本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及显示面板、显示装置。
背景技术：
薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)是以透明玻璃为基材制成的一种具有多种功能薄膜层的场效应晶体管，它对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。tft式显示屏是一类有源矩阵液晶显示设备，它的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管阵列来驱动，工艺上常使用薄膜晶体管阵列技术来改善画面品质，因而被广泛应用于手机、平板、电脑显示器、电视等电子显示设备中。
顶栅型tft是tft类型中的一种，它具有短沟道的特点，使其工作时的开态电流可以得到有效提升。另外，顶栅型tft的栅极与源漏极重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，因而可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。由于顶栅型tft具有上述显著优点，所以越来越受到人们的关注。目前顶栅型tft大都采用具有高载流子迁移率的igzo(铟镓锌氧化物)半导体做有源层。
技术实现要素：
本实用新型提供一种显示面板、以及显示面板制备方法、显示装置。
所采用的技术方案是一种显示面板，包括：
衬底基板，以及
所述衬底基板上的遮光层和多个阵列排布的薄膜晶体管；
所述遮光层由多个遮光单元构成,每个所述遮光单元与所述薄膜晶体管一一对应，位于所述薄膜晶体管靠近所述衬底基板的方向一侧；
在所述衬底基板远离所述遮光层方向上设置有缓冲层；
所述薄膜晶体管包括在远离所述缓冲层方向上依次设置的有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极层；
所述有源层包括所述有源层与所述栅极绝缘层在衬底基板上的投影非交叠的导体化区，以及所述有源层与所述栅极绝缘层在衬底基板上的投影交叠的沟道区；
所述源漏极层包括第一电极和第二电极；
所述遮光单元包括第一遮光区和第二遮光区，所述第二遮光区包围所述第一遮光区设置；
所述沟道区在衬底基板的投影位于所述第二遮光区在所述衬底基板的投影之内；
所述薄膜晶体管朝着远离所述衬底基板的方向上依次设置有钝化层和阳极。
可选的，其中，所述层间绝缘层包括第一过孔和第二过孔；
所述第一遮光区与所述第一过孔在所述遮光层上的投影区域至少部分存在重叠区域；
所述第二遮光区与所述第二过孔在所述遮光层上的投影区域至少部分存在重叠区域。
可选的，其中，所述第一电极至少一部分位于在所述第一过孔内；所述第一遮光区与所述第一过孔在所述遮光层上的投影区域完全重叠，通过所述第一过孔与所述第一电极相接触。
可选的，其中，所述第二电极至少一部分位于在所述第二过孔内；所述第二遮光区位于所述第一过孔在所述遮光层上的投影区域外，通过所述第二过孔与所述第二电极相接触。
可选的，其中，在所述遮光单元内，所述第一遮光区与所述第二遮光区通过缝隙相互隔离，互不连接。
可选的，其中，所述缝隙在所述衬底基板上的投影完全落在所述沟道区在所述衬底基板上的投影区域外。
可选的，其中，所述第一遮光区与所述第二遮光区材料包括铝、钼或铝钼铌合金等金属导电材料，厚度为0.20～0.25um。
可选的，其中，所述第一遮光区与所述第二遮光区还可以为一体无缝连接。
可选的，其中，所述第一遮光区为绝缘材料，所述第二遮光区配置为导电材料。
可选的，其中，所述第一遮光区的所述绝缘材料为金属氧化物或金属氮化物，所述第二遮光区的所述导电材料为铝、钼或铝钼铌合金等金属材料，厚度为0.20～0.25um。
