本实用新型涉及电子设备生产的技术领域，特别是涉及一种半导体晶圆清洗装置。
背景技术：
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅，二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，在晶圆的生产清洗工艺中，需要去除硅片晶圆表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性，而现有的清洗装置，在清洗过程中极易使半导体晶圆被水中的氧气氧化，导致半导体晶圆的生产效率较低，实用性较差。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种提升半导体晶圆的生产效率，提高实用性的半导体晶圆清洗装置。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，包括清洗仓、顶仓、顶板、支架、四组基座、两组导柱、液压缸、连接板、多孔板和操作面板，清洗仓的内部设置有腔室，清洗仓的顶端设置有上开口，且清洗仓的上开口与清洗仓的腔室相通，清洗仓的腔室底端设置有超声波装置，顶仓的内部设置有腔室，顶仓的顶端设置有顶板，顶仓的底端套设在清洗仓的顶部，顶仓的腔室与清洗仓的腔室相通，顶板的定点杆设置有贯穿顶板顶端和底端的开口，支架固定安装在顶板的顶端，支架的前端设置有安装板，安装板的顶端对称安装有两组基座，安装板的底端对称安装有两组基座，每组导柱分别固定安装在上下对称的两组基座上液压缸固定安装在安装板的顶端，液压缸的底端设置有推杆，连接板可上下移动套设在两组导柱上，连接板的顶端设置有连接头，推杆的底端穿过安装板的顶端与连接头固定连接，连接板的底部前端设置有多孔板，多孔板可在清洗仓的腔室内上下移动，顶板顶端的右侧设置有支撑杆，操作面板固定安装在支撑杆的顶端，清洗仓底部的左端和右端均设置有输气装置，输气装置的输入端与输气管的输出端连接，输气装置上设置有多组出气孔，多组出气孔均与清洗仓的腔室相通。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，清洗仓腔室内底部的左端和右端均设置有过滤网，过滤网罩设在出气孔的输入端上。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，还包括阀门，输气管的输入端与阀门的输出端连接，阀门的输入端与外界氮气连接。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，两组导柱的底部均设置有限位装置。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，多孔板的底端设置有两组加强筋。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，多孔板的前端和后端均设置有挡板。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，顶仓的左端和右端均设置有两组底座，两组喷气管分别固定安装在顶仓左端和右端的底座上，两组喷气管上均设置有多组喷气孔。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，超声波装置的表面设置有防水涂层。
与现有技术相比本实用新型的有益效果为：向清洗仓的腔室内部注入清洗晶圆用的清洗液，将半导体晶圆放置在多孔板上，启动液压缸使推杆推动连接板向下移动直至多孔板上的半导体晶圆没入清洗仓腔室的清洗液内，启动超声波装置对清洗仓腔室内的半导体晶圆进行超声波震动清洗，通过输气管和输气装置向清洗仓腔室内部的清洗液内鼓入氮气，减少清洗仓腔室的清洗液内氧气的含量，减少半导体晶圆在清洗过程中被氧化的情况发生，提升半导体晶圆的生产效率，提高实用性。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型的轴侧示意图；
图3是喷气管与底座等结构连接的示意图；
图4是液压缸与连接板等结构连接的轴侧示意图；
图5是9与连接板等结构连接的右视示意图；
图6是图1中a部的放大示意图；
