本发明涉及发光元件，更详细地涉及含有氮化镓类半导体层的发光元件。
背景技术：
发光二极管为无机光源，广泛利用于与显示装置、车辆用灯、一般照明之类多个领域。发光二极管具有寿命长、消耗电力低、响应速度快等优点，从而正在迅速代替以往光源。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种光效率及光提取提高的发光元件。
本发明所要解决的技术问题并不局限于以上提及的技术问题，本领域技术人员可从以下的记载明确理解未提及的其他技术问题。
用于解决的问题的本发明实施例的发光元件包括：基板；多个凸出图案，配置于所述基板上，并包括第一层及第二层，所述第一层包含与构成所述基板的物质相同的物质，所述第二层包含与在所述第一层上构成所述基板的物质不同的物质；以及发光部，配置于所述基板的第一区域，配置于所述第一区域的凸出图案的高度与配置于第二区域的凸出图案的高度互不相同，所述第二区域包括所述第一区域与所述基板的外廓之间的区域。
根据实施例，可以是，配置于所述第一区域的凸出图案的第二层与配置于所述第二区域的凸出图案的第二层的高度不同。
根据实施例，可以是，所述发光元件还包括向所述基板的第二区域延伸的绝缘膜。
根据实施例，可以是，配置于所述第二区域的凸出图案与所述绝缘膜相接。
根据实施例，可以是，所述绝缘膜包括多个氧化硅层和多个氧化钛层交替层叠而成的分布式布拉格反射器(distributedbraggreflector)。
根据实施例，可以是，所述第二层包含氧化硅，与所述第二层相接的绝缘膜包括第一氧化硅层，在配置于所述第二区域的凸出图案的第一层上形成统一氧化硅层。
根据实施例，可以是，所述绝缘膜的第一氧化硅层在所述基板上具有第一厚度，从所述统一氧化硅层减去所述第一厚度的第二厚度为所述第二区域中所述凸出图案的第二层的高度。
根据实施例，可以是，配置于所述第一区域的凸出图案的第二层的高度小于配置于所述第二区域的凸出图案的第二层的高度。
根据实施例，可以是，，各个所述凸出图案具有随着远离所述基板逐渐变窄的宽度。
根据实施例，可以是，各个所述凸出图案的截面具有圆形并向一顶点收缩，各个所述凸出图案具有呈曲面的侧壁。
根据实施例，可以是，所述发光部包括在所述第一层与所述第二层的界面与所述第一层相接而成的第一空腔(void)。
根据实施例，可以是，所述发光部还包括形成于所述空腔与所述基板之间且尺寸小于所述第一空腔的第二空腔。
根据实施例，可以是，所述第二层的折射率大于所述第一层的折射率。
根据实施例，可以是，各个所述凸出图案的第二层包含通过等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapordeposition)工艺形成的氧化硅。
根据本发明的实施例的发光元件包括：基板；多个凸出图案，配置于所述基板上，并包括第一层及第二层，所述第一层包含与构成所述基板的物质相同的物质，所述第二层包含与在所述第一层上构成所述基板的物质不同的物质；第一发光单元，配置于所述基板的第一区域；以及第二发光单元，配置于所述基板的第二区域，配置于所述第一区域及所述第二区域的凸出图案各自的高度与配置于第三区域的凸出图案的高度不同，所述第三区域包括：所述第一区域与所述第二区域之间的区域；以及所述第一区域及所述第二区域各自与所述基板的外廓之间的区域。
根据实施例，可以是，在所述第一区域及所述第二区域分别配置的凸出图案的第二层与在所述第三区域配置的凸出图案的第二层的高度不同。
根据实施例，可以是，所述发光元件还包括在所述第一发光单元及所述第二发光单元上向所述基板的第三区域延伸的绝缘膜。
根据实施例，可以是，配置于所述第三区域的凸出图案与所述绝缘膜相接。
根据实施例，可以是，所述绝缘膜包括多个氧化硅层和多个氧化钛层交替层叠而成的分布式布拉格反射器。
其他实施例的具体事项包含在上述说明及附图。
根据本发明实施例的发光元件，在基板形成具有折射率不同的第一层及第二层的多个凸出图案，由此能够增加发光元件的光提取效率。另外，第二层包含sio2，并在基板的边缘与分布式布拉格反射器的sio2相粘接，由此粘接可靠性提高，能够防止在后续工艺中分布式布拉格反射器剥离。
附图说明
图1a为用于说明本发明一实施例的发光元件的俯视图。
图1b为将图1a的发光元件沿着a-a'截取的剖视图。
图1c为放大图1b的b部分的图。
图1d为用于说明图1a的基板的第一区域的俯视图。
图1e为放大图1c的c部分的图。
图2a为用于说明本发明另一实施例的发光元件的俯视图。
图2b为将图2a的发光元件沿着a-a'截取的剖视图。
图3a为用于说明本发明再另一实施例的发光元件的俯视图。
图3b为将图3a的发光元件沿着a-a'截取的剖视图。
图4至图9为用于说明制造本发明一实施例的发光元件的方法的剖视图。
附图标记说明
100：基板
prt1、prt2、prt：凸出图案
ly1-1、ly2-1、ly1：第一层
ly1-2、ly2-2、ly2：第二层
110：第一导电型半导体层
120：活性层
130：第二导电型半导体层
140：欧姆层
ms：台面结构物
具体实施方式
为了充分理解本发明的结构及效果，参照附图来说明本发明的优选实施例。但是，本发明并不局限于以下揭示的实施例，可以体现为多种形态并实施多种变更。
另外，只要并未定义，在本发明实施例中使用的术语可解释为与本技术领域中具有通常知识的人员通常所理解的。
以下，参照附图，详细说明本发明实施例的发光元件。
图1a为用于说明本发明一实施例的发光元件的俯视图，图1b为将图1a的发光元件沿着a-a'截取的剖视图，图1c为放大图1b的b部分的图，图1d为用于说明图1a的基板的第一区域的俯视图，图1e为放大图1c的c部分的图。
参照图1a至图1e，发光元件可包括基板100及发光部，该发光部配置于基板100的一面102。
基板100可以使用半导体单晶，例如用于氮化物单晶生长的生长用基板。基板100可以使用蓝宝石(al2o3)基板。但是，基板100的材料并不限于此，可以使用多种材料，例如sic、si、gaas、gan、zno、gap、inp、ge、ga2o3等材料。
根据一实施例，基板100通过图案化形成，在基板100的一面102可形成凸出图案prt1、prt2。凸出图案prt1、prt2可分别包括在基板100的一面102上依次配置的第一层ly1-1、ly2-1及第二层ly1-2、ly2-2。