本实用新型提供一种显示装置，其特征在于，包括上述显示面板任意一项技术特征。
本实用新型提供一种显示面板制备方法，包括：
提供衬底基板，以及
构图并沉积形成遮光层中的多个遮光单元，在所述遮光单元上形成第一遮光区和第二遮光区，所述第二遮光区配置为包围所述第一遮光区；
沉积缓冲层、构图并沉积形成有源层、沉积栅极绝缘层、构图并沉积形成栅极、沉积层间绝缘层、构图并沉积形成源漏极；
优选的，在形成多个所述遮光单元时，通过涂覆光刻胶、曝光、显影、干刻工艺制备缝隙，使所述第一遮光区被所述第二遮光区包围，且与所述第二遮光区通过缝隙相互隔离；
所述第一遮光区与所述第二遮光区材料均配置为金属导电材料。
优选的，在所述遮光单元上沉积缓冲层，并使用光刻胶在所述缓冲层上构图形成有源层图案，并在所述有源层上构图形成栅极绝缘层图案，并在所述栅极绝缘层上构图形成金属栅极；
不剥离所述栅极上方构图时使用的光刻胶，采用自对准工艺对所述栅极绝缘层进行刻蚀，将暴露出的有源层边缘，并进行导体化工艺；
沉积层间绝缘层，构图形成待刻蚀图案并通过等离子体干刻形成第一过孔和第二过孔；
优选的，在形成多个所述遮光单元时，包括：
采用半色调掩模进行曝光显影工艺，完全保留所述第二遮光区对应的不透光区光刻胶，部分保留所述第一遮光区对应的半透光区光刻胶，显影去除完全透光区的光刻胶，并进行刻蚀工艺形成第一遮光层图案；
在所述遮光层图案上进行剩余光刻胶的灰化处理，使半透光区的光刻胶被灰化去除；
对半透光区域对应的第一遮光区裸露出来的部分进行氧化或者氮化处理，形成绝缘体；
剥离所有光刻胶，形成所述遮光层
其中，所述遮光单元配置为一体结构，其中所述第一遮光区与所述第二遮光区配置为无缝隙连接；
所述第一遮光区配置为金属氧化物或金属氮化物材料，所述第二遮光区配置为金属材料；
沉积层间绝缘层，构图形成待刻蚀图案并通过等离子体干刻形成第一过孔和第二过孔；
本实用新型的显示面板和显示装置，包括衬底基板，以及衬底基板上的遮光层和多个阵列排布的薄膜晶体管。遮光层由多个遮光单元构成,每个遮光单元与所述薄膜晶体管一一对应，位于薄膜晶体管靠近所述衬底基板的方向一侧；遮光单元包括第一遮光区和第二遮光区，第二遮光区包围所述第一遮光区设置。根据本申请提供的技术方案，由于遮光单元的第一遮光区的存在，一方面能够不影响遮光层的遮光功能，使有源层得以保护；同时另一方面可以确保即使出现因工艺问题导致层间绝缘层过孔延伸至遮光层，也不会形成源漏极与第一电极的导电通路而造成短路，从而在漏极施加电压时不会造成亮点不良，能够有效提升显示效果和产品质量。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为一种薄膜晶体管所在显示面板剖面结构示意图；
图2为一种本实用新型实施例中子像素电路连接示意图；
图3为一种显示面板剖面结构示意图；
图4为一种遮光单元结构示意图；
图5为另一种显示面板剖面结构示意图；
图6为另一种遮光单元结构示意图；
图7为一种显示面板制备工艺流程示意图；
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释相关实用新型，而非对该实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示意出了与实用新型相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
图1为一种薄膜晶体管所在显示面板剖面结构示意图；
如图所示，提供一种显示面板，该显示面板包括衬底基板10，以及制备在其上的多个薄膜晶体管，包括有源层40，栅极60，以及源漏极层80；所述有源层40在衬底基板上的投影区域，与栅极在衬底基板上的投影区域存在重叠和非重叠的部分。所述有源层可选材料为非晶硅、多晶硅、金属氧化物等半导体材料。