附图中标记：1、清洗仓；2、超声波装置；3、顶仓；4、顶板；5、支架；6、安装板；7、基座；8、导柱；9、液压缸；10、推杆；11、连接板；12、连接头；13、多孔板；14、支撑杆；15、操作面板；16、输气装置；17、输气管；18、出气孔；19、过滤网；20、阀门；21、限位装置；22、加强筋；23、挡板；24、底座；25、喷气管；26、喷气孔。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
如图1至图6所示，本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，包括清洗仓1、顶仓3、顶板4、支架5、四组基座7、两组导柱8、液压缸9、连接板11、多孔板13和操作面板15，清洗仓1的内部设置有腔室，清洗仓1的顶端设置有上开口，且清洗仓1的上开口与清洗仓1的腔室相通，清洗仓1的腔室底端设置有超声波装置2，顶仓3的内部设置有腔室，顶仓3的顶端设置有顶板4，顶仓3的底端套设在清洗仓1的顶部，顶仓3的腔室与清洗仓1的腔室相通，顶板4的定点杆设置有贯穿顶板4顶端和底端的开口，支架5固定安装在顶板4的顶端，支架5的前端设置有安装板6，安装板6的顶端对称安装有两组基座7，安装板6的底端对称安装有两组基座7，每组导柱8分别固定安装在上下对称的两组基座7上液压缸9固定安装在安装板6的顶端，液压缸9的底端设置有推杆10，连接板11可上下移动套设在两组导柱8上，连接板11的顶端设置有连接头12，推杆10的底端穿过安装板6的顶端与连接头12固定连接，连接板11的底部前端设置有多孔板13，多孔板13可在清洗仓1的腔室内上下移动，顶板4顶端的右侧设置有支撑杆14，操作面板15固定安装在支撑杆14的顶端，清洗仓1底部的左端和右端均设置有输气装置16，输气装置16的输入端与输气管17的输出端连接，输气装置16上设置有多组出气孔18，多组出气孔18均与清洗仓1的腔室相通；向清洗仓1的腔室内部注入清洗晶圆用的清洗液，将半导体晶圆放置在多孔板13上，启动液压缸9使推杆10推动连接板11向下移动直至多孔板13上的半导体晶圆没入清洗仓1腔室的清洗液内，启动超声波装置2对清洗仓1腔室内的半导体晶圆进行超声波震动清洗，通过输气管17和输气装置16向清洗仓1腔室内部的清洗液内鼓入氮气，减少清洗仓1腔室的清洗液内氧气的含量，减少半导体晶圆在清洗过程中被氧化的情况发生，提升半导体晶圆的生产效率，提高实用性。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，清洗仓1腔室内底部的左端和右端均设置有过滤网19，过滤网19罩设在出气孔18的输入端上；通过在清洗仓1的腔室底端设置过滤网19，减少杂质堵塞出气孔18的情况发生，提高实用性。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，还包括阀门20，输气管17的输入端与阀门20的输出端连接，阀门20的输入端与外界氮气连接；通过李拦截阀门20，减少清洗仓1腔室内部清洗液流出的情况发生，提高实用性。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，两组导柱8的底部均设置有限位装置21；通过在两组导柱8的底部设置限位装置21，减少由于导柱8行程过长导致连接板11碰撞安装板6的情况发生，提高安全性。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，多孔板13的底端设置有两组加强筋22；通过在多孔板13的底端设置加强筋22，增加多孔板13的支撑强度，提高稳定性。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，多孔板13的前端和后端均设置有挡板23；通过在多孔板13的前端和后端均设置挡板23，减少多孔板13顶端半导体晶圆滑落多孔板13掉入清洗仓1腔室底部的情况发生，提高实用性。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，顶仓3的左端和右端均设置有两组底座24，两组喷气管25分别固定安装在顶仓3左端和右端的底座24上，两组喷气管25上均设置有多组喷气孔26；将氮气通入至两组喷气管25内，通过多组喷气孔26排出氮气至顶仓3的腔室内，使顶仓3腔室内的氮气含量升高，减少半导体晶圆在清洗后被氧化的情况发生，提高实用性。