第一层ly1-1、ly2-1可以与基板100形成为未分离的一体。第一层ly1-1、ly2-1可包含与基板100相同的物质。在本实施例中，可以是基板100包含蓝宝石，第一层ly1-1、ly2-1也包含蓝宝石。
第二层ly1-2、ly2-2可配置于第一层ly1-1、ly2-1上。第二层ly1-2、ly2-2可包含与第一层ly1-1、ly2-1不同的物质。第二层ly1-2、ly2-2可具有与第一层ly1-1、ly2-1不同的折射率。根据一实施例，第一层ly1-1、ly2-1的折射率可以大于第二层ly1-2、ly2-2的折射率。第二层ly1-2、ly2-2可包含折射率低于第一层ly1-1、ly2-1的折射率的物质，例如具有1.0至1.7的折射率的绝缘物质。例如，第二层ly1-2、ly2-2可包含sio2、sioxny及sinx中的一种。根据一实施例，第二层ly1-2、ly2-2可包含通过等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapordeposition：pevd)工艺形成的sio2。通过pevd工艺形成的sio2的结晶密度可能大于通过电子束(e-beam)工艺形成的sio2的结晶密度。
例如，在第一层ly1-1、ly2-1包含蓝宝石，第二层ly1-2、ly2-2包含sio2的情况下，第一层ly1-1、ly2-1的折射率为1.76，第二层ly1-2、ly2-2的折射率为1.46，因此可能小于基板100的折射率。
凸出图案prt1、prt2各个以从基板100的一面102凸出的形态形成。凸出图案越远离基板100，其宽度越减少。
根据一实施例，凸出图案可以是其剖面呈圆形并向一顶点收缩，且具有曲面状的侧壁。作为一例，凸出图案prt1、prt2可呈子弹形状(bulletshape)。
如上所述，在凸出图案prt1、prt2中，第一层ly1-1、ly2-1及第二层ly1-2、ly2-2各自包含不同的物质，凸出图案prt1、prt2的侧壁可在第一层ly1-1、ly2-1与第二层ly1-2、ly2-2之间的界面具有没有高度差(steppedportion)地连续的曲面。即，针对凸出图案prt1、prt2的侧壁接点的微分值(接点的倾斜值)可从顶点向下方没有拐点地连续增加。
作为另一例，凸出图案prt1、prt2可具有呈圆锥形状。在截面角度上，圆锥形状的凸出图案prt1、prt2可呈三角形结构。
凸出图案prt1、prt2可彼此有规则地隔开。与此不同，凸出图案prt1、prt2可无规则地隔开。根据一实施例，可在隔开的凸出图案prt1、prt2之间暴露基板100的一面102。
根据一实施例，在凸出图案prt1、prt2各个由蓝宝石一个物质形成的情况下，当仅对蓝宝石进行蚀刻来形成凸出图案时，在实现凸出图案的高度上有局限。因此，由第一层ly1-1、ly2-1及第二层ly1-2、ly2-2构成的各个凸出图案prt1、prt2的高度可能大于由蓝宝石单层构成的各个凸出图案prt1、prt2的高度。根据本实施例，凸出图案prt1、prt2具有高的高度，由此能够增加发光元件的光提取效率。另外，虽然各个凸出图案prt1、prt2的高度增加，但是各个凸出图案prt1、prt2的形状及相邻凸出图案prt1、prt2之间的间隔与以往相同，由此能够在无需变更后续外延工艺的情况下进行。
基板100可包括：第一区域ar1，配置有发光部；以及第二区域ar2，位于第一区域ar1与基板100的外廓104之间。作为一例，可以是第一区域ar1为基板100的中心区域，第二区域ar2为边缘区域。
根据一实施例，如图1c所示，凸出图案prt1、prt2可包括配置于基板100的第一区域ar1的第一凸出图案prt1和配置于第二区域ar2的第二凸出图案prt2。可以是各个第一凸出图案prt1具有第一高度ht1(height)，各个第二凸出图案prt2具有与第一高度ht1不同的第二高度ht2。可以是，各个第一凸出图案prt1的第一层ly1-1、ly2-1的高度ht1-1与各个第二凸出图案prt2的第一层ly1-1、ly2-1的高度ht2-1相同，各个第一凸出图案prt1的第二层ly1-2、ly2-2的高度ht1-2与各个第二凸出图案prt2的第二层ly1-2、ly2-2的高度ht2-2不同。作为一例，可以第一凸出图案prt1的第二层ly1-2、ly2-2的高度ht1-2大于第二凸出图案prt2的第二层ly1-2、ly2-2的高度ht2-2。
参照图1a及图1b，发光部可包括具有第一导电型半导体层110、活性层120、第二导电型半导体层130及欧姆层140的台面结构物ms。
根据一实施例，第一导电型半导体层110可覆盖基板100的第一区域ar来配置。台面结构物ms可以使第一导电型半导体层110的一部分暴露。第一导电型半导体层110及台面结构物ms各自可通过蚀刻工艺具有倾斜的侧面。
第一导电型半导体层110可配置于基板100的一面102。根据一实施例，第一导电型半导体层110可以在基板100的一面102覆盖第一凸出图案prt1来配置。为此，第一导电型半导体层110可以从在第一凸出图案prt1之间暴露的基板100的一面102外延生长(epitaxialgrowth)。在此情况下，第一导电型半导体层110可以向上方方向生长，以便完全覆盖各个第一凸出图案prt1的侧面及上面。根据一实施例，第一导电型半导体层110可以在与各个凸出图案的侧部相对应的位置形成多个空腔vd1、vd2(voids)。对其后述。
第一导电型半导体层110可以为掺杂第一导电性掺杂物的半导体层。第一导电型掺杂物可以为n型掺杂物。第一导电型掺杂物可包含si、ge、se、te及c中的一种。
根据一实施例，第一导电型半导体层110可包含氮化物类半导体材料。例如，第一导电型半导体层110可包含具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x y≤1)的组成式的半导体材料。在一实施例中，第一导电型半导体层110的氮化物类半导体材料可包含gan、aln、algan、ingan、inn、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp、algainp中的一种。第一导电型半导体层110可通过利用半导体材料生长为包含si、ge、sn、se及te中的一种n型掺杂物的方式来形成。