可选的，在本实施例中所选用的材料为igzo(氧化铟镓锌)；所述非重叠部分可通过掺杂金属离子成为导体区401，用于进行电连接；而所述重叠部分则构成薄膜晶体管中的有源区，即沟道区402。
所述衬底基板10和薄膜晶体管之间还包括了沉积在衬底基板10上的一层金属遮光层20；所述遮光单元20为遮光金属层，由与多个薄膜晶体管一一对应的多个遮光单元组成，每个所述遮光单元在衬底基板上的投影至少与每个所述薄膜晶体管在衬底基板上的投影重叠，用于保护其上的薄膜晶体管中的有源层结构免于光线的直接照射，避免晶体管的功能失效或减弱。
所述显示面板中还包括多层功能层，其中：设置在遮光层20和有源层40之间为缓冲层30，用于缓解外部应力对显示面板内部的影响；设置在有源层40和栅极60之间的栅极绝缘层50，用于使有源层和栅极之间避免电连接；设置在薄膜晶体管内部用于防止源漏极与显示面板中其它连接线电连接的层间绝缘层70，以及设置在远离衬底基板方向上覆盖薄膜晶体管的钝化层90；其中，显示面板上薄膜晶体管中的源漏级，通过在所述层间绝缘层70中设置的第一过孔701，与有源层40中导体化的导体区401连接；显示面板上薄膜晶体管中的源漏级，通过在所述层间绝缘层70和缓冲层30中贯穿设置的第二过孔702，与遮光层40连接；显示面板上薄膜晶体管中的源/漏级穿过所述钝化层与阳极层100电连接，所述阳极层材料为透明电极ito。
在amoled产品电路设计中，采用如图2为一种本实用新型实施例中子像素电路连接示意图：以n型晶体管为例示出了子像素电路的基本结构，具体地，所述子像素电路包括驱动晶体管t3、第一开关晶体管t1、第二开关晶体管t2和发光元件。
所述第一开关晶体管t1的第一电极连接数据线data，所述第一开关晶体管t2的第二电极连接所述驱动晶体管t3的栅极，所述第一开关晶体管t1的栅极连接第一扫描线g1。所述驱动晶体管t3的第一电极连接第一电源端vdd，所述驱动晶体管t3的第二电极连接发光元件的阳极，所述发光元件的阴极连接第二电源端vss，所述第二开关晶体管t2的第一电极连接所述驱动晶体管t3的第二电极，所述第二开关晶体管t2的第二电极连接感测线sense，所述第二开关晶体管t2的栅极连接第二扫描线g2。
在本实施方案中，使用igzo半导体做有源层。其工艺流程包括：在衬底基板采用化学气相沉积工艺(以下简称沉积)，并利用光学掩膜版通过涂胶(光刻胶pr)、曝光、显影等工序(以下简称构图)形成遮光层，进一步地沉积缓冲层，进一步地构图并沉积形成有源层，进一步地沉积栅极绝缘层，进一步地构图并沉积形成栅极，进一步地不剥离图形上方的pr胶，进一步地采用自对准工艺对下方的栅极绝缘层进行高能气体干刻刻蚀工艺，进一步地进行有源层的导体化工艺，进一步地沉积层间绝缘层并构图继续干刻形成第一过孔和第二过孔，进一步地构图并沉积形成源/漏极，最后沉积钝化层和阳极。其中，源级801所连接的信号线上通过的是第一电源端vdd信号；漏极802与阳极100相互搭接在一起；漏极802通过第二过孔702与遮挡层20电连接，通过源漏极层实现电信号的接入；
可选的，有源层20中的非沟道部分的导体区401，与遮挡单元共同构成存储电容。通过遮光层20与有源层40中导体区401分别作为两极板构成的所述存储电容，因中间仅仅相隔缓冲层30，相隔较近，可存储更多的电荷量，工作性能优异。
