本实用新型涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种透明显示面板、显示装置及其显示面板。
背景技术：
随着显示装置的快速发展，用户对屏幕占比的要求越来越高，由于屏幕上方需要安装摄像头、传感器、听筒等元件，因此现有技术中屏幕上方通常会预留一部分区域用于安装上述元件，例如苹果手机iphonex的前刘海区域，影响了屏幕的整体一致性，全面屏显示受到业界越来越多的关注。
技术实现要素：
本实用新型的发明目的是提供一种用于全面屏的透明显示面板、显示装置及其显示面板。
为实现上述目的，本实用新型的第一方面提供一种透明显示面板，包括：基底、若干第一子像素以及变色层；所述基底透光，所述第一子像素至少包括第一发光结构块；所述变色层在所述基底的正投影位于所述第一发光结构块在所述基底的非正投影区，所述变色层根据所述第一子像素的发光状态改变变色层的透过率，用于所述第一子像素发光时遮蔽外界光反射，所述第一子像素不发光时使外界光透过。
需要说明的是，本实用新型中的非正投影区是指：正投影区以外的区域。
可选地，所述变色层在所述第一子像素发光时被设置为不透光状态，和/或在所述第一子像素不发光时被设置为全透明状态。
可选地，所述第一发光结构块位于所述像素定义层的开口内，所述变色层在所述基底的正投影位于所述像素定义层在所述基底的正投影内。
可选地，所述透明显示面板为顶发光结构，所述变色层与所述基底分别位于所述若干第一子像素的两侧。
可选地，所述第一子像素还包括位于所述第一发光结构块下的第一电极，以及位于所述第一发光结构块上的第二电极；各个所述第一子像素的第二电极连接成一面电极，所述变色层位于所述面电极上。
可选地，所述第一子像素上设置有光提取层，所述变色层位于所述光提取层的上方或下方；
或所述第一子像素上设置有封装层，所述变色层位于所述封装层的上方或下方。
可选地，所述变色层为电致变色层。
可选地，所述电致变色层的材料为氧化钨、氧化镍、液晶、或中空的金银合金纳米结构。
本实用新型的第二方面提供一种显示面板，包括透明显示区与非透明显示区，所述透明显示区设置有上述任一项所述的透明显示面板。
可选地，所述非透明显示区设置有基底、若干第二子像素以及偏光片，所述变色层与所述偏光片位于同一层。
本实用新型的第三方面提供一种显示装置，包括：
设备本体，具有器件区；
以及上述任一项的显示面板，覆盖在所述设备本体上；
其中，所述器件区位于所述显示面板的透明显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述透明显示区发射或者采集光线的感光器件。
可选地，所述感光器件包括：摄像头、红外传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器中的至少一种。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：
1)通过设置图案化的变色层，变色层在基底的正投影与第一子像素中的第一发光结构块在基底的正投影不重叠，且控制变色层的透光率，在第一子像素发光时遮蔽外界光反射，不发光时使外界光透过。第一子像素发光时，透光率低的变色层可以减弱外界光的反射、减少眩光、防止外界光干扰第一子像素的显色；第一子像素不发光时，透光率高的变色层可以使外界光透过，保证透明显示面板的透光率。上述变色层使得可以省略设置偏光片。
2)可选方案中，控制变色层在第一子像素发光时为不透光状态，和/或不发光时为全透明状态。第一子像素发光时，不透光状态的变色层类似于黑矩阵，可以进一步减弱外界光的反射、减少眩光、防止外界光干扰第一子像素的显色；第一子像素不发光时，全透明状态的变色层可以使大量外界光通过，进一步保证透明显示面板的透光率。
3)可选方案中，第一发光结构块位于像素定义层的开口内，变色层在基底的正投影位于像素定义层在基底的正投影内。相对于偏光片，变色层可以增强像素定义层所在路径上的透光率。
4)可选方案中，透明显示面板为顶发光结构，变色层与基底分别位于若干第一子像素的两侧。换言之，变色层位于若干第一子像素的上方。其它可选方案中，透明显示面板也可以为底发光结构，此时，变色层与若干第一子像素分别位于基底的两侧。换言之，变色层位于基底的下方。本实用新型的变色层的方案可以兼容顶发光结构与底发光结构。
5)可选方案中，变色层为电致变色层。其它可选方案中，变色层还可以为磁致变色层。相对于磁致变色层，电致变色层的控制相对简单，可以避免设置用于生成磁场的线圈。
附图说明
图1是本实用新型第一实施例中的透明显示面板的俯视图；
图2是图1中的透明显示面板在第一子像素发光时的工作原理图；
图3是图1中的透明显示面板在第一子像素不发光时的工作原理图；
图4是本实用新型第二实施例的透明显示面板在第一子像素发光时的工作原理图；
图5是图4中的透明显示面板在第一子像素不发光时的工作原理图；