活性层120可提供于第一导电型半导体层110，并相当于发光层。活性层120可以为如下层：通过第一导电型半导体层110注入的电子(或空穴)与通过第二导电型半导体层130注入的空穴(或电子)碰撞而通过基于活性层120的形成物质的能量带(energyband)的带隙(bandgap)差释放光的层。活性层120可发出紫外线、蓝色、绿色及红色中的至少一种峰值波长的光。
活性层120可由化合物半导体实现。作为一例，活性层120可由第三族-第五族或第二族-第六族的化合物半导体中的至少一个实现。活性层120可采用量子阱结构，可具有量子阱层和势垒层交替层叠的多重量子阱结构(multiquantumwell)。但是，活性层120的结构并不限于此，可以具有量子线(quantumwire)结构或量子点(quantumdot)结构。
根据一实施例，可配置具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x y≤1)组成式的材料。势垒层可由具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x y≤1)组成式的半导体材料形成，并可以以与阱层不同的组成比提供。其中，势垒层的带隙可以宽于阱层的带隙。
例如，阱层和势垒层可由algaas/gaas、ingaas/gaas、ingan/gan、gan/algan、algan/algan、ingan/algan、ingan/ingan、ingap/gap、alingap/ingap、inp/gaas的对中至少一对形成。根据一实施例，活性层120的阱层可由ingan实现，势垒层可由algan类半导体实现。另外，阱层的铟组成可以大于势垒层的铟组成，势垒层可以没有铟组成。另外，可以是阱层不包含铝，势垒层包含铝。但是，阱层和势垒层的组成并不限于此。
第二导电型半导体层130可配置于活性层120上。第二导电型半导体层130可以为具有与第一导电型掺杂物相反极性的第二导电型掺杂物的半导体层。第二导电型掺杂物可以为p型掺杂物，第二导电型掺杂物可包含例如mg、zn、ca、sr及ba中的一种。
根据一实施例，第二导电型半导体层130可包含氮化物类半导体材料。第二导电型半导体层130可包含具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x y≤1)组成式的半导体材料。第二导电型半导体层130的氮化物类半导体材料可包含gan、aln、algan、ingan、inn、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp及algainp中的一种。第二导电型半导体层130可通过利用半导体材料生长为包含mg、zn、ca、sr及ba中的一个的p型掺杂物的方式来形成。
在本实施例中，第一导电型半导体层110为包含n型掺杂物的n型半导体层，第二导电型半导体层130为包含p型掺杂物的p型半导体层，但也可以是第一导电型半导体层110为p型半导体层，第二导电型半导体层130为n型半导体层。
欧姆层140可配置于第二导电型半导体层130上。欧姆层140可以使用zno或ito(indiumtinoxide)之类透明氧化物层(transparentconductiveoxide，tco)。
虽然未图示，除基板100、第一导电型半导体层110、活性层120及第二导电型半导体层130之外，可追加性还提供缓冲层和/或电子隔离层之类功能层。例如，在基板100和第一导电型半导体层110上可提供缓冲层。缓冲层可形成为单层或多层。根据一实施例，缓冲层可由inxalyga1-x-yn(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x y≤1)构成，例如可包含gan、aln、algan、ingan、inn、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp、algainp及zno中的至少一种。另外，在第二导电型半导体层130与活性层120之间可追加配置电子隔离层。电子隔离层能够减少第二导电型半导体层130内的掺杂物所引起的结晶性降低，并防止第二导电型半导体层130内的掺杂物向活性层120扩散。电子隔离层能够切断来自活性层120的电子向第二导电型半导体层130移动，由此能够防止电子隔离层与第二导电型半导体层130之间的电流扩散现象。根据一实施例，电子隔离层可由具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x y≤1)组成式的半导体材料形成。作为一例，电子隔离层可包含gan、algan、ingan、inalgan、alinn中的至少一种。
作为一例，示出缓冲层及电子隔离层，可以省略缓冲层和电子隔离层中的至少一个。另外，可以在发光元件再追加除缓冲层及电子隔离层之外的追加性功能层。
发光元件可还包括：第一导电图案cp1，在通过台面结构物ms暴露的第一导电型半导体层110上与第一导电型半导体层110电粘接；以及第二导电图案cp2，在台面结构物ms上与欧姆层140电粘接。
根据一实施例，第一导电图案cp1可包括：第一部分pt1，向第二导电图案cp2延伸；以及第二部分pt2，从第一部分pt1延伸，沿着与第一部分pt1的延伸方向垂直的方向延伸。第二部分pt2的两端部可具有向第二导电图案cp2方向弯折的结构。第一导电图案cp1具有向第二导电图案cp2方向扩展的结构，由此能够提高发光元件的电流扩散(currentspreading)。
第一导电图案cp1及第二导电图案cp2各自可具有多层结构。第一导电图案cp1及第二导电图案cp2各自可包含选自由au、ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、hf、cr、ti及cu组成的组中的至少一种。另外，可包含上述列举的物质的合金。