在实际制备薄膜晶体管工艺过程中，由于大面积干刻的不均匀性，会导致像素区的栅极绝缘层刻蚀不均，一些位置会刻蚀到下方的缓冲层，导致显示器件的出光效率不均；其次，由于不同位置缓冲层被刻蚀程度不一，导致后续进行层间绝缘层刻蚀时工艺不好掌控，容易对下方的光栅遮挡层图案层造成刻蚀损伤；另外，由于制备过孔时刻蚀量不易控制，常常过刻蚀造成短路的情况，使显示设备某些像素点无法正常点亮，而带来坏点。基于以上现有技术的缺陷和不足，需要在实际工艺操作时提出全新的显示面板结构设计和显示面板制备方法，从而提升产品的显示品质。
在实际工艺过程中，由于形成第一过孔时工艺中的干刻强弱不易控制，容易出现过刻量较大的情况；加上有源层在实际工艺中一般成膜较薄，而造成某些部分易缺失或者被干刻掉，导致第一过孔一直打到下方的遮光层的遮光单元上，从而造成后续漏极与遮光层中的遮光单元短接，形成源极→遮光单元→漏极→阳极ito的通路，从而在漏极加电压时造成亮点不良。
以下举例示意多个实施例，可以有效解决因漏极与遮光单元短路，造成的亮点高发不良，从而显著提升产品的显示质量。
实施例1：
图3为一种显示面板剖面结构示意图；
该显示面板包括衬底基板10，以及制备在其上的多个薄膜晶体管，包括有源层40，栅极60，以及源漏电极层80；所述有源层40在衬底基板上的投影区域，与栅极在衬底基板上的投影区域存在重叠和非重叠的部分。一般而言，所述有源层可选材料为非晶硅、多晶硅、金属氧化物等半导体材料。可选的，在本实施例中所选用的材料为igzo(氧化铟镓锌)；所述非重叠部分可通过掺杂金属离子成为导体区401，用于进行电连接；而所述重叠部分则构成薄膜晶体管中的有源区402。
所述衬底基板10和薄膜晶体管之间还包括了沉积在衬底基板10上的一层金属遮光层20；所述遮光单元20为遮光金属层，由与多个薄膜晶体管一一对应的多个遮光单元组成，每个所述遮光单元在衬底基板上的投影至少与每个所述薄膜晶体管在衬底基板上的投影重叠，用于保护其上的薄膜晶体管中有源层结构免于光线的直接照射，避免晶体管的功能失效或减弱。
所述显示面板中还包括多层功能层，其中：设置在遮光层20和有源层40之间为缓冲层30，用于缓解外部应力对显示面板内部的影响；设置在有源层40和栅极60之间的栅极绝缘层50，用于使有源层和栅极之间避免电连接；设置在薄膜晶体管内部用于防止源漏电极与显示面板中其它连接线电连接的的层间绝缘层70，以及设置在远离衬底基板方向上覆盖薄膜晶体管的钝化层90；其中，显示面板上薄膜晶体管中的源/漏级，通过在所述层间绝缘层70中设置的第一过孔701，与有源层40中导体化的导体区401连接；显示面板上薄膜晶体管中的源/漏级，通过在所述层间绝缘层70和缓冲层30中贯穿设置的第二过孔702，与遮光层40连接；显示面板上薄膜晶体管中的源漏级穿过所述钝化层与阳极层100电连接，所述阳极层材料为透明电极ito。
在所述显示面板中，与薄膜晶体管对应的遮光单元包括第一遮光区201和第二遮光区202，第二遮光区包围所述第一遮光区设置，遮光层20设计成局部镂空结构；
所述第一遮光区位于所述第一过孔在所述遮光区上的投影区域内，且与所述第一过孔内的源级或漏极相接触；
所述第二遮光区位于所述第一过孔在所述遮光层上的投影区域外，且与所述第二过孔内的漏极或源级相接触；
如图4为一种遮光单元结构示意图；
在所述遮光单元内，所述第一遮光区被所述第二遮光区包围，其中，在所述遮光单元内，所述第一遮光区与所述第二遮光区通过缝隙相互隔离，互不连接；所述缝隙在所述衬底基板上的投影完全落在所述有源层沟道区在所述衬底基板上的投影区域外。这样，狭缝导致两个区域断路，且与有源层沟道区域不重叠，避免环境光通过狭缝照射至薄膜晶体管中的有源区，影响器件寿命。
所述第一遮光区与所述第二遮光区材料配置为导电材料，一般可选择铁、铝、银等金属材料，或者导电系数较高的纳米材料。这样一方面不影响遮光层的遮光功能，而且同时可以确保即使因工艺问题导致第一过孔与遮光单元接触时，由于隔离缝隙的存在，第一遮光区成为孤岛结构，不会形成漏极和阳极ito之间的通路，从而避免在漏极加电压时造成亮点不良。
