本发明涉及存储器技术领域，尤其是涉及一种flash存储器管理方法。
背景技术：
一般高级的单片机系统中，直接使用emmc、ufs或其他带控制器管理的存储方案，且上层使用文件系统，比如手机、平板等，对于微单片机系统来说，考虑成本及系统复杂度的原因，大多直接采用mcu内部或片外的flash作为数据存储器，虽然硬件方案简单，但是如果直接通过固定地址存储对flash进行读写不能保证磨损均衡，影响flash使用寿命，而且如果系统随机掉电可能会导致数据丢失。若直接使用双页备份，每次写入需要都要擦除一页，对于数据量不大的情况下，存储密度和效率都比较低而且对flash寿命影响较大。
技术实现要素：
本发明解决了flash存储器在擦除时磨损不均衡和系统随机掉电时数据丢失的问题，提出了一种flash存储器管理方法，能够简化应用的复杂程度，实现存储器均衡磨损和随机掉电数据不丢失，同时使用crc校验，保证数据的完整性和正确性。
为实现上述目的，本发明提供以下的技术方案：
一种flash存储器管理方法，包括以下过程：初始化flash存储器；写入数据时更新读逻辑地址；读取数据时提示读取状态。
初始化flash存储器的作用是找出存有最新有效数据的读逻辑地址，系统随机断电时，flash存储器无法调用，同时其读逻辑地址存有最新有效数据不会丢失；写入数据时更新读逻辑地址作用是保护数据，而写入数据时不断的更新读逻辑地址，将新的读逻辑地址内存有新的数据，同时此时系统发生随机断电，新的读逻辑地址已经存到flash存储器，数据不会发生丢失；同时在更新读逻辑地址还有判断flash存储器的存储页逻辑地址的环节，每次写入需要判断当前逻辑地址是否为存储页最后一条逻辑地址，若是才擦除下一页，比现有技术中每次写入都要擦除一页更加方便，简化了写入数据的过程。写入数据时更新读逻辑地址还有一个作用是，通过不断变更读逻辑地址存储对flash进行读写，flash存储器内部擦除区域不定，使得flash存储器均衡磨损，延长flash使用寿命。
作为优选，所述初始化flash存储器具体包括以下步骤：
s101：从定义的flash存储区逻辑地址0开始，依次向后查找是否存在status标记为空的存储单元，若是进行s102，若否进行s103；
s102：从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过crc16校验的存储单元，若是进行s104,若否进行s103；
s103：擦除整个flash存储器的存储区，设置定义flash存储器的存储区最大逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束；
s104：设置当前存储单元逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束。
作为优选，所述写入数据时更新读逻辑地址的具体过程包括以下步骤：
s201：判断写入数据与flash存储器内部读出的应用数据是否一致，若是直接结束，不写入flash存储器，若否进行s202；
s202：计算写入逻辑地址；
s203：判断写入逻辑地址是否为存储页page的最后一个，若是则擦除下一存储页page的数据，再进行s204；
s204：计算、校验、打包数据，写入flash存储器，并将写入逻辑地址作为新的读逻辑地址。
作为优选，在步骤s202中，计算写入逻辑地址公式为：
写入逻辑地址=（读逻辑地址 1）%总逻辑地址数。
作为优选，所述读取数据时提示读取状态的具体过程包括以下步骤：
s301：从当前读逻辑地址读取数据；
s302：判断数据是否存在通过crc16校验，若是则提示读取成功，若否则提示读取失败。
作为优选，在所述写入数据时更新读逻辑地址前先进行初始化flash存储器；在所述读取数据时提示读取状态前先进行初始化flash存储器。
作为优选，先进行初始化flash存储器，再进行写入数据时更新读逻辑地址，最后进行读取数据时提示读取状态。
本发明有以下有益效果：通过写入数据时更新读逻辑地址，保证系统随机断电数据不会丢失；判断写入逻辑地址是否为存储页page的最后一个，若是则擦除下一存储页page的数据，简化了写入数据的过程；通过不断变更读逻辑地址存储对flash进行读写，flash存储器内部擦除区域不定，使得flash存储器均衡磨损，延长flash使用寿命。
附图说明
图1是实施例中flash存储器的结构图。
图2是实施例中初始化flash存储器的流程图。
图3是实施例中写入数据时更新读逻辑地址的流程图。
图4是实施例中读取数据时提示读取状态的流程图。
其中：1、存储区2、存储页page3、最小存储读写单元pack。
具体实施方式
实施例：
本实施例提出一种flash存储器管理方法，包括以下过程：初始化flash存储器；写入数据时更新读逻辑地址；读取数据时提示读取状态。为方便说明，本实施例采用的flash存储器结构如下，参考图1，flash存储器的存储区1由m个存储页page2构成，其中m大于等于2，存储页page2由n个逻辑地址、n个最小存储读写单元pack3及字节不足最小存储读写单元pack3的dummy2部分，其中最小存储读写单元pack3包括集成的特殊标记部ststus、数据存储部data、校核部crc16和长度余数部dummy1。
存储页page2是flash存储器的最小擦除单元；当特殊标记部ststus定长为1个字节，当其标记为空时，最小存储读写单元pack3无存储数据；数据存储部data用于存储需要存储的数据，其字节不定长，根据需要进行配置；校核部crc16，定长两个字节，对数据进行crc16校核，通过crc16校核的数据为有效数据，反之为无效数据，crc16校核为本领域技术的常用技术，在此可以直接使用；长度余数部dummy1是存储区1最小编程长度余数，即status data crc16 dummy1必须为存储区1最小编程长度整数倍；dummy2部分为字节不足最小存储读写单元pack3的部分；最小编程长度为单次写入的字节数，本实施例中单次写入的字节数为一个字节；本实施例中n个逻辑地址标志逻辑地址0到逻辑地址n-1，对应n个最小存储读写单元pack3。