发光元件可还包括在发光部上覆盖第一导电图案cp1及第二导电图案cp2并向第二区域ar2的第二凸出图案prt2上延伸的绝缘膜dl。根据一实施例，绝缘膜dl的端部可以为与基板100的外廓104相同的平面。
绝缘膜dl可包括多个sio2层及多个tio2层交替层叠而成的分布式布拉格反射器(distributedbraggreflector，dbr)。具备分布式布拉格反射器的绝缘膜dl具有绝缘特性的同时能够将从活性层120产生的光向基板100的方向反射。
绝缘膜dl可以以sio2层开始依次交替层叠tio2层t1、sio2层s2、tio2层t2而成。因此，绝缘膜dl的第一个sio2层s1可以不仅与发光部接触，还与在第二区域ar2配置的第二凸出图案prt2接触。
根据一实施例，如图1c所示，可以是各个第二凸出图案prt2的第二层ly1-2、ly2-2包含sio2，与各个第二凸出图案prt2的第二层ly1-2、ly2-2接触的绝缘膜dl的第一个层s1包含sio2。因此，可以提高第二凸出图案prt2及绝缘膜dl的粘接可靠性。
另一方面，各个第二凸出图案prt2的第二层ly1-2、ly2-2和绝缘膜dl的第一个层s1包含sio2，由此在第二区域ar2中，各个第二凸出图案prt2的第二层ly1-2、ly2-2与绝缘膜dl的第一个层s1之间的界面可能会不明确。
根据一实施例，各个第一凸出图案prt1的高度ht1可大于各个第二凸出图案prt2的高度ht2。可以是第一凸出图案prt1的第一层ly1-1、ly2-1的高度ht1-1与第二凸出图案prt2的第一层ly1-1、ly2-1的高度ht1-2相同，但第一凸出图案prt1的第二层ly1-2、ly2-2的高度ht1-2大于第二凸出图案prt2的第二层ly1-2、ly2-2的高度ht2-2。但是，绝缘膜dl的第一个层s1包含与第二层ly1-2、ly2-2相同的物质、即sio2，由此第二层ly1-2、ly2-2及绝缘膜dl之间的界面不明确。此时，第二凸出图案prt2的第一层ly1-1、ly2-1为蓝宝石，第二层ly1-2、ly2-2包含sio2，因此第一层ly1-1、ly2-1与第二层ly1-2、ly2-2的界面明确，绝缘膜dl的第一个层s1为sio2层，第二个层t2为tio2层，因此绝缘膜dl的第一个层s1与第二个层t2之间的界面能够明确。因此，在从第二凸出图案prt2的第一层ly1-1、ly2-1的上方面部至绝缘膜dl的第二个层t2即tio2层的下方面的厚度hta去除与第二区域ar2的基板100的一面102接触的绝缘膜dl的第一个层s1的厚度th，就能够确认第二凸出图案prt2的第二层ly1-2、ly2-2的高度ht2-2。
可以是，各个凸出图案prt1、prt2的第二层ly1-2、ly2-2包含通过pevd形成的sio2，相反，绝缘膜dl的多个sio2层分别通过电子束形成。通常，电子束可用于形成小厚度的sio2层。在此情况下，第二层ly1-2、ly2-2的sio2的结晶密度可以大于绝缘膜dl的sio2层的结晶密度。第二层ly1-2、ly2-2包含通过pevd形成的sio2，由此与绝缘膜dl的第一个sio2层s1的粘接力优异。
参照图1a及图1b，发光元件可还包括：第一焊盘pd1，配置于绝缘膜dl上，与第一导电图案cp1电连接；以及第二焊盘pd2，与第二导电图案cp2电连接。可以是第一焊盘pd1可通过第一导电图案cp1向第一导电型半导体层110施加负电压，第二焊盘pd2通过第二导电图案cp2及欧姆层140向第二导电型半导体层130施加正电压。
根据一实施例，第一焊盘pd1及第二焊盘pd2可包含选自由au、ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、hf、cr、ti及cu组成的组中的至少一种。另外，可以包含上述列举的物质的合金。
如上所述，在本发明实施例的发光元件中，在基板100上提供多个凸出图案prt1、prt2和空腔，以下详细说明凸出图案prt1、prt2及空腔vd1、vd2。
参照图1c至图1e，在基板100的一面102可配置包括第一层ly1-1、ly2-1及第二层ly1-2、ly2-2的凸出图案prt1、prt2。在平面角度上，各个凸出图案prt1、prt2可具有圆形状。在凸出图案具有子弹形状的情况下，子弹的顶点可以为圆的中心。在截面角度上，可以是凸出图案的直径dm为凸出图案prt1、prt2的最下端的宽度，凸出图案prt1、prt2的高度ht1、ht2为从基板100的一面102至凸出图案prt1、prt2的顶点的距离。
在平面角度上，第一层ly1-1、ly2-1及第二层ly1-2、ly2-2可具有直径dm互不相同且中心相同的同心圆形状。在凸出图案prt1、prt2具有子弹形状的情况下，第一层ly1-1、ly2-1的直径dm可以大于第二层ly1-2、ly2-2的直径dm。此时，在截面角度上，第一层ly1-1、ly2-1及第二层ly1-2、ly2-2各自的直径dm可以为第一层ly1-1、ly2-1及第二层ly1-2、ly2-2各自最下端的宽度。
参照图1d，凸出图案prt1可以在基板100的一面102上以多种形态排列。在本实施例中，例示说明凸出图案prt1在第一列中相邻的两个凸出图案prt1之间配置第二列的一凸出图案prt1的结构，但本发明并不将凸出图案prt1的排列形态限于此。
各个凸出图案prt1的直径dm可以等于或小于相邻的两个凸出图案prt1之间的间距(pitch)ptc。此时，间距ptc为相邻的两个凸出图案prt1各自的中心之间的距离。在凸出图案prt1的直径dm大于间距ptc的情况下，凸出图案prt1在平面上重叠，通过凸出图案prt1暴露的基板100的一面102的面积对于第一导电性半导体层110外延生长不充分。
如上所述，凸出图案prt1、prt2可包括配置于基板100的第一区域ar1的第一凸出图案prt1和配置于基板100的第二区域ar2的第二凸出图案prt2。
根据一实施例，在各个第一凸出图案prt1可提供相邻的多个第一空腔vd1。在第一凸出图案prt1的侧部、即第一凸出图案prt1与第一导电型半导体层110之间可提供多个第一空腔vd1。尤其，在第一凸出图案prt1中，在第一层ly1-1、ly2-1与第二层ly1-2、ly2-2的界面的边缘附近可形成第一空腔vd1。第一空腔vd1可以具有以第一层ly1-1、ly2-1与第二层ly1-2、ly2-2的界面的延伸面为基准向延伸面的下侧方向、即朝向基板100的方向延伸的形态。因此，可以沿着第一层ly1-1、ly2-1的最上方外侧至少在一侧形成第一空腔vd1。