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，超声波装置2的表面设置有防水涂层；通过在超声波装置2的表面设置防水涂层，减少清洗液进入超声波装置2内部造成超声波装置2设备损坏的情况发生，提。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，其在工作时，首先向清洗仓1的腔室内部注入清洗晶圆用的清洗液，将半导体晶圆放置在多孔板13上，启动液压缸9使推杆10推动连接板11向下移动直至多孔板13上的半导体晶圆没入清洗仓1腔室的清洗液内，启动超声波装置2对清洗仓1腔室内的半导体晶圆进行超声波震动清洗，通过输气管17和输气装置16向清洗仓1腔室内部的清洗液内鼓入氮气，减少清洗仓1腔室的清洗液内氧气的含量，将氮气通入至两组喷气管25内，通过多组喷气孔26排出氮气至顶仓3的腔室内，完成半导体晶圆的清洗即可。
本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置，其安装方式、连接方式或设置方式均为常见机械方式，只要能够达成其有益效果的均可进行实施；本实用新型的一种半导体晶圆清洗装置的超声波装置和液压缸为市面上采购，本行业内技术人员只需按照其附带的使用说明书进行安装和操作即可。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。
1.一种半导体晶圆清洗装置，其特征在于，包括清洗仓(1)、顶仓(3)、顶板(4)、支架(5)、四组基座(7)、两组导柱(8)、液压缸(9)、连接板(11)、多孔板(13)和操作面板(15)，清洗仓(1)的内部设置有腔室，清洗仓(1)的顶端设置有上开口，且清洗仓(1)的上开口与清洗仓(1)的腔室相通，清洗仓(1)的腔室底端设置有超声波装置(2)，顶仓(3)的内部设置有腔室，顶仓(3)的顶端设置有顶板(4)，顶仓(3)的底端套设在清洗仓(1)的顶部，顶仓(3)的腔室与清洗仓(1)的腔室相通，顶板(4)的定点杆设置有贯穿顶板(4)顶端和底端的开口，支架(5)固定安装在顶板(4)的顶端，支架(5)的前端设置有安装板(6)，安装板(6)的顶端对称安装有两组基座(7)，安装板(6)的底端对称安装有两组基座(7)，每组导柱(8)分别固定安装在上下对称的两组基座(7)上液压缸(9)固定安装在安装板(6)的顶端，液压缸(9)的底端设置有推杆(10)，连接板(11)可上下移动套设在两组导柱(8)上，连接板(11)的顶端设置有连接头(12)，推杆(10)的底端穿过安装板(6)的顶端与连接头(12)固定连接，连接板(11)的底部前端设置有多孔板(13)，多孔板(13)可在清洗仓(1)的腔室内上下移动，顶板(4)顶端的右侧设置有支撑杆(14)，操作面板(15)固定安装在支撑杆(14)的顶端，清洗仓(1)底部的左端和右端均设置有输气装置(16)，输气装置(16)的输入端与输气管(17)的输出端连接，输气装置(16)上设置有多组出气孔(18)，多组出气孔(18)均与清洗仓(1)的腔室相通。
2.如权利要求1所述的一种半导体晶圆清洗装置，其特征在于，清洗仓(1)腔室内底部的左端和右端均设置有过滤网(19)，过滤网(19)罩设在出气孔(18)的输入端上。
3.如权利要求2所述的一种半导体晶圆清洗装置，其特征在于，还包括阀门(20)，输气管(17)的输入端与阀门(20)的输出端连接，阀门(20)的输入端与外界氮气连接。
4.如权利要求3所述的一种半导体晶圆清洗装置，其特征在于，两组导柱(8)的底部均设置有限位装置(21)。
5.如权利要求4所述的一种半导体晶圆清洗装置，其特征在于，多孔板(13)的底端设置有两组加强筋(22)。
6.如权利要求5所述的一种半导体晶圆清洗装置，其特征在于，多孔板(13)的前端和后端均设置有挡板(23)。
7.如权利要求6所述的一种半导体晶圆清洗装置，其特征在于，顶仓(3)的左端和右端均设置有两组底座(24)，两组喷气管(25)分别固定安装在顶仓(3)左端和右端的底座(24)上，两组喷气管(25)上均设置有多组喷气孔(26)。
8.如权利要求7所述的一种半导体晶圆清洗装置，其特征在于，超声波装置(2)的表面设置有防水涂层。
技术总结