本实用新型实施例中显示面板制备方法，包括步骤：提供衬底基板，以及依次构图沉积遮光层、沉积缓冲层、构图并沉积形成有源层、沉积栅极绝缘层、构图并沉积形成栅极、沉积层间绝缘层、构图沉积形成源级和漏极；
在所述遮光层上包括多个遮光单元；在所述遮光单元上形成第一遮光区和第二遮光区，所述第二遮光区包围所述第一遮光区设置。
优选的，显示面板制备方法还包括：在形成多个所述遮光单元时，通过涂覆光刻胶、掩模、曝光、显影、干刻工艺制备缝隙，使所述第一遮光区被所述第二遮光区包围，且与所述第二遮光区通过缝隙相互隔离；所述第一遮光区与所述第二遮光区材料均配置为金属导电材料；
可选的，材料配置为铝、钼或铝钼铌合金等金属导电材料，厚度为0.20～0.25um。
优选的，一种显示面板制备方法还包括：在所述遮光单元上沉积缓冲层，并使用光刻胶在所述缓冲层上构图形成有源层图案，并在所述有源层上构图形成栅极绝缘层图案，并在所述栅极绝缘层上构图形成金属栅极；
不剥离所述栅极上方构图时使用的光刻胶，采用自对准工艺对所述栅极绝缘层进行刻蚀，将暴露出的有源层边缘，并进行导体化工艺；
沉积层间绝缘层，构图形成待刻蚀图案并通过等离子体干刻形成第一过孔和第二过孔；
所述第一遮光区在所述遮光层上的投影区域与第一过孔在所述遮光层上的投影区域至少部分存在重叠区域；
所述第二遮光区在所述遮光层上的投影区域与第二过孔在所述遮光层上的投影区域至少部分存在重叠区域。
这样一方面不影遮光单元的遮光功能，而且同时可以确保即使因工艺问题导致层间绝缘层过孔刻蚀量过大刻蚀至遮光层上，也不会形成源极→遮光单元→漏极→阳极ito的通路，从而在漏极给电压时不会造成亮点不良。采用本实施例的方案可以显著降低亮点不良的发生率，从而显著提升产品的显示质量。
实施例2：
图5为另一种显示面板剖面结构示意图；
本实例提供一种显示面板，该显示面板包括衬底基板10，以及制备在其上的多个薄膜晶体管，包括有源层40，栅极60，以及源/漏电极层80；所述有源层40在衬底基板上的投影区域，与栅极在衬底基板上的投影区域存在重叠和非重叠的部分。一般而言，所述有源层可选材料为非晶硅、多晶硅、金属氧化物等半导体材料。可选的，在本实施例中所选用的材料为igzo(氧化铟镓锌)；所述非重叠部分可通过掺杂金属离子成为导体区401，用于进行电连接；而所述重叠部分则构成薄膜晶体管中的有源区，即沟道区402。
所述衬底基板10和薄膜晶体管之间还包括了沉积在衬底基板10上的一层金属遮光层20；所述遮光单元20为遮光金属层，由与多个薄膜晶体管一一对应的多个遮光单元组成，每个所述遮光单元在衬底基板上的投影至少与每个所述薄膜晶体管在衬底基板上的投影重叠，用于保护其上的薄膜晶体管中的有源层结构免于光线的直接照射，避免晶体管的功能失效或减弱。
所述显示面板中还包括多层功能层，其中：设置在遮光层20和有源层40之间为缓冲层30，用于缓解外部应力对显示面板内部的影响；设置在有源层40和栅极60之间的栅极绝缘层50，用于使有源层和栅极之间避免电连接；设置在薄膜晶体管内部用于防止源漏电极与显示面板中其它连接线电连接的的层间绝缘层70，以及设置在远离衬底基板方向上覆盖薄膜晶体管的钝化层90；其中，显示面板上薄膜晶体管中的源漏级，通过在所述层间绝缘层70中设置的第一过孔701，与有源层40中导体化的导体区401连接；显示面板上薄膜晶体管中的源漏级，通过在所述层间绝缘层70和缓冲层30中贯穿设置的第二过孔702，与遮光层40连接；显示面板上薄膜晶体管中的源漏级穿过所述钝化层与阳极层100电连接，所述阳极层材料为透明电极ito。