在此，第一空腔vd1对应于结晶面的生长方向形成，可以在以第一凸出图案prt1的中心为基准与六边形的各个顶点相对应的侧部形成。当在平面上观察时，各个第一空腔vd1可具有三角形形状。即，各个第一空腔vd1的宽度可以在第一层ly1-1、ly2-1与第二层ly1-2、ly2-2的界面越接近基板100越窄。详细说明的话，在第一凸出图案prt1提供为子弹形态的情况下，可以是第一层ly1-1、ly2-1的上面具有圆形状，在平面角度上，第一空腔vd1提供在与第一层ly1-1、ly2-1上面圆内切的正六边形的顶点相对应的位置。另外，可以是第一空腔vd1与基板100的一面102垂直，若沿着经过圆心的面截取，则具有直角三角形形状。此时，在直角三角形形状中，斜面可以对应于第一层ly1-1、ly2-1的侧面。作为一例，由于斜面可以为曲面，可以不是完全的直角三角形形状。进而，在各个第一空腔vd1中，形成第一空腔vd1的最上方的面可以是与延长第一层ly1-1、ly2-1的上面的面实质上相同的面。即，可以是各个第一空腔vd1形成在与第一层ly1-1、ly2-1的上面的外侧相对应的第一导电型半导体层110，第一层ly1-1、ly2-1的上面成为构成各个第一空腔vd1的结构中的上侧面。
根据一实施例，第一导电型半导体层110可以在从基板100的一面102向上方方向和/或侧方方向生长的过程中经过合并成一个结晶的过程。在这种合并过程中，有意控制为形成与第一凸出图案prt1的第一层ly1-1、ly2-1的侧面不紧贴的部分，从而能够形成第一空腔vd1。
第一空腔vd1可以为不提供第一层ly1-1、ly2-1及第一导电型半导体层110的空虚空间。因此，第一空腔vd1可具有与第一层ly1-1、ly2-1及第一导电型半导体层110互不相同的折射率。在第一层ly1-1、ly2-1与各个第一空腔vd1之间的界面和第一导电型半导体层110与第一空腔vd1之间发生光折射、散射及反射，由此，基于第一空腔vd1的光提取效率可以增加。但是，通常，光的折射、散射及反射的增加虽提高光提取效率，在形成第一空腔vd1的位置与基板100的一面102过近或过远的情况下，光提取效率反而也降低。
在一实施例中，可以将第一凸出图案prt1中的第一层ly1-1、ly2-1及第二层ly1-2、ly2-2各自的高度可以维持在预定范围内，以便提高基于第一空腔vd1的光提取效率。如上所述，第一空腔vd1的位置提供在与第一层ly1-1、ly2-1与第二层ly1-2、ly2-2的界面相对应的位置，因此也可以通过将第一层ly1-1、ly2-1及第二层ly1-2、ly2-2的位置调节在特定范围来调节第一空腔vd1的位置。在此，在第一层ly1-1、ly2-1的高度为0的情况下，可能因工艺中残留在基板100的一面102的杂质等而阻碍第一导电型半导体层110从基板100生长。另外，若第二层ly1-2、ly2-2的高度大于第一层ly1-1、ly2-1的高度，则沿着第一层ly1-1、ly2-1的侧面方向的结晶生长减少，从而能够提高结晶质量，因此第二层ly1-2、ly2-2的高度可以大于第一层ly1-1、ly2-1的高度。
换句话说，为了充分提高第一空腔vd1的光提取效率，第一层ly1-1、ly2-1及第二层ly1-2、ly2-2的高度和基于其的第一空腔vd1的位置可以在预定范围内。例如，第二层ly1-2、ly2-2的高度相对于第一层ly1-1、ly2-1可以为大于2.5倍且小于9.5倍。在一实施例中，第二层ly1-2、ly2-2的高度相对于第一层ly1-1、ly2-1可以为4.25倍。作为一例，当第一层ly1-1、ly2-1与第二层ly1-2、ly2-2的高度之和为约2.1μm时，第一层ly1-1、ly2-1的高度可以为大于约0.2μm且小于约0.6μm。根据另一实施例，当第一层ly1-1、ly2-1与第二层ly1-2、ly2-2的高度之和为约2.1μm时，第一层ly1-1、ly2-1的高度可以为约0.25μm以上且约0.55μm以下。根据另一实施例，第一层ly1-1、ly2-1的高度可以为约0.3μm以上且0.5μm以下。
若第一层ly1-1、ly2-1的高度小于距基板100的一面102的上述范围，则无法充分形成第一空腔vd1，即使形成第一空腔vd1，基于第一空腔vd1的光散射效果可能不充分显现。另外，第一空腔vd1的尺寸小或并未充分生成或以缺陷发挥作用，由此经第一空腔vd1的光的透射率可能减少。在此情况下，结果上，从第一导电型半导体层110朝向基板100的内部方向的光入射比例可能减少。
在第一层ly1-1、ly2-1的高度在距基板100的一面102的上述范围内的情况下，充分形成第一空腔vd1，不仅基于第一空腔vd1的散射效果增加，从第一导电型半导体层110向基板100方向经第一空腔vd1入射的光的比例也能够增加。尤其，除从第一导电型半导体层110直接向基板100入射的光之外，还存在通过第一空腔vd1折射之后向基板100的一面102透过的追加性光，由此能够提高整体光提取效率。
在第一层ly1-1、ly2-1的高度超出距基板100的一面102的上述范围而形成更大的情况下，对于从第一导电型半导体层110向基板100方向行进的光来说在基板100内行进的光路径增加，由此基板100中的光吸收率上升，因而穿过基板100的光的透过量可能减少。另外，在此情况下，第一层ly1-1、ly2-1的高度相对变高，因此发生向第一层ly1-1、ly2-1的侧面方向的结晶生长而结晶质量可能降低，这就可能引起光效率降低。
根据一实施例，在第一空腔vd1与基板100之间可提供第二空腔vd2。第二空腔vd2可提供于第一凸出图案prt1的第一层ly1-1、ly2-1的侧部、即第一层ly1-1、ly2-1与第一导电型半导体层110之间。
如上所述，各个第一空腔vd1是通过有意控制来形成，因此可以在平面角度上具有三角形截面，在截面角度上具有直角三角形截面。与此不同，第二空腔vd2是在生长第一导电型半导体层110的期间生成，因此其尺寸及结构可多种多样。作为一例，各个第二空腔vd2的尺寸可以小于各个第一空腔vd1的尺寸。
