一个选择晶体管即为p型晶体管。由于不同类型的晶体管正好响应相反的信号工作，因此，在类型不同时，可以仅包括一个控制信号端。即每个选择电路10可以与同一个控制信号端连接。
作为另一种可选的实现方式：图16是本公开实施例提供的另一种显示基板的俯视图。如图16所示，该显示基板还可以包括：一条或多条第二连接线l2。例如，图16示出了两条第二连接线l2。
每条第二连接线l2的一端可以与多层薄膜触控图案03中位于隔离区a2的部分连接，每条第二连接线l2的另一端可以与检测信号端pcd连接。该检测信号端pcd可以用于连接裂纹检测设备。由于通过该检测信号端pcd可以实现对裂纹的检测，因此该检测信号端pcd也可以称为显示基板裂纹检测(panelcrackdefect)信号端。例如，该裂纹检测设备可以为万用表，相应的，可以通过检测信号端pcd检测多层薄膜触控图案03上的电阻来判断是否出现裂纹。
可选的，每条第二连接线l2可以与多层薄膜触控图案03同层设置，且材料相同。也即是，每条第二连接线l2可以与其所连接的图案(如金属图案或fmloc)通过一次构图工艺形成，避免增加制造成本和制造工艺的复杂度。
图17是本公开实施例提供的再一种显示基板的俯视图。如图17所示，其除了示出第一连接线l1之外，还示出了显示基板包括的横向走线(如栅线)、竖向走线(如数据线)、连接线(如第一连接线l1)以及物理孔等结构。
可选的，参考图11，该显示基板还可以包括：位于隔离区a2且沿远离像素区a3的方向依次间隔排布的一个或多个隔离柱pl。相应的，该一个或多个金属图案02可以包括：一个或多个隔离柱。例如，图11共示出了两个pl。
可选的，每个隔离柱pl可以包括沿远离衬底基板01依次层叠的三层金属层，且靠近衬底基板01一侧的金属层在衬底基板01上的正投影，以及远离衬底基板01一侧的金属层在衬底基板01上的正投影，均完全覆盖中间层金属层在衬底基板01上的正投影。靠近衬底基板01一侧的金属层的材料，以及远离衬底基板01一侧的金属层的材料一般均为ti，中间层金属层的材料一般为al。
可选的，参考图11，该显示基板还可以包括：位于隔离柱远离像素区a3一侧的一个或多个阻挡坝。相应的，一个或多个金属图案02还可以包括：一个或多个阻挡坝中的金属层。
需要说明的是，在包括多个阻挡坝时，靠近像素区a3的一个或多个阻挡坝可以用于有效防止在形成封装薄膜包括的无机膜层时，无机材料流出造成封装失效的问题；靠近开孔区a1的一个或多个阻挡坝可以用于有效防止因外侧碰撞因素出现的裂纹向像素区延伸，进而避免水氧等杂质侵入像素区内，靠近开孔区a1的阻挡坝也可以称为裂缝坝(crackdam)。可选的，一般可以通过喷墨打印方式(inkjetprinting，ijp)方式形成无机膜层。
例如，参考图11，其示出的显示基板共包括五个dam，靠近像素区a3的两个dam可以用于防止无机材料流出造成封装失效的问题。靠近开孔区a1的三个dam可以用于防止因外侧碰撞因素出现的裂纹向像素区延伸的问题。
可选的，本公开实施例记载的每个金属图案02在衬底基板01上的正投影的形状，与开孔区a1在衬底基板01上的正投影的形状可以相同。
综上所述，本公开实施例提供了一种显示基板。该显示基板包括位于隔离区的金属图案，位于隔离区和像素区的多层薄膜触控图案，以及第一连接线。由于第一连接线可以将多层薄膜触控图案位于隔离区的部分或金属图案与屏蔽电源端连接，因此可以通过设置该屏蔽电源端提供的电源信号的电位为低电位，实现对多层薄膜触控图案自身电容的屏蔽，或，实现对金属图案与多层薄膜触控图案形成的寄生电容的屏蔽。有效缩小了隔离区和像素区的容值差异，进而可靠避免了隔离区发生触控失效的问题。
图18是本公开实施例提供的一种显示基板的制造方法流程图，可以用于制造如图6、图7、图9、图11、图13、图16和图17任一所示的显示基板。如图18所示，该方法可以包括：
步骤1801、提供衬底基板。
在本公开实施例中，参考图6至图10，该衬底基板可以具有开孔区a1、围绕开孔区a1的隔离区a2以及围绕隔离区a2的像素区a3。
步骤1802、在隔离区，且在衬底基板的一侧形成一个或多个金属图案。
可选的，参考图7和图8，每个金属图案02在衬底基板上的正投影可以呈闭合的环形。可选的，可以通过构图工艺在衬底基板的一侧形成一个或多个金属图案。其中构图工艺可以包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
步骤1803、在像素区和隔离区，且在一个或多个金属图案远离衬底基板一侧形成多层薄膜触控图案。
可选的，可以采用化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)的方式在一个或多个金属图案远离衬底基板一侧形成多层薄膜触控图案。
例如，结合图11，可以先采用cvd方式和ijp方式在金属图案02远离衬底基板01的一侧形成封装薄膜08，然后再采用cvd方式在封装薄膜08远离衬底基板01的一侧形成多层薄膜触控图案03。
步骤1804、形成一条或多条第一连接线，设置每条第一连接线的一端与多层薄膜触控图案中位于隔离区的部分或至少一个金属图案连接，并设置每条第一连接线的另一端与屏蔽电源端连接。