在所述显示面板中，与薄膜晶体管对应的遮光单元包括第一遮光区201和第二遮光区202，第二遮光区包围所述第一遮光区设置；优选地，遮光单元设计成局部绝缘化的结构；
所述第一遮光区位于所述第一过孔在所述遮光区上的投影区域内，且与所述第一过孔内的源级或漏极相接触；
所述第二遮光区位于所述第一过孔在所述遮光层上的投影区域外，且与所述第二过孔内的漏极或源级相接触；
图6为另一种遮光单元结构示意图；
在所述遮光单元内，所述第一遮光区被所述第二遮光区包围；所述遮光单元为一体结构，其中所述第一遮光单元与所述第二遮光单元相互连接；
所述第一遮光单元配置为绝缘材料，所述第二遮光单元配置为导电材料；所述绝缘材料可为金属氧化物或金属氮化物；导电材料可选择铁、铝、银、钼或铝钼铌合金等金属导电材料，或者导电系数较高的纳米材料。这样一方面不影响遮光层的遮光功能，而且同时可以确保即使因工艺问题导致第一过孔与遮光单元接触时，由于第一遮光区的存在，过刻蚀处在遮光层对应区域为绝缘区域，不会形成漏极和阳极ito之间的通路，从而避免在漏极加电压时造成亮点不良。
图7为一种显示面板制备工艺流程示意图；
显示面板制备方法，包括步骤：提供衬底基板，以及依次构图沉积遮光层、沉积缓冲层、构图并沉积形成有源层、沉积栅极绝缘层、构图并沉积形成栅极、沉积层间绝缘层、构图沉积形成源级和漏极；
在所述遮光层上包括多个遮光单元；在所述遮光单元上形成第一遮光区和第二遮光区，所述第一遮光区和所述第二遮光区设置为相互交错排列；
在多个所述遮光单元上对应形成多个薄膜晶体管；
优选的，在形成多个所述遮光单元时包括：采用半色调掩模进行曝光显影工艺，完全保留所述第二遮光区对应的不透光区光刻胶，部分保留所述第一遮光区对应的半透光区光刻胶，显影去除完全透光区的光刻胶，并进行刻蚀工艺形成第一遮光层图案；
在所述遮光层图案上进行剩余光刻胶的灰化处理，使半透光区的光刻胶被灰化去除；
对半透光区域对应的第一遮光区裸露出来的部分进行氧化或者氮化处理，形成绝缘体；
剥离所有光刻胶，形成所述遮光层
其中，所述遮光单元配置为一体结构，其中所述第一遮光区与所述第二遮光区配置为直接相互连接；
所述第一遮光区配置为金属氧化物或金属氮化物材料，所述第二遮光区配置为金属材料；
沉积层间绝缘层，构图形成待刻蚀图案并通过等离子体干刻形成第一过孔和第二过孔；
所述第一遮光区在所述遮光层上的投影区域与第一过孔在所述遮光层上的投影区域至少部分存在重叠区域；
所述第二遮光区在所述遮光层上的投影区域与第二过孔在所述遮光层上的投影区域至少部分存在重叠区域。
这样一方面不影响遮光单元的遮光功能，而且同时可以确保即使因工艺问题导致层间绝缘层孔打到遮光层上，也不会形成源极→遮光单元→漏极→阳极ito的通路，从而在漏极给电压时不会造成亮点不良。
采用本技术方案可以有效解决因源/漏极与遮光层短路，造成的亮点高发不良，从而显著提升产品的显示质量，而且本技术提案不增加任何曝光工序。
实施例3：
本实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括实施例1或实施例2中所述的显示面板。该显示装置可以为：oled面板、手机、平板电脑、数码相框、笔记本电脑、显示器、电视机、导航仪、车载多功能后视镜装置等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例的显示装置中具有实施例1或2中的显示面板，故其制备工艺简单、工艺可靠性高，解决局部短路带来的不良问题，能够有效提升显示效果和产品质量。
当然，本实施例的显示装置中还可以包括其他常规结构，如电源单元、显示驱动单元、发光单元、封装单元以及框架结构等。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