第二空腔vd2可以为未提供第一层ly1-1、ly2-1及第一导电型半导体层110的空虚空间。由此，第二空腔vd2虽具有与第一层ly1-1、ly2-1及第一导电型半导体层110互不相同的折射率，但如上所述那样可不对光提取效率提高产生大影响。
另一方面，第一空腔vd1及第二空腔vd2可不提供在第二区域ar2的第二凸出图案prt2。如上所述，第一空腔vd1及第二空腔vd2各自在基板100的一面102中外延生长第一导电型半导体层110的期间形成并生成，由此可以在第二区域ar2的第二凸出图案prt2不提供。
图2a为用于说明本发明另一实施例的发光元件的俯视图，图2b为沿着a-a'截取图2a的发光元件的剖视图。
参照图2a及图2b，发光元件可包括基板100及配置于基板100上的发光部。
在基板100的一面102可提供依次层叠由与基板100相同的物质形成的第一层ly1-1、ly2-1和由与基板100不同的物质形成的第二层ly1-2、ly2-2而成的凸出图案prt1、prt2。根据一实施例，可以是第一层ly1-1、ly2-1包含蓝宝石，第二层ly1-2、ly2-2包含sio2。
基板100可包括配置有发光部的第一区域ar1和除第一区域ar1之外的第二区域ar2。第二区域ar2可以为第一区域ar1与基板100的外廓104之间的空间。凸出图案prt1、prt2可分别包括形成于第一区域ar1的第一凸出图案prt1和形成于第二区域ar2的第二凸出图案prt2。
另一方面，如在图1a至图1e所说明那样，在第一凸出图案prt1与第一导电型半导体层110之间可提供第一空腔vd1及第二空腔vd2。
发光部可包括：第一导电型半导体层110；以及台面结构物ms，以使第一导电型半导体层110的一部分暴露的方式依次层叠活性层120、、第二导电型半导体层130以及欧姆层140而成。第一导电型半导体层110及台面结构物ms各自可具有倾斜的侧面。
第一导电型半导体层110可配置成覆盖基板100的第一区域ar1。即，第一导电型半导体层110可配置成覆盖第一凸出图案prt1。
根据一实施例，在平面角度上，在台面结构物ms的边缘一部分可形成凹陷部ccv。凹陷部ccv为从基板100的边缘向胎面结构物ms的中心方向凹陷的区域，本实施例中，台面结构物ms可具有4个凹陷部ccv。但是，凹陷部ccv的数量并不限于此。可以在与凹陷部ccv的相对应的位置暴露第一导电型半导体层110的更多部分。
台面结构物ms可包括垂直层叠的活性层120、第二导电型半导体层130及欧姆层140。另一方面，台面结构物ms可具有倾斜的侧面。
根据一实施例，台面结构物ms可具有使第一导电型半导体层110的一部分暴露的孔。如图2所示，在本实施例中示出2个孔，但孔的数量并不限于此。
发光元件可还包括配置于欧姆层140上的第一绝缘膜dl1。第一绝缘膜dl1可包含sin、tin、tio2、ta2o5、zrox、hfox及sio2中的至少一种。
第一绝缘膜dl1可包括：第一开口op1，使通过台面结构物ms的凹陷部ccv暴露的第一导电型半导体层110暴露；第二开口op2，使台面结构物ms的孔的底面的第一导电型半导体层110暴露；以及第三开口op3，使欧姆层140局部暴露。在本实施例中示出4个第一开口op1、2个第二开口op2及3个第三开口op3，但本发明的第一开口op1、第二开口op2及第三开口op3的数量并不限于此。
根据一实施例，第一绝缘膜dl1可具有覆盖台面结构物ms并向第一导电型半导体层110的侧面延伸而不向第二区域ar2延伸的结构。与此不同，第一绝缘膜dl1也可覆盖第二区域ar2的第二凸出图案prt2。
发光元件可还包括：第一导电图案cp1，与通过第一开口op1及第二开口op2暴露的第一导电型半导体层110电连接；以及第二导电图案cp2，与通过第三开口op3暴露的欧姆层140电连接。第一导电图案cp1及第二导电图案cp2各自可包含au、ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、hf、cr、ti及cu中的至少一种。
根据一实施例，在截面角度上，第一导电图案cp1可包括与台面结构物ms的凹陷部ccv相对应的凸出部cvx。作为一例，第一导电图案cp1可具有与4个凹陷部ccv相对应的4个凸出部cvx。各个凸出部cvx可填充第一开口op1并与第一导电型半导体层110电连接。
发光元件可还包括在发光部上覆盖第一导电图案cp1及第二导电图案cp2并向第二区域ar2延伸的第二绝缘膜dl2。第二绝缘膜dl2可覆盖第一区域ar1的发光部并向第二区域ar2延伸来形成至基板100的外廓104。即，第二绝缘膜dl2的端部可以为与基板100的外廓104相同的平面。
根据一实施例，第二绝缘膜dl2可包括多个sio2层及多个tio2层交替层叠而成的分布式布拉格反射器。在第二区域ar2中，第二绝缘膜dl2可以与第二凸出图案prt2的各个第二层ly2-2相粘接。在此情况下，由于第二层ly2-2包含sio2，第二绝缘膜dl的第一个层为sio2，因此可通过相同物性提高粘接力。
第二绝缘膜dl2是与图1a至图1e中说明的绝缘膜dl相同，因此省略其详细说明。
发光元件可还包括：第一焊盘pd1，在第二绝缘膜dl2上与第一导电图案cp1电连接；以及第二焊盘pd2，与第二导电图案cp2电连接。
本实施例的发光元件的构成要件与图1a至图1e中说明的发光元件的构成要件类似，因此省略其详细说明。
图3a为用于说明本发明再另一实施例的发光元件的俯视图，图3b为将图3a的发光元件沿着a-a'截取的剖视图。
参照图3a及图3b，发光元件可包括基板100及具有多个发光单元的发光部。为了说明的便利，说明发光单元包括第一发光单元lec1及第二发光单元lec2的情况。
在基板100的一面102可提供由与基板100相同的物质形成的第一层ly1-1、ly2-1和由与基板100不同的物质形成的第二层ly1-2、ly2-2依次层叠而成的凸出图案prt1、prt2。根据一实施例，可以是第一层ly1-1、ly2-1包含蓝宝石，第二层ly1-2、ly2-2包含sio2。
