本实用新型涉及射频通信技术领域，具体为一种利用于高互调产品的带状低通组件。
背景技术：
在现有的射频器件中，通常采用传统糖葫芦串式的低通组件，糖葫芦串式低通有两个分部，一部分是糖葫芦串样子的金属低通(分为直径粗的低阻和直径细的高阻)，另一个部分一般是材质为fep的热缩套管或者材质为ptfe的介质套管(用于套在糖葫芦串上绝缘)。
但现有器件中，很多时候出于射频器件的空间利用考虑或者在高频隔离有比较严格的抑制时，需要在射频器件的天线口放置低通来实现功能，但是传统糖葫芦串式低通，因为电流分布密度，低通槽和低通公差影响导致互调不良和低通性能变差，另外糖葫芦串式的低通因为高阻一般比较细的原因，装配过程中容易折弯。装配过程往往需要通过热风枪把热缩套管热缩到低通上，工序相对繁琐。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种利用于高互调产品的带状低通组件，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种利用于高互调产品的带状低通组件，包括绝缘介质与带状金属低通，所述带状金属低通是由多个矩形金属片、多个y字形金属片与多个水平方向连接的金属片组成，所述绝缘介质包裹在所述矩形金属片的外侧。
优选的，所述矩形金属片与所述y字形金属片底部相连接。
优选的，多个所述水平方向连接的金属片与多个所述y字形金属片顶部相连接。
优选的，多个所述矩形金属片、多个所述y字形金属片与多个所述水平方向连接的金属片为一体冲压成型。
优选的，多个相邻的所述矩形金属片之间留有1mm空隙。
优选的，多个水平方向的金属片和多个所述矩形金属片为相互平行设置，所述水平方向金属片远离所述y字形金属片的另一端与射频组件电连接。
优选的，所述带状金属片镶嵌于所述绝缘介质槽中，且所述绝缘介质为ptfe材质。
优选的，所述矩形金属片为带状低通的低阻抗部分，所述y字形金属片与所述水平方向连接的金属片为带状低通的高阻抗部分。
优选的，所述带状金属低通为表面镀银的铜片。
有益效果
带状低通的绝缘介质厚度为1mm，金属片的厚度为1-2mm，离低通槽的距离更远，降低了公差的影响，低通性能更加有一致性，互调的性能也得到提升。因带状低通是直接镶嵌在侧面开槽的ptfe介质中，免去热缩套管热缩的步骤，组件少，装配简单，能解决互调和低通一致性的技术问题。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的侧视示意图；
图3为本实用新型的仿真波形示意图。
附图标记
11-绝缘介质，21-带状金属低通，21a-矩形金属片，21b-y字型金属片，21c-水平方向连接的金属片。
具体实施方式
以下是本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步的描述，但本实用新型并不限于这些实施例。
实施例
如图1-3所示，一种利用于高互调产品的带状低通组件，包括绝缘介质11与带状金属低通21，带状金属低通21是由多个矩形金属片21a、多个y字形金属片21b与多个水平方向连接的金属片21c组成，绝缘介质11包裹在矩形金属片21a的外侧。
优选的，矩形金属片21a与y字形金属片21b底部相连接。
优选的，多个水平方向连接的金属片21c与多个y字形金属片21b顶部相连接。
优选的，多个矩形金属片21a、多个y字形金属片21b与多个水平方向连接的金属片21c为一体冲压成型。
优选的，多个相邻的矩形金属片21a之间留有1mm空隙。
优选的，多个水平方向的金属片21c和多个矩形金属片21a为相互平行设置，水平方向金属片21c远离y字形金属片21b的另一端与射频组件电连接。
优选的，带状金属片22镶嵌于绝缘介质11槽中，且绝缘介质11为ptfe材质。
优选的，矩形金属片21a为带状低通的低阻抗部分，y字形金属片21b与水平方向连接的金属片21c为带状低通的高阻抗部分。
优选的，带状金属低通21为表面镀银的铜片。
绝缘介质一般是一种具有一定介电常数的塑料介质。绝缘介质是包裹在带状低通的矩形金属片外的介质。绝缘介质和带状的金属片是注塑一体成型的结构或者是一个侧面开槽的ptfe材质的介质，带状金属低通是由多个矩形金属片，y字形的金属片和水平方向连接的金属片组成。矩形金属片和y字形的金属片底部相连接。水平方向的金属片和y字形金属片顶部相连接。矩形金属片，y字形的金属片和水平方向连接的金属片为一体成型，便于制造。
具体的相邻的矩形金属片之间留有1mm以上的空隙。其中矩形金属片是带状低通的低阻抗部分。y字形的金属片和水平连接的是带状低通的高阻抗部分。本组件便于制造，简化装配工序，生产和装配过程中金属片不易形变，提高了生产效率，降低了生产成本。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型性的保护范围之内的实用新型内容。
1.一种利用于高互调产品的带状低通组件，包括绝缘介质(11)与带状金属低通(21)，其特征在于：所述带状金属低通(21)是由多个矩形金属片(21a)、多个y字形金属片(21b)与多个水平方向连接的金属片(21c)组成，所述绝缘介质(11)包裹在所述矩形金属片(21a)的外侧。
2.根据权利要求1所述的利用于高互调产品的带状低通组件，其特征在于：所述矩形金属片(21a)与所述y字形金属片(21b)底部相连接。
3.根据权利要求1所述的利用于高互调产品的带状低通组件，其特征在于：多个所述水平方向连接的金属片(21c)与多个所述y字形金属片(21b)顶部相连接。
4.根据权利要求1所述的利用于高互调产品的带状低通组件，其特征在于：多个所述矩形金属片(21a)、多个所述y字形金属片(21b)与多个所述水平方向连接的金属片(21c)为一体冲压成型。
5.根据权利要求1所述的利用于高互调产品的带状低通组件，其特征在于：多个相邻的所述矩形金属片(21a)之间留有1mm空隙。
6.根据权利要求1所述的利用于高互调产品的带状低通组件，其特征在于：多个水平方向的金属片(21c)和多个所述矩形金属片(21a)为相互平行设置，所述水平方向金属片(21c)远离所述y字形金属片(21b)的另一端与射频组件电连接。
7.根据权利要求1所述的利用于高互调产品的带状低通组件，其特征在于：带状金属片镶嵌于所述绝缘介质(11)槽中，且所述绝缘介质(11)为ptfe材质。
8.根据权利要求1所述的利用于高互调产品的带状低通组件，其特征在于：所述矩形金属片(21a)为带状低通的低阻抗部分，所述y字形金属片(21b)与所述水平方向连接的金属片(21c)为带状低通的高阻抗部分。
9.根据权利要求1所述的利用于高互调产品的带状低通组件，其特征在于：所述带状金属低通(21)为表面镀银的铜片。
技术总结