图6是本实用新型第三实施例的显示面板的俯视图；
图7是图6中部分区域的截面结构示意图。
为方便理解本实用新型，以下列出本实用新型中出现的所有附图标记：
透明显示面板1、2基底10
第一子像素11变色层12
第一发光结构块11a第一电极11b
像素定义层pdl第二电极11c
封装层13第一无机封装层131
第二无机封装层132有机封装层133
显示面板3透明显示区3a
非透明显示区3b第二子像素21
第二发光结构块21a第三电极21b
第四电极21c偏光片pol
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施例做详细的说明。
图1是本实用新型第一实施例中的透明显示面板的俯视图。图2是图1中的透明显示面板在第一子像素发光时的工作原理图。图3是图1中的透明显示面板在第一子像素不发光时的工作原理图。
参照图1至图3所示，该显示面板1，包括：基底10、若干第一子像素11以及变色层12；基底10透光，第一子像素11至少包括第一发光结构块11a；变色层12在基底10的正投影位于第一发光结构块11a在基底10的非正投影区，变色层12根据第一子像素11的发光状态改变变色层12的透过率，用于第一子像素11发光时遮蔽外界光反射，第一子像素11不发光时使外界光透过。
图2中，基底10上具有第一电极11b，第一电极11b以及未覆盖第一电极11b的基底10上设置有像素定义层pdl；像素定义层pdl具有暴露第一电极11b的部分区域的开口，开口内设置有第一发光结构块11a，第一发光结构块11a以及像素定义层pdl上设置有第二电极11c。第一电极11b、第一发光结构块11a以及第二电极11c构成第一子像素11。第一发光结构块11a可以为红、绿或蓝，也可以为红、绿、蓝或黄。红绿蓝三基色或红绿蓝黄四基色的第一子像素11构成一个第一像素单元。第一发光结构块11a可以为有机发光材料层(oled)。第一电极11b可以为阳极，具体可以为透光阳极，材料例如氧化铟锡(ito)；也可以为反光阳极，例如为ito、金属银、ito的叠层结构。第二电极11c具有部分透光、部分反光的功能，材料例如为金属镁、金属银中的一种或混合物。各第一子像素11的第二电极11c可以连接成一面电极。
透明显示面板1为顶发光结构。
图2中，变色层12在基底10的正投影可以位于像素定义层pdl在基底10的正投影内。变色层12可以为电致变色层，材料可以为氧化钨、氧化镍、液晶、或中空的金银合金纳米结构。其它可选方案中，变色层12还可以为磁致变色层。相对于磁致变色层，电致变色层的控制相对简单，可以避免设置用于生成磁场的线圈。
参照图2所示，第一子像素11的第一电极11b与第二电极11c之间施加驱动电压时，第一发光结构块11a发光，可以用于显示。此时，透光率低的变色层12可以减弱外界光的反射、减少眩光、防止外界光干扰第一子像素11的显色。
参照图3所示，各个第一子像素11未被驱动时，第一发光结构块11a不发光，摄像头，具体可以为前置摄像头，可以通过透明显示面板1采集图像。此时，透光率高的变色层12可以使外界光通过，保证透明显示面板1的透光率。
上述变色层12使得可以省略设置偏光片。
一些实施例中，变色层12在第一子像素11发光时可以被设置为不透光状态，在第一子像素11不发光时可以被设置为全透明状态。不透光状态的变色层12类似于黑矩阵，可以进一步减弱外界光的反射、减少眩光、防止外界光干扰第一子像素11的显色。全透明状态的变色层12可以使大量外界光通过，进一步保证透明显示面板1的透光率。
图2中，各个第一子像素11上设置有封装层13，变色层12位于封装层13的上方。一些实施例中，变色层12还可以位于封装层13的下方、面电极的上方。封装层13包括：第一无机封装层131、第二无机封装层132，以及位于第一无机封装层131与第二无机封装层132之间的有机封装层133。另一些实施例中，变色层12位于第一无机封装层131与有机封装层133之间，或位于第二无机封装层132与有机封装层133之间。再一些实施例中，各个第一子像素11上可以设置有光提取层(未图示)，变色层12可以位于光提取层的上方或下方。
一些实施例中，摄像头通过透明显示面板1采集图像时，为降低光线在穿过各第一子像素11时的衍射问题，第一电极11b在基底10所在平面的正投影可以呈圆形、椭圆形、哑铃形或葫芦形。上述各种图案相对于矩形，更能解决衍射问题。
图4是本实用新型第二实施例的透明显示面板在第一子像素发光时的工作原理图。图5是图4中的透明显示面板在第一子像素不发光时的工作原理图。参照图4与图5所示，本实施例的透明显示面板2与图1至3中的显示面板1大致相同，区别仅在于：变色层12与若干第一子像素11分别位于基底10的两侧。换言之，变色层12位于基底10的下方，即本实施例二的透明显示面板2为底发光结构。