基板100可包括：第一区域ar1，供配置第一发光单元lec1；第二区域ar2，供配置第二发光单元lec12；第三区域ar3，配置于第一区域ar1与第二区域ar2之间；以及第四区域ar4，配置于第一区域ar1及第二区域ar2与基板100的外廓104之间。可具有第三区域ar3与第四区域ar4连接的结构。
凸出图案prt1、prt2可包括配置于第一区域ar1及第二区域ar2的第一凸出图案prt1和配置于第三区域ar3及第四区域ar4的第二凸出图案prt2。各个第一凸出图案prt1的高度与各个第二凸出图案prt2的高度可以互不相同。根据一实施例，各个第一凸出图案prt1的第二层ly1-2、ly2-2的高度可以与各个第二凸出图案prt2的第二层ly1-2、ly2-2的高度互不相同。
第一发光单元lec1及第二发光单元lec2各自可包括第一导电型半导体层110及台面结构物ms。可以是台面结构物ms的尺寸小于第一导电型半导体层110的尺寸，以使第一导电型半导体层110的一部分暴露。第一导电型半导体层110及台面结构物ms各自可具有倾斜的侧面。另一方面，台面结构物ms可包括垂直层叠的活性层120、第二导电型半导体层130及欧姆层140。
发光元件可还包括以覆盖第一发光单元lec1及第二发光单元lec2的方式配置于基板100上的绝缘膜dl。绝缘膜dl可覆盖第一发光单元lec1及第二发光单元lec2，并向基板100的第一发光单元lec1与第二发光单元lec2之间的第三区域ar3和基板100的第一区域ar1及第二区域ar2与基板100的外廓104之间的第四区域ar4延伸。根据一实施例，绝缘膜dl的端部可以为与基板100的外廓104相同的平面。
绝缘膜dl可包括多个sio2层和多个tio2层交替层叠而成的分布式布拉格反射器。在第二区域ar2中，绝缘膜dl可以与第二凸出图案prt2的各个第二层ly2-2粘接。在此情况下，第二层ly2-2包含sio2，绝缘膜dl的第一个层为sio2层，因此可通过相同物性提高粘接力。绝缘膜dl与图1中说明的绝缘膜dl相同，因此省略其详细说明。
发光元件可包括：第一焊盘pd1，在绝缘膜dl上与第二发光单元lec2的第一导电型半导体层110电连接；第二焊盘pd2，与第一发光单元lec1的欧姆层140电连接；以及连接焊盘cpd，在绝缘膜dl上与第一发光单元lec1的第一导电型半导体层110、第二发光单元lec2的欧姆层140电连接。
本实施例的发光元件的构成要件与图1a至图1e中说明的发光元件的构成要件类似，因此省略其详细说明。
以下，说明制造图1a及图1b所示的发光元件的方法。
图4至图9为用于说明制造本发明一实施例的发光元件的方法的剖视图。
参照图4，可准备初始基板100p。
在初始基板100p的一面102上可形成一物质膜ml。物质膜ml可包含折射率与基板100不同的物质。根据一实施例，可以是初始基板100p包含蓝宝石，物质膜ml包含sio2。
根据一实施例，包含sio2的物质膜ml可通过pevd形成。利用pevd工艺形成的sio2能够具有比通过电子束形成的sio2的更致密的结晶结构。
参照图5，在物质膜ml上形成掩膜图案之后，将掩膜图案用作蚀刻掩膜来对物质膜ml及初始基板100p进行蚀刻，从而能够形成多个凸出图案prt。物质膜ml及初始基板100p可通过利用cl2及bcl3腐蚀剂(echant)的干式蚀刻工艺进行蚀刻。
在形成凸出图案prt之后，可去除掩膜图案。
通过形成凸出图案prt，可形成一面102的高度低于初始基板100p的一面102的基板100。各个凸出图案prt可包括：第一层ly1，包含与基板100相同的物质；以及第二层ly2，在第一层ly1上包含与基板100不同的物质。例如，可以是第一层ly1包含蓝宝石，第二层ly2包含sio2。
根据一实施例，可在凸出图案prt之间暴露基板100的一面102。
参照图6，在形成有凸出图案prt的基板100上可以依次形成第一导电型半导体层110、活性层120、第二导电型半导体层130及欧姆层140。
在基板100上，可利用金属有机物化学气相沉积(mocvd，metal-organicchemicalvapordeposition)、分子束外延(mbe，molecularbeamepitaxy)、氢化物气相外延(hvpe，hydridevaporphaseepitaxy)及金属有机氯化物(moc，metal-organicchloride)等生长方法依次形成第一导电型半导体层110、活性层120及第二导电型半导体层130。
凸出图案prt的第二层ly2包含sio2，基板100的在凸出图案prt之间暴露的一面102包含蓝宝石，由此第一导电型半导体层110可从基板100的在凸出图案prt之间暴露的一面102生长。第一导电型半导体层110可以以完全覆盖凸出图案prt的侧面及上面的方式向上方方向生长。第一导电型半导体层110可以在与各个凸出图案prt的侧部相对应的位置有意形成第一空腔vd1。第二空腔vd2可以在生长第一导电型半导体层110的期间生成。
接着，可第二导电型半导体层130上通过化学气相蒸镀(chemicalvapordeposition，cvd)工艺形成欧姆层140。
参照图7，可通过对欧姆层140、第二导电型半导体层130及活性层120进行蚀刻来形成使第一导电型半导体层110暴露的台面结构物ms。接着，可对第一导电型半导体层110进行蚀刻来使基板100的第二区域ar2暴露。
根据一实施例，可以是在对第一导电型半导体层110进行蚀刻的期间，在第一区域ar1中被第一导电型半导体层110覆盖的凸出图案prt1不被蚀刻，但形成于第二区域ar2的凸出图案pr1的第二层ly2被蚀刻。
为了说明的便利，凸出图案prt1、prt2可形成在第一区域ar1中被第一导电型半导体层110覆盖的第一凸出图案prt1和配置于第二区域ar2的第二凸出图案prt2。第二凸出图案prt2可通过第一导电型半导体层110的蚀刻(或台面结构物ms形成)具有低于各个第一凸出图案prt1的高度。根据一实施例，各个第一凸出图案prt1的第二层ly2的高度可以大于第二凸出图案prt2的第二层ly2的高度。
在本实施例中，说明在形成台面结构物ms之后对第一导电型半导体层110进行蚀刻的情况，但也可以对第一导电型半导体层110进行蚀刻之后形成台面结构物ms。可以是在对第一导电型半导体层110进行蚀刻的期间，第二区域ar2的凸出图案prt2被蚀刻，在形成台面结构物ms的期间，第二区域ar2的凸出图案prt2进一步被蚀刻。