可选的，可以采用相同材料，通过一次构图工艺在形成多层薄膜触控图案中位于隔离区的部分或至少一个金属图案时，同时形成该一条或多条第一连接线，即该第一连接线与其所连接的图案可以同层设置。
例如，参考图11和图13，可以采用形成多层薄膜触控图案03的材料，通过一次构图工艺在形成该多层薄膜触控图案03的同时，形成与该多层薄膜触控图案03位于隔离区的部分连接的两条第一连接线l1。
需要说明的是，结合图12，多层薄膜触控图案03一般包括第一金属子图案031和第二金属子图案032，本公开实施例形成的每条第一连接线l1可以与至少一个金属子图案连接。且为了防止物理孔处发生漏光现象，可以采用具有防反射和防漏光功能的氧化钼材料形成第二金属子图案032远离衬底基板一侧的金属层。
由于物理孔一般是通过激光切割形成，因此为了有效检测fmloc位于隔离区的部分是否发生裂纹，本公开实施例提供了下述两种实现方式：
作为一种可选的实现方式，可以在衬底基板的非显示区形成一个或多个选择电路。然后，仅形成一条或多条第一连接线，并设置选择电路将每条第一连接线与屏蔽电源端v1和检测信号端pcd连接，以通过选择电路灵活控制第一连接线与屏蔽电源端v1和检测信号端pcd的通断状态。
可选的，参考图14和图15，形成的该选择电路可以在第一控制信号端con1和第二控制信号端con2提供的控制信号的控制下，控制一条第一连接线l1与屏蔽电源端v1和检测信号端pcd的通断状态。
示例的，以图15示出的选择电路，且选择电路包括的两个晶体管均为n型晶体管为例，对控制原理进行介绍：
例如，在显示基板测试时，向第一控制信号端con1提供处于高电位的控制信号，向第二控制信号端con2提供处于低电位的控制信号。此时，第一晶体管m1开启，第二晶体管m2关断。第一晶体管m1将第一连接线l1与检测信号端pcd导通，而第一连接线l1与屏蔽电源端gnd断开连接。相应的，即可以通过该检测信号端pcd可靠实现对多层薄膜触控图案03是否出现裂纹的检测。
在显示基板测试完成出厂时，向第一控制信号端con1提供处于低电位的控制信号，向第二控制信号端con2提供处于高电位的控制信号。此时，第一晶体管m1关断，第二晶体管m2开启。第二晶体管m2将第一连接线l1与屏蔽电源端gnd导通，且第一连接线l1与检测信号端pcd断开连接。相应的，即可以通过该屏蔽电源端gnd可靠实现对隔离区电容值的屏蔽。
作为另一种可选的实现方式：结合图16，可以再形成一条或多条第二连接线l2，将多层薄膜触控图案03位于隔离区的部分通过该第二连接线l2，连接至用于连接裂纹检测设备的检测信号端，实现裂纹检测。可选的，为了避免增加工艺难度和节省成本，可以采用与多层薄膜触控图案03相同的材料，通过一次构图工艺，在形成多层薄膜触控图案03的同时，形成该第二连接线l2。
需要说明的是，结合图11，本公开实施例提供的显示基板可以包括隔离柱和阻挡坝，上述提到的金属图案可以为该隔离柱，和/或，可以为阻挡坝包括的金属层。另外，形成的每个金属图案在衬底基板上的正投影的形状，可以与开孔区在衬底基板上的正投影的形状相同。
综上所述，本公开实施例提供了一种显示基板的制造方法。由该方法制造的显示基板包括位于隔离区的金属图案，位于隔离区和像素区的多层薄膜触控图案，以及第一连接线。由于第一连接线可以将多层薄膜触控图案位于隔离区的部分或金属图案与屏蔽电源端连接，因此可以通过设置该屏蔽电源端提供的电源信号的电位为低电位，实现对多层薄膜触控图案自身电容的屏蔽，或，实现对金属图案与多层薄膜触控图案形成的寄生电容的屏蔽。有效缩小了隔离区和像素区的容值差异，进而可靠避免了隔离区发生触控失效的问题。
可选的，本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括显示基板的驱动电路，以及如图6、图7、图9、图11、图13、图16和图17任一所示的显示基板。该显示基板的驱动电路可以与显示基板中的像素连接，用于驱动像素发光。可选的，该显示装置可以为：有源矩阵有机发光二极管(active-matrixorganiclight-emittingdiode，amoled)显示装置、电子纸、oled显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本公开实施例中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。本公开实施例中的术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开实施例，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开实施例的保护范围之内。
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：
衬底基板，所述衬底基板具有开孔区、围绕所述开孔区的隔离区以及围绕所述隔离区的像素区；
一个或多个金属图案，位于所述隔离区，且每个所述金属图案在所述衬底基板上的正投影呈闭合的环形；
多层薄膜触控图案，位于所述像素区和所述隔离区，且位于所述一个或多个金属图案远离所述衬底基板的一侧；
