本实用新型涉及电磁元器件技术领域，特别涉及一种共模电感尖端放电的电路板。
背景技术：
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁mosfet和cmos元器件的栅极；cmos器件中的触发器锁死；短路反偏的pn结；短路正向偏置的pn结；熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(esd)对电子设备的干扰和破坏，需要采取多种技术手段进行防范。
在pcb设计当中，可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现pcb的抗esd设计。在设计过程中，通过预测可以将绝大多数设计修改仅限于增减元器件。通过调整pcb布局布线，能够很好地防范esd。
技术实现要素：
本实用新型公开了一种共模电感尖端放电的电路板，通过调整pcb布局布线，很好地防范esd。
本实用新型所采用的技术方案如下：
一种共模电感尖端放电的电路板，包括基板；所述基板敷设铜皮线路；所述基板的两侧均设有共模电感区；所述共模电感区包括焊盘；所述焊盘开设通孔；所述基板的中部设有两组相对且对称的锯齿状的尖端放电区；两组所述尖端放电区之间设有阻焊层。
其进一步的技术特征为：所述焊盘和所述基板的重合面积为s1，所述焊盘的面积为s2，且s1≤12s2。
其进一步的技术特征为：一组所述尖端放电区为多个信号尖端，另一组所述尖端放电区为多个接地尖端；多个所述信号尖端和多个所述接地尖端一一相对；所述信号尖端和所述接地尖端之间的间距l为4.5mil；所述信号尖端的高度和所述接地尖端的高度h为2.5mil。
本实用新型的有益效果如下：
本实用新型通过共模电感区下有锯齿状的尖端放电区，消除静电释放对电子设备的干扰和破坏。不增加额外的电子元器件，即可达到快速释放静电的目的，节省了使用esd元器件的成本，进一步降低了生产成本，同时采用的锯齿状尖端能够进一步分散静电释放，降低静电释放风险，结构简单，利于生产制造。
附图说明
图1为本实用新型的示意图。
图中：1、基板；2、铜皮线路；3、焊盘；4、通孔；5、尖端放电区；51、信号尖端；52、接地尖端；6、阻焊层。
具体实施方式
关本实用新型的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图对实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明，此外，在全部实施例中，相同的附图标号表示相同的元件。
下面结合附图，说明本实施例的具体实施方式。
图1为本实用新型的示意图。如图1所示，一种共模电感尖端放电的电路板，包括基板1。基板1敷设铜皮线路2。基板1的两侧均设有共模电感区。共模电感区包括焊盘3。焊盘3和基板1的重合面积为s1(图中阴影部分)，焊盘3的面积为s2，且s1≤1/2s2。焊盘3开设通孔4。pcb引线焊接输入线和pcb引线焊接输出线分别穿过通孔4。基板1的中部设有两组相对且对称的锯齿状的尖端放电区5。两组尖端放电区5之间设有阻焊层6，即为在两组尖端放电区5之间做露铜处理。
一组尖端放电区5为多个信号尖端51，另一组尖端放电区5为多个接地尖端52。多个信号尖端51和多个接地尖端52一一相对。信号尖端51和接地尖端52之间的间距l为4.5mil。信号尖端51的高度和接地尖端52的高度h为2.5mil。
本实用新型通过共模电感区下有锯齿状的尖端放电区5，消除静电释放对电子设备的干扰和破坏。不增加额外的电子元器件，即可达到快速释放静电的目的，节省了使用esd元器件的成本，进一步降低了生产成本，同时采用的锯齿状尖端能够进一步分散静电释放，降低静电释放风险，结构简单，利于生产制造。
以上描述是对本实用新型的解释，不是对实用新型的限定，本实用新型所限定的范围参见权利要求，在不违背本实用新型的基本结构的情况下，本实用新型可以作任何形式的修改。
1.一种共模电感尖端放电的电路板，其特征在于：包括基板(1)；所述基板(1)敷设铜皮线路(2)；所述基板(1)的两侧均设有共模电感区；所述共模电感区包括焊盘(3)；所述焊盘(3)开设通孔(4)；所述基板(1)的中部设有两组相对且对称的锯齿状的尖端放电区(5)；两组所述尖端放电区(5)之间设有阻焊层(6)。
2.根据权利要求1所述的共模电感尖端放电的电路板，其特征在于：所述焊盘(3)和所述基板(1)的重合面积为s1，所述焊盘(3)的面积为s2，且s1≤1/2s2。
3.根据权利要求1所述的共模电感尖端放电的电路板，其特征在于：一组所述尖端放电区(5)为多个信号尖端(51)，另一组所述尖端放电区(5)为多个接地尖端(52)；多个所述信号尖端(51)和多个所述接地尖端(52)一一相对；所述信号尖端(51)和所述接地尖端(52)之间的间距l为4.5mil；所述信号尖端(51)的高度和所述接地尖端(52)的高度h为2.5mil。
技术总结