参考图,2，初始化flash存储器具体包括以下步骤：
s101：从定义的flash存储区1的逻辑地址0开始，依次向后查找是否存在status标记为空的最小存储读写单元pack3，若是进行s102，若否进行s103；
s102：从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过crc16校验的最小存储读写单元pack3，若是进行s104,若否进行s103；
s103：擦除整个flash存储器的存储区1，设置定义flash存储器的存储区1最大逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束，所述读逻辑地址为最新数据存储的最小存储读写单元pack3所对应的逻辑地址；
s104：设置当前最小存储读写单元pack3逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束。
参考图3，写入数据时更新读逻辑地址的具体过程包括以下步骤：
s201：判断写入数据与flash存储器内部读出的应用数据是否一致，若是直接结束，不写入flash存储器，若否进行s202；
s202：计算写入逻辑地址，计算写入逻辑地址公式为：
写入逻辑地址=（读逻辑地址 1）%总逻辑地址数；
s203：判断写入逻辑地址是否为存储页page的最后一个，若是则擦除下一存储页page2的数据，再进行s204；
s204：计算、校验、打包数据，写入flash存储器，并将写入逻辑地址作为新的读逻辑地址。
参考图4，读取数据时提示读取状态的具体过程包括以下步骤：
s301：从当前读逻辑地址读取数据；
s302：判断数据是否存在通过crc16校验，若是则提示读取成功，若否则提示读取失败。
本方法有两种工作状态：
a，在写入数据时更新读逻辑地址前先进行初始化flash存储器；在读取数据时提示读取状态前先进行初始化flash存储器。
b，先进行初始化flash存储器，再进行写入数据时更新读逻辑地址，最后进行读取数据时提示读取状态。
初始化flash存储器的作用是找出存有最新有效数据的读逻辑地址，系统随机断电时，flash存储器无法调用，同时其读逻辑地址存有最新有效数据不会丢失；写入数据时更新读逻辑地址作用是保护数据，而写入数据时不断的更新读逻辑地址，将新的读逻辑地址内存有新的数据，同时此时系统发生随机断电，新的读逻辑地址已经存到flash存储器，数据不会发生丢失；同时在更新读逻辑地址还有判断flash存储器的存储页逻辑地址的环节，每次写入需要判断当前逻辑地址是否为存储页最后一条逻辑地址，若是才擦除下一页，比现有技术中每次写入都要擦除一页更加方便，简化了写入数据的过程。写入数据时更新读逻辑地址还有一个作用是，通过不断变更读逻辑地址存储对flash进行读写，flash存储器内部擦除区域不定，使得flash存储器均衡磨损，延长flash使用寿命。
本发明有以下有益效果：通过写入数据时更新读逻辑地址，保证系统随机断电数据不会丢失；判断写入逻辑地址是否为存储页page的最后一个，若是则擦除下一存储页page的数据，简化了写入数据的过程；通过不断变更读逻辑地址存储对flash进行读写，flash存储器内部擦除区域不定，使得flash存储器均衡磨损，延长flash使用寿命。
1.一种flash存储器管理方法，其特征是，包括以下过程：初始化flash存储器；写入数据时更新读逻辑地址；读取数据时提示读取状态。
2.根据权利要求1所述的一种flash存储器管理方法，其特征是，所述初始化flash存储器具体包括以下步骤：
s101：从定义的flash存储区逻辑地址0开始，依次向后查找是否存在status标记为空的存储单元，若是进行s102，若否进行s103；
s102：从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过crc16校验的存储单元，若是进行s104,若否进行s103；
s103：擦除整个flash存储器的存储区，设置定义flash存储器的存储区最大逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束；
s104：设置当前存储单元逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束。
3.根据权利要求2所述的一种flash存储器管理方法，其特征是，所述写入数据时更新读逻辑地址的具体过程包括以下步骤：
s201：判断写入数据与flash存储器内部读出的应用数据是否一致，若是直接结束，不写入flash存储器，若否进行s202；
s202：计算写入逻辑地址；
s203：判断写入逻辑地址是否为存储页page的最后一个，若是则擦除下一存储页page的数据，再进行s204；
s204：计算、校验、打包数据，写入flash存储器，并将写入逻辑地址作为新的读逻辑地址。
4.根据权利要求3所述的一种flash存储器管理方法，其特征是，在步骤s202中，计算写入逻辑地址公式为：
写入逻辑地址=（读逻辑地址 1）%总逻辑地址数。
5.根据权利要求2所述的一种flash存储器管理方法，其特征是，所述读取数据时提示读取状态的具体过程包括以下步骤：
s301：从当前读逻辑地址读取数据；
s302：判断数据是否存在通过crc16校验，若是则提示读取成功，若否则提示读取失败。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种flash存储器管理方法，其特征是，在所述写入数据时更新读逻辑地址前先进行初始化flash存储器；在所述读取数据时提示读取状态前先进行初始化flash存储器。
7.根据权利要求1-5任一项所述的一种flash存储器管理方法，其特征是，先进行初始化flash存储器，再进行写入数据时更新读逻辑地址，最后进行读取数据时提示读取状态。
技术总结