参照图8，可形成在通过台面结构物ms暴露的第一导电型半导体层110上与第一导电型半导体层110电接触的第一导电图案cp1和在欧姆层140上与欧姆层140电接触的第二导电图案cp2。
参照图9，可在基板100上形成绝缘膜dl，以便覆盖第一导电图案cp1、第二导电图案cp2、台面结构物ms及第一导电型半导体层110。
绝缘膜dl可包括多个sio2层及多个tio2层交替层叠而成的分布式布拉格反射器。在此情况下，绝缘膜dl内sio2层可通过电子束形成。
根据一实施例，在第二区域ar2中，绝缘膜dl可以与各个第二凸出图案prt2的第二层ly2粘接。如上所述，各个第二凸出图案prt2的第二层ly2包含通过pevd形成的sio2，与第二层ly2相接的绝缘膜dl的第一个层是通过电子束形成的sio2层，因此相同物性的两个层可相接。因此，虽难以区分第二层ly2与绝缘膜dl之间的界面，但第二凸出图案prt2与绝缘膜dl相接的部分具有相同物性，从而能够提高粘接可靠性。因此，能够防止在后续工艺中绝缘膜dl剥离的问题。尤其，各个第二凸出图案prt2的第二层ly2通过pevd形成而具有密度高的结构，由此能够提高与绝缘膜dl的粘接力。
参照图1b，能够在通过对绝缘膜dl进行蚀刻来形成使第一导电图案cp1暴露的第一孔和使第二导电图案cp2暴露的第二孔之后，形成通过第一孔与第一导电图案cp1电连接的第一焊盘pd1和通过第二孔与第二导电图案cp2电连接的第二焊盘pd2。
以上，参照附图，说明了本发明的实施例，但在本发明所属技术领域中具有通常知识的人员能够理解在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下可将本发明以其他具体形态实施。因此，应理解为以上记述的实施例在所有方面均是例示性实施例，而并非用于限定本发明。
1.一种发光元件，包括：
基板；
多个凸出图案，配置于所述基板上，并包括第一层及第二层，所述第一层包含与构成所述基板的物质相同的物质，所述第二层包含与在所述第一层上构成所述基板的物质不同的物质；以及
发光部，配置于所述基板的第一区域，
配置于所述第一区域的凸出图案的高度与配置于第二区域的凸出图案的高度互不相同，
所述第二区域包括所述第一区域与所述基板的外廓之间的区域。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
配置于所述第一区域的凸出图案的第二层与配置于所述第二区域的凸出图案的第二层的高度不同。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
所述发光元件还包括在所述发光部上向所述基板的第二区域延伸的绝缘膜。
4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，
配置于所述第二区域的凸出图案与所述绝缘膜相接。
5.根据权利要求3所述的发光元件，其中，
所述绝缘膜包括多个氧化硅层和多个氧化钛层交替层叠而成的分布式布拉格反射器。
6.根据权利要求5所述的发光元件，其中，
所述第二层包含氧化硅，
与所述第二层相接的绝缘膜包括第一氧化硅层，
在配置于所述第二区域的凸出图案的第一层上形成统一氧化硅层。
7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，
所述绝缘膜的第一氧化硅层在所述基板上具有第一厚度，
从所述统一氧化硅层减去所述第一厚度的第二厚度为所述第二区域中所述凸出图案的第二层的高度。
8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，
配置于所述第一区域的凸出图案的第二层的高度小于配置于所述第二区域的凸出图案的第二层的高度。
9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
各个所述凸出图案具有随着远离所述基板逐渐变窄的宽度。
10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
各个所述凸出图案的截面具有圆形并向一顶点收缩，各个所述凸出图案具有呈曲面的侧壁。
11.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
所述发光部包括在所述第一层与所述第二层的界面与所述第一层相接而成的第一空腔。
12.根据权利要求11所述的发光元件，其中，
所述发光部还包括形成于所述空腔与所述基板之间且尺寸小于所述第一空腔的第二空腔。
13.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
所述第二层的折射率大于所述第一层的折射率。
14.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
各个所述凸出图案的第二层包含通过等离子体增强化学气相沉积工艺形成的氧化硅。
15.一种发光元件，包括：
基板；
多个凸出图案，配置于所述基板上，并包括第一层及第二层，所述第一层包含与构成所述基板的物质相同的物质，所述第二层包含与在所述第一层上构成所述基板的物质不同的物质；
第一发光单元，配置于所述基板的第一区域；以及
第二发光单元，配置于所述基板的第二区域，
配置于所述第一区域及所述第二区域的凸出图案各自的高度与配置于第三区域的凸出图案的高度不同，
所述第三区域包括：所述第一区域与所述第二区域之间的区域；以及所述第一区域及所述第二区域各自与所述基板的外廓之间的区域。
16.根据权利要求15所述的发光元件，其中，
在所述第一区域及所述第二区域分别配置的凸出图案的第二层与在所述第三区域配置的凸出图案的第二层的高度不同。
17.根据权利要求15所述的发光元件，其中，
所述发光元件还包括在所述第一发光单元及所述第二发光单元上向所述基板的第三区域延伸的绝缘膜。
18.根据权利要求17所述的发光元件，其中，
配置于所述第三区域的凸出图案与所述绝缘膜相接。
19.根据权利要求17所述的发光元件，其中，
所述绝缘膜包括多个氧化硅层和多个氧化钛层交替层叠而成的分布式布拉格反射器。
技术总结