一条或多条第一连接线，每条所述第一连接线的一端与所述多层薄膜触控图案中位于所述隔离区的部分或至少一个所述金属图案连接，每条所述第一连接线的另一端与屏蔽电源端连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每条所述第一连接线与其所连接的图案同层设置，且材料相同。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每条所述第一连接线的一端与所述多层薄膜触控图案中位于所述隔离区的部分连接。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述多层薄膜触控图案包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠的第一金属子图案和第二金属子图案；
每条所述第一连接线的一端与所述第一金属子图案和所述第二金属子图案中的至少一个金属子图案位于所述隔离区的部分连接。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一金属子图案和所述第二金属子图案中的每个所述金属子图案均包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠的多层金属层；
所述第二金属子图案包括的多层金属层中，远离所述衬底基板一侧的一层金属层的材料包括：氧化钼。
6.根据权利要求3至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述衬底基板还具有非显示区；所述显示基板还包括：位于所述非显示区的一个或多个选择电路；
每个所述选择电路分别与第一控制信号端、第二控制信号端、检测信号端、所述屏蔽电源端和一条所述第一连接线连接，所述检测信号端用于连接裂纹检测设备；
每个所述选择电路用于响应于所述第一控制信号端提供的控制信号，控制其所连接的所述第一连接线与所述检测信号端的通断状态，以及用于响应于所述第二控制信号端提供的控制信号，控制其所连接的所述第一连接线与所述屏蔽电源端的通断状态。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，每个所述选择电路包括：第一选择晶体管和第二选择晶体管；
所述第一选择晶体管的栅极与所述第一控制信号端连接，所述第二选择晶体管的栅极与所述第二控制信号端连接，所述第一选择晶体管的第一极和所述第二选择晶体管的第一极与一条所述第一连接线连接，所述第一选择晶体管的第二极与所述检测信号端连接，所述第二选择晶体管的第二极与所述屏蔽电源端连接。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：两条所述第一连接线，以及与所述两条所述第一连接线一一对应连接的两个所述选择电路。
9.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：一条或多条第二连接线；
每条所述第二连接线的一端与所述多层薄膜触控图案中位于所述隔离区的部分连接，每条所述第二连接线的另一端与检测信号端连接，所述检测信号端用于连接裂纹检测设备。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，每条所述第二连接线与所述多层薄膜触控图案同层设置，且材料相同。
11.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：位于所述隔离区且沿远离所述像素区的方向依次间隔排布的一个或多个隔离柱，所述一个或多个金属图案包括：所述一个或多个隔离柱。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述隔离柱远离所述像素区一侧的一个或多个阻挡坝，所述一个或多个金属图案还包括：所述一个或多个阻挡坝中的金属层。
13.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，每个所述金属图案在所述衬底基板上的正投影的形状，与所述开孔区在所述衬底基板上的正投影的形状相同。
14.一种显示基板的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1至13任一所述的显示基板，所述方法包括：
提供衬底基板，所述衬底基板具有开孔区、围绕所述开孔区的隔离区以及围绕所述隔离区的像素区；
在所述隔离区，且在所述衬底基板的一侧形成一个或多个金属图案，每个所述金属图案在所述衬底基板上的正投影呈闭合的环形；
在所述像素区和所述隔离区，且在所述一个或多个金属图案远离所述衬底基板一侧形成多层薄膜触控图案；
形成一条或多条第一连接线，设置每条所述第一连接线的一端与所述多层薄膜触控图案中位于所述隔离区的部分或至少一个所述金属图案连接，并设置每条所述第一连接线的另一端与屏蔽电源端连接。
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：显示基板的驱动电路，以及如权利要求1至13任一所述的显示基板，所述显示基板的驱动电路与所述显示基板中的像素连接。
技术总结