本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种抗静电能力强的集成电路转接板。
背景技术：
半导体集成电路的目标之一是以较低的成本制造小型化、多功能的、大容量和/或高可靠性的半导体产品。随着半导体装置的集成度和存储容量增大，已经开发了用于堆叠单个芯片的三维(3d)封装。例如，已经采用了形成有穿透基底的通孔并在通孔中形成电极的硅通孔(through-siliconvia，简称tsv)接触技术作为可代替现有的引线键合技术的一类3d封装结构。为了减小连接线的长度，需要使用转接板来进行转接，从而降低集成电路板的尺寸。
现有的集成电路用的转接板噪使用时会产生静电，较强的静电会产生强电场将元件击穿，导致转接板损坏，从而导致集成电路短路，造成集成电路损坏。
技术实现要素：
本实用新型的目的是为了解决现有技术中转接板在使用时产生的静电会击穿元件的问题，而提出的一种抗静电能力强的集成电路转接板。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
一种抗静电能力强的集成电路转接板，包括衬底板，所述衬底板前侧的侧壁开设有tsv孔，所述衬底板前侧的侧壁均固定连接有隔离层，所诉tsv孔的孔壁固定连接有插塞，所述插塞贯穿隔离层，所述tsv孔的孔壁固定连接有第一接线箔，所述衬底板前侧的侧壁嵌设有横向二极管，所述横向二极管的接口处固定连接有第二接线箔，所述第一接线箔与第二接线箔之间固定连接有同一根互连线，所诉衬底板前侧的侧壁固定连接有esd保护器。
优选的，所述衬底板前侧的侧壁开设有多个隔离区。
优选的，所述衬底板前侧的侧壁固定连接有铜箔，所诉铜箔下侧的侧壁固定连接有凸块。
优选的，所述衬底板的具体材质为硅。
优选的，所述隔离区为开设于衬底板前侧侧壁的隔离槽。
优选的，所述esd保护器为瞬态抑制二极管。
优选的，所述衬底板上侧的侧壁固定连接有用于保护互连线的防护板。
与现有技术相比，本实用新型提供了一种抗静电能力强的集成电路转接板，具备以下有益效果：
该抗静电能力强的集成电路转接板，通过设置的底板、tsv孔、隔离层、插塞、第一接线箔、横向二极管、第二接线箔、互连线和esd保护器，当tvs二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，esd保护器能以10的负12次方秒量级的速度，将tvs二极管两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使tvs二极管两极间的电压箝位于一个预定值，有效的保护集成电路中的精密元器件，免受各种静电浪涌脉冲的损坏，从而有效的提高集成电路转接板的抗静电能力，提高了转接板使用的安全性。
该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本实用新型有效的提高集成电路转接板的抗静电能力，提高了转接板使用的安全性。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种抗静电能力强的集成电路转接板的结构示意图；
图2为图1中a部分的结构示意图；
图3为图1中b部分的结构示意图；
图4为图1中c部分的结构示意图。
图中：1衬底板、2tsv孔、3隔离层、4插塞、5第一接线箔、6横向二极管、7第二接线箔、8互连线、9esd保护器、10隔离区、11铜箔、12凸块、13防护板。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
参照图1-4，一种抗静电能力强的集成电路转接板，包括衬底板1，衬底板1前侧的侧壁开设有tsv孔2，衬底板1前侧的侧壁均固定连接有隔离层3，所诉tsv孔2的孔壁固定连接有插塞4，插塞4贯穿隔离层3，tsv孔2的孔壁固定连接有第一接线箔5，衬底板1前侧的侧壁嵌设有横向二极管6，横向二极管6的接口处固定连接有第二接线箔7，第一接线箔5与第二接线箔7之间固定连接有同一根互连线8，所诉衬底板1前侧的侧壁固定连接有esd保护器9。
衬底板1前侧的侧壁开设有多个隔离区10，隔离区10能够形成隔离，避免tsv孔2与横向二极管6之间形成静电串联。
衬底板1前侧的侧壁固定连接有铜箔11，所诉铜箔11下侧的侧壁固定连接有凸块12，能够放出少量的静电，提高抗静电效果。
衬底板1的具体材质为硅，硅是较为常用的电子器件原材料，且成本较低。
隔离区10为开设于衬底板1前侧侧壁的隔离槽。
esd保护器9为瞬态抑制二极管，瞬态抑制二极管的体积较小。
衬底板1上侧的侧壁固定连接有用于保护互连线8的防护板13，避免互连线受损，提高互连线的安全性。
本实用新型中，当tvs二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，esd保护器9能以10的负12次方秒量级的速度，将tvs二极管两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使tvs二极管两极间的电压箝位于一个预定值，有效的保护集成电路中的精密元器件，免受各种静电浪涌脉冲的损坏，从而有效的提高集成电路转接板的抗静电能力，提高了转接板使用的安全性。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
1.一种抗静电能力强的集成电路转接板，包括衬底板(1)，其特征在于，所述衬底板(1)前侧的侧壁开设有tsv孔(2)，所述衬底板(1)前侧的侧壁均固定连接有隔离层(3)，所诉tsv孔(2)的孔壁固定连接有插塞(4)，所述插塞(4)贯穿隔离层(3)，所述tsv孔(2)的孔壁固定连接有第一接线箔(5)，所述衬底板(1)前侧的侧壁嵌设有横向二极管(6)，所述横向二极管(6)的接口处固定连接有第二接线箔(7)，所述第一接线箔(5)与第二接线箔(7)之间固定连接有同一根互连线(8)，所诉衬底板(1)前侧的侧壁固定连接有esd保护器(9)。
2.根据权利要求1所述的一种抗静电能力强的集成电路转接板，其特征在于，所述衬底板(1)前侧的侧壁开设有多个隔离区(10)。
3.根据权利要求1所述的一种抗静电能力强的集成电路转接板，其特征在于，所述衬底板(1)前侧的侧壁固定连接有铜箔(11)，所诉铜箔(11)下侧的侧壁固定连接有凸块(12)。
4.根据权利要求1所述的一种抗静电能力强的集成电路转接板，其特征在于，所述衬底板(1)的具体材质为硅。
5.根据权利要求2所述的一种抗静电能力强的集成电路转接板，其特征在于，所述隔离区(10)为开设于衬底板(1)前侧侧壁的隔离槽。
6.根据权利要求1所述的一种抗静电能力强的集成电路转接板，其特征在于，所述esd保护器(9)为瞬态抑制二极管。
7.根据权利要求1所述的一种抗静电能力强的集成电路转接板，其特征在于，所述衬底板(1)上侧的侧壁固定连接有用于保护互连线(8)的防护板(13)。
技术总结