可以理解的是，以上描述仅为本申请的示例性实施方式以及对所运用技术原理、结构以及工艺步骤的说明。对于本领域内的普通技术人员而言，应当理解本申请中所涉及的实用新型范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述实用新型构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
1.一种显示面板，其特征包括：
衬底基板，以及
所述衬底基板上的遮光层和多个阵列排布的薄膜晶体管；
所述遮光层由多个遮光单元构成,每个所述遮光单元与所述薄膜晶体管一一对应，位于所述薄膜晶体管靠近所述衬底基板的方向一侧；
在所述衬底基板远离所述遮光层方向上设置有缓冲层；
所述薄膜晶体管包括在远离所述缓冲层方向上依次设置的有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极层；
所述有源层包括所述有源层与所述栅极绝缘层在衬底基板上的投影非交叠的导体化区，以及所述有源层与所述栅极绝缘层在衬底基板上的投影交叠的沟道区；
所述源漏极层包括第一电极和第二电极；
所述遮光单元包括第一遮光区和第二遮光区，所述第二遮光区包围所述第一遮光区设置；
所述沟道区在衬底基板的投影位于所述第二遮光区在所述衬底基板的投影之内；
所述薄膜晶体管朝着远离所述衬底基板的方向上依次设置有钝化层和阳极。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述层间绝缘层包括第一过孔和第二过孔；
所述第一遮光区与所述第一过孔在所述遮光层上的投影区域至少部分存在重叠区域；
所述第二遮光区与所述第二过孔在所述遮光层上的投影区域至少部分存在重叠区域。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极至少一部分位于在所述第一过孔内；所述第一遮光区与所述第一过孔在所述遮光层上的投影区域完全重叠，通过所述第一过孔与所述第一电极相接触。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电极至少一部分位于在所述第二过孔内；所述第二遮光区位于所述第一过孔在所述遮光层上的投影区域外，通过所述第二过孔与所述第二电极相接触。
5.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，在所述遮光单元内，所述第一遮光区与所述第二遮光区通过缝隙相互隔离，互不连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述缝隙在所述衬底基板上的投影完全落在所述沟道区在所述衬底基板上的投影区域外。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光区与所述第二遮光区材料包括铝、钼或铝钼铌合金等金属导电材料，厚度为0.20～0.25um。
8.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光区与所述第二遮光区为一体无缝连接。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光区为绝缘材料，所述第二遮光区配置为导电材料。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光区的所述绝缘材料为金属氧化物或金属氮化物，所述第二遮光区的所述导电材料为铝、钼或铝钼铌合金等金属材料。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10中任意一项的显示面板。
技术总结