本发明涉及干冰生产技术领域，具体地，设计涉及一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰配方及生产工艺。
背景技术：
随着干冰技术发展，干冰的应用场景越来越广泛，其中，在手机壳毛刺打磨工艺中，利用刮刀将块状干冰刮成小颗粒，接着使小颗粒在气流的作用下冲击在手机外壳毛刺上，发生微小爆破从而达到将手机壳上的毛刺去除目的。
这种毛刺去除的工艺过程中所使用的干冰，其是通过液体二氧化碳从储罐高压一侧直接输送至低压压片机中，在压片机的压缩作用下液体二氧化碳直接压缩成成品干冰，该干冰生产过程简单，效率高。干冰是固态的二氧化碳，在6250.5498千帕压力下，把二氧化碳冷凝成无色的液体，再在低压下迅速蒸发而得到。纯净的干冰为分子晶体，其硬度主要依赖分子间范德华力，硬度比离子晶体(如nacl)和原子晶体(如铁、钢等)小。采用纯净的干冰去除手机中框毛刺时冲击力有限，效率较低。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提供一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰配方，以及该增强型干冰的生产工艺；所述增强型干冰包括：干冰、盐；所述干冰和盐的配比为1:30；通过该增强型生产设备的加工工艺使得干冰微粒与微盐颗粒充分混合，成型后的干冰块包含更硬的微盐颗粒，并且混合比例可控，使得用于去除手机中框毛刺的干冰具有更大的打击力，使得去除效果更好，同时减少了干冰的用量，降低了成本，所述增强型干冰具有成本低，市场空间大，去除毛刺效果显著的优点。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰配方，包括干冰,盐，所述干冰和盐的配比为1:30。
优选地，所述干冰为二氧化碳，所述盐为氯化钠。
优选地，所述干冰用量1g,所述盐的用量30g。
一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰的生产工艺，所述生产工艺包括以下步骤：
s1液态二氧化碳从设备的入口进入结晶室进行降压，二氧化碳结晶成干冰，一部分二氧化碳变为废气从泄压口排出；
s2结晶后的干冰通过干冰晶体下料轴和漏斗落在搅拌器中，其中下料轴通过电机控制以一定速度保持转动供料，转动时保持机械密封，确保结晶室压力稳定,同时位于结晶室外壁的振锤保持工作状态，确保干冰持续下落；
s3微盐颗粒通过安装于结晶室外壁的微盐颗粒下料轴持续进入下料漏斗和下料筒中，进入搅拌器，搅拌器通过电机以一定速度持续工作，使得微盐颗粒与干冰进行充分混合，然后一同进入压块室中进行干冰压块动作；
s4在设备的工作过程中，通过控制干冰晶体下料轴和微盐颗粒下料轴的供料轴的转速来控制干冰颗粒与微盐颗粒配比，以满足不同硬度的干冰块生产。
优选地，所述生产设备的压力6250.5498千帕。
通过上述技术方案，本发明提供了一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰配方，以及该增强型干冰的生产工艺；所述增强型干冰包括：干冰、盐；所述干冰和盐的配比为1:30；通过该增强型生产设备的加工工艺使得干冰微粒与微盐颗粒充分混合，成型后的干冰块包含更硬的微盐颗粒，并且混合比例可控，使得用于去除手机中框毛刺的干冰具有更大的打击力，使得去除效果更好，同时减少了干冰的用量，降低了成本，所述增强型干冰具有成本低，市场空间大，去除毛刺效果显著的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1所示为本发明所提供的生产设备结构示意图；
1、液态二氧化碳入口，2、结晶室，3、泄压口，4、微盐颗粒下料轴，5、轴套，6、搅拌器，7、压块室，8、下料筒，9、下料漏斗，10、干冰晶体下料轴，11、振锤
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰配方，包括干冰,盐，所述干冰和盐的配比为1:30。
优选地，所述干冰为二氧化碳，所述盐为氯化钠。
优选地，所述干冰用量1g,所述盐的用量30g。
一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰的生产工艺，所述生产工艺包括以下步骤：
s1液态二氧化碳从设备的入口1进入结晶室2进行降压，二氧化碳结晶成干冰，一部分二氧化碳变为废气从泄压口3排出；
s2结晶后的干冰通过干冰晶体下料轴10和下料漏斗9落在搅拌器6中，其中干冰晶体下料轴10通过电机控制以一定速度保持转动供料，转动时保持机械密封，确保结晶室3压力稳定,同时位于结晶室3外壁的振锤11保持工作状态，确保干冰持续下落；