图6是本实用新型第三实施例的显示面板的俯视图。图7是图6中部分区域的截面结构示意图。参照图6与图7所示，本实施例的显示面板3包括透明显示区3a与非透明显示区3b，透明显示区3a设置有上述的任一透明显示面板1、2。
参照图7所示，非透明显示区3b可以包括若干个第二像素单元，第二像素单元包括若干个第二子像素21。第二子像素21包括第三电极21b、位于第三电极21b上的第二发光结构块21a及位于第二发光结构块21a上的第四电极21c。第二发光结构块21a可以为红、绿或蓝，也可以为红、绿、蓝或黄。红绿蓝三基色或红绿蓝黄四基色的第二子像素21构成一个第二像素单元。第二发光结构块21a可以为有机发光材料层(oled)。第三电极21b为反光阳极，例如为ito、金属银、ito的叠层结构。第四电极21c具有部分透光、部分反光的功能，但透光率小于第二电极，材料例如为金属镁、金属银中的一种或混合物。各第二子像素21的第四电极21c可以连接成一面电极。
图7中，偏光片pol位于各个第二子像素21的上方，变色层12与偏光片pol位于同层。可以看出，显示面板3为顶发光结构。其它实施例中，第二子像素21中的第三电极21b可以为透光阳极，第四电极21c为反光阴极，偏光片pol位于基底10的下方。显示面板3为底发光结构。底发光结构的显示面板3中，变色层12也可以与偏光片pol位于同层。
本实施例三的显示面板3中，由于变色层12的设置，可以提高透明显示区3a与非透明显示区3b在显示时的一致性，从而提高了显示面板3作为全面屏使用时的整体显示效果。
图6所示实施例中，透明显示区3a的一边紧邻边框。另外一个实施例中，透明显示区3a也可以完全设置在非透明显示区3b内。此外，图6所示实施例中，透明显示区3a呈水滴状，其它实施例中，透明显示区3a也可以呈矩形、圆形、椭圆形、刘海状等。
基于上述透明显示面板1、2、显示面板3，本实用新型一实施例还提供一种显示装置。
该显示装置可以为手机、平板电脑、车载显示屏等的显示装置。
显示装置包括：
设备本体，具有器件区；
以及上述任一的透明显示面板1、2或显示面板3，覆盖在设备本体上；
其中，器件区位于透明显示面板1、2下方或显示面板3的透明显示区3a下方，且器件区中设置有透过透明显示面板1、2或透明显示区3a发射或者采集光线的感光器件。
感光器件可以包括：摄像头、红外传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器中的至少一种。
虽然本实用新型披露如上，但本实用新型并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
1.一种透明显示面板，其特征在于，包括：基底、若干第一子像素以及变色层；所述基底透光，所述第一子像素至少包括第一发光结构块；所述变色层在所述基底的正投影位于所述第一发光结构块在所述基底的非正投影区，所述变色层根据所述第一子像素的发光状态改变变色层的透过率，用于所述第一子像素发光时遮蔽外界光反射，所述第一子像素不发光时使外界光透过。
2.根据权利要求1所述的透明显示面板，其特征在于，所述基底上具有像素定义层，所述像素定义层具有开口，所述第一发光结构块位于所述像素定义层的开口内，所述变色层在所述基底的正投影位于所述像素定义层在所述基底的正投影内。
3.根据权利要求1所述的透明显示面板，其特征在于，所述透明显示面板为顶发光结构，所述变色层与所述基底分别位于所述若干第一子像素的两侧。
4.根据权利要求3所述的透明显示面板，其特征在于，所述第一子像素还包括位于所述第一发光结构块下的第一电极，以及位于所述第一发光结构块上的第二电极；各个所述第一子像素的第二电极连接成一面电极，所述变色层位于所述面电极上。
5.根据权利要求3所述的透明显示面板，其特征在于，所述第一子像素上设置有光提取层，所述变色层位于所述光提取层的上方或下方；
或所述第一子像素上设置有封装层，所述变色层位于所述封装层的上方或下方。
6.根据权利要求1所述的透明显示面板，其特征在于，所述变色层为电致变色层。
7.根据权利要求6所述的透明显示面板，其特征在于，所述电致变色层的材料为氧化钨、氧化镍、液晶、或中空的金银合金纳米结构。
8.一种显示面板，其特征在于，包括透明显示区与非透明显示区，所述透明显示区设置有权利要求1至7任一项所述的透明显示面板。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述非透明显示区设置有基底、若干第二子像素以及偏光片，所述变色层与所述偏光片位于同一层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：
设备本体，具有器件区；
以及权利要求8或9所述的显示面板，覆盖在所述设备本体上；其中，所述器件区位于所述显示面板的透明显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述透明显示区发射或者采集光线的感光器件。
技术总结