s3微盐颗粒通过安装于结晶室2外壁的微盐颗粒下料轴4持续进入下料漏斗9和下料筒8中，进入搅拌器6，搅拌器6通过电机以一定速度持续工作，使得微盐颗粒与干冰进行充分混合，然后一同进入压块室7中进行干冰压块动作；
s4在设备的工作过程中，通过控制干冰晶体下料轴10和微盐颗粒下料轴4的供料轴的转速来控制干冰颗粒与微盐颗粒配比，以满足不同硬度的干冰块生产。
优选地，所述生产设备的压力6250.5498千帕。
优选地，所述干冰晶体下料轴10和微盐颗粒下料轴4均通过轴套固定于下料漏斗上方。
实施例2
一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰配方，包括干冰,盐，所述干冰和盐的配比为1:20。
优选地，所述干冰为二氧化碳，所述盐为氯化钠。
优选地，所述干冰用量1g,所述盐的用量20g。
一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰的生产工艺，所述生产工艺包括以下步骤：
s1液态二氧化碳从设备的入口1进入结晶室2进行降压，二氧化碳结晶成干冰，一部分二氧化碳变为废气从泄压口3排出；
s2结晶后的干冰通过干冰晶体下料轴10和下料漏斗9落在搅拌器6中，其中干冰晶体下料轴10通过电机控制以一定速度保持转动供料，转动时保持机械密封，确保结晶室3压力稳定,同时位于结晶室3外壁的振锤11保持工作状态，确保干冰持续下落；
s3微盐颗粒通过安装于结晶室2外壁的微盐颗粒下料轴4持续进入下料漏斗9和下料筒8中，进入搅拌器6，搅拌器6通过电机以一定速度持续工作，使得微盐颗粒与干冰进行充分混合，然后一同进入压块室7中进行干冰压块动作；
s4在设备的工作过程中，通过控制干冰晶体下料轴10和微盐颗粒下料轴4的供料轴的转速来控制干冰颗粒与微盐颗粒配比，以满足不同硬度的干冰块生产。
优选地，所述生产设备的压力6250.5498千帕。
优选地，所述干冰晶体下料轴10和微盐颗粒下料轴4均通过轴套固定于下料漏斗上方。
氯化钠为离子晶体，干冰为分子晶体，晶体的硬度一般为原子晶体＞离子晶体＞分子晶体，所以氯化钠的与干冰的结构的硬度会比普通的干冰硬度高。
干冰颗粒在高压气流中加速，冲击待去除毛刺产品的表面，这种方式的独特之处在于干冰颗粒在冲击瞬间气化，其它的动量在冲击瞬间消失。干冰颗粒与待去除毛刺产品表面间迅速发生热交换，致使固体二氧化碳迅速升华变为气体。干冰颗粒在千分之几秒内体积膨胀近800倍，这样在冲击点造成微型爆炸。由于二氧化碳挥发掉了，干冰去除毛刺过程中没有产生任何二次废物，留下需要清理的只是清除下来的污垢。
二氧化碳与氯化钠均很便宜并且易于保存，它们不导电并且没有可燃性。
通过上述技术方案，本发明提供了一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰配方，以及该增强型干冰的生产工艺；所述增强型干冰包括：干冰、盐；所述干冰和盐的配比为1:30；通过该增强型生产设备的加工工艺使得干冰微粒与微盐颗粒充分混合，成型后的干冰块包含更硬的微盐颗粒，并且混合比例可控，使得用于去除手机中框毛刺的干冰具有更大的打击力，使得去除效果更好，同时减少了干冰的用量，降低了成本，所述增强型干冰具有成本低，市场空间大，去除毛刺效果显著的优点。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
1.一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰配方，其特征在于，包括干冰,盐，所述干冰和盐的配比为1:30。
2.根据权利要求1所述的应用于手机中框毛刺的增强型干冰配方，其特征在于，所述干冰为二氧化碳，所述盐为氯化钠。
3.根据权利要求1所述的应用于手机中框毛刺的增强型干冰配方，其特征在于，所述干冰用量1g,所述盐的用量30g。
4.一种应用于手机中框毛刺的增强型干冰的生产工艺，其特征在于，所述生产工艺包括以下步骤：
s1液态二氧化碳从设备的入口进入结晶室进行降压，二氧化碳结晶成干冰，一部分二氧化碳变为废气从泄压口排出；
s2结晶后的干冰通过干冰晶体下料轴和下料漏斗落在搅拌器中，其中干冰晶体下料轴通过电机控制以一定速度保持转动供料，转动时保持机械密封，确保结晶室压力稳定,同时位于结晶室外壁的振锤保持工作状态，确保干冰持续下落；
s3微盐颗粒通过安装于结晶室外壁的微盐颗粒下料轴持续进入下料漏斗和下料筒中，进入搅拌器，搅拌器通过电机以一定速度持续工作，使得微盐颗粒与干冰进行充分混合，然后一同进入压块室7中进行干冰压块动作；
s4在设备的工作过程中，通过控制干冰晶体下料轴和微盐颗粒下料轴的供料轴的转速来控制干冰颗粒与微盐颗粒配比，以满足不同硬度的干冰块生产。
5.根据权利要求4所述应用于手机中框毛刺的增强型干冰的生产工艺，其特征在于，所述生产设备的压力6250.5498千帕。
技术总结