1.本发明属于桂皮抛光技术领域，尤其是涉及一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺。
背景技术：2.目前化学-机械抛光中，最大的问题是在抛光过程中，硅片表面存在很多颗粒，导致硅片表面的洁净度较差。若硅片表面颗粒较多会影响后期器件的制备，导致出现漏电隐患，严重影响产品质量。
技术实现要素：3.本发明提供一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，尤其是用于提高硅片表面洁净度，解决了现有抛光工艺不合理导致硅片表面颗粒较多的技术问题。
4.为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
5.一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，至少对抛光后的硅片进行一次粗抛和一次精抛；在粗抛所用的粗抛液中加入活性剂，且加入活性剂的时间小于粗抛的时间。
6.进一步的，粗抛时加入活性剂的时间不小于5s。
7.进一步的，粗抛的时间为200-300s；
8.粗抛液温度不超过25
°
；
9.优选地，粗抛液温度为20
°
。
10.进一步的，粗抛液中含有二氧化硅磨粒的浓度为18-22％，且二氧化硅的平均粒径为40-50nm；且粗抛液与水的体积比为1：25。
11.进一步的，精抛在粗抛之后，且包括两次精抛，每次精抛时都加入活性剂，且加入活性剂的时间都小于每个精抛的时间。
12.进一步的，两次精抛中加入活性剂的时间相同，且均不小于5s。
13.进一步的，每次精抛的时间为200-300s，且两次精抛时间相同；
14.精抛液温度不超过25
°
；
15.优选地，精抛液温度为22
°
。
16.进一步的，精抛液中含有二氧化硅磨粒的浓度为8.7-10％，且二氧化硅的平均粒径为30-38nm；精抛液与水的体积比为1：30。
17.进一步的，精抛中加入活性剂的时间不大于粗抛中加入活性剂的时间；
18.且粗抛和所有精抛中所用的活性剂均相同且均为酸性。
19.进一步的，在每次粗抛和精抛之后，都要进行纯水冲洗。
20.采用本发明设计的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，在每一抛光工序中都添加活性剂，且添加活性剂的时间至少持续5s，即可完全抛光掉硅片表面上的颗粒，抛光效果好且抛光效率高；可有效提升硅片表面颗粒的洁净度，对后期器件质量有较大改善，且硅片利用率高，节约成本。
附图说明
21.图1是本发明一实施例的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺的流程图。10、粗抛20、一次精抛30、二次精抛
具体实施方式
22.下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
23.本实施例提出一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，如图1所示，至少对硅片进行一次粗抛10和一次精抛20；且在粗抛10所用的粗抛液中加入活性剂，且加入活性剂的时间小于粗抛的时间。由于硅片抛光时会产生需多硅粉颗粒及其它杂质，都粘附在硅片表面，故需要对这些硅粉颗粒和杂质进行抛光。在抛光过程中，仅用水冲洗是无法将抛光液抛光干净，更无法将硅粉颗粒抛光掉，需要先用粗颗粒的粗抛液进行喷洒，先把这些表面颗粒及杂质中和掉，仅仅通过粗抛液无法完全将硅粉颗粒及杂质抛光掉，必须添加一些活性剂，增加粗抛液的抛光效果，再通过纯水进行冲洗，即可有效地将硅片表面颗粒抛光掉。
24.进一步的，粗抛10时加入活性剂的时间不小于5s，也就是在粗抛10的过程中，添加活性剂进行冲洗的时间至少为5s，甚至大于5s；但小于粗抛的总的时间。5s是添加活性剂的最小时间，这一时间才能够中和硅片表面上的碱性抛光液。
25.进一步的，粗抛10的时间为200-300s，才能把硅片表面上的碱性抛光液完全抛光掉，在粗抛中，刚开始仅仅是采用粗抛液进行抛光，抛光10-50s后，先通过粗抛液将硅片表面上的碱性抛光液软化。之后再通入活性剂，与粗抛液一起对硅片表面上的颗粒和杂质进行抛光，活性剂可加速硅片表面上颗粒与硅片表面的脱离。通入活性剂一段时间后，再继续在粗抛液中进行抛光，优选地，活性剂添加的时间为5s，为了经济效益的考虑，而且还能使活性剂最大化地被利用。
26.进一步的，粗抛10的温度不超过25
°
，这一温度下粗抛液对硅片表面的碱液中和效果较好，优选地，在温度为20
°
时，粗抛液和活性剂抛光的效果最好，不仅可快速抛光掉硅片表面的颗粒和杂质，而且还能快速地将硅片表面上的碱性抛光液抛光掉；尤其是可加快对硅片表面上的硅粉颗粒的抛光。在本实施例中，所有硅片表面上的碱性抛光液就是在抛光硅片时添加的抛光液，由于在抛光时硅片表面会粘附很多硅粉颗粒，故需要在后续对硅片进行纯水冲洗。
27.粗抛液中含有二氧化硅磨粒的浓度为18-22％，且二氧化硅的平均粒径为40-50nm，且粗抛液与水的体积比为1：25。
28.在粗抛10之后还需要对硅片进行纯水冲洗，以对硅片表面上的粗抛液进行清洗。
29.进一步的，在粗抛10之后还设有精抛，且包括两次精抛，分别为一次精抛20和二次精抛30，且每次精抛时都加入活性剂，且加入活性剂的时间都小于每个精抛的时间。精抛目的是采用颗粒更细的精抛液对硅片表面上的颗粒及杂质，以保存硅片表面的纯净度。
30.进一步的，在一次精抛20和二次精抛30中都加入活性剂，且两次精抛中加入活性剂的时间相同，且均不小于5s；也就是在一次精抛20和二次精抛30的抛光过程中，至少添加5s的活性剂，以保证硅片表面所有的硅粉颗粒完全被清除掉。在两次精抛过程，添加活性剂的时间段和时间都相同，优选地，添加活性剂的时间为5s。
31.进一步的，每次精抛的时间为200-300s，且两次精抛时间相同。具体地，在一次精
抛20和二次精抛30中，刚开始仅仅是采用精抛液进行抛光，抛光10-50s后，先通过精抛液将硅片表面上的残留的比较少的抛光液软化。之后再通入活性剂，与精抛液一起对硅片表面上的颗粒和杂质进行抛光，活性剂可加速硅片表面上颗粒与硅片表面的脱离，而精抛液可将硅片表面上的杂质进一步抛光掉。通入活性剂一段时间后，再继续在精抛液中进行抛光。
32.进一步的，精抛液温度不超过25
°
，对于精抛中所用的温度只要是常温温度即可；优选地，精抛液温度为22
°
，也就是一次精抛20和二次精抛30中精抛温度相同，且均为22
°
，这一过程中，对精抛液的化学效果最好。
33.一次精抛20和二次精抛30所用的精抛液的成分和配置相同，其中，所用的精抛液中含有二氧化硅磨粒的浓度为8.7-10％，且二氧化硅的平均粒径为30-38nm。所有精抛液与水的体积比均为1：30。
34.进一步的，一次精抛20和二次精抛30中加入活性剂的时间不大于在粗抛10中加入活性剂的时间，在本实施例中，粗抛10、一次精抛20和二次精抛30中添加活性剂的时间都相同，均为5s。且粗抛10和所有精抛中所用的活性剂均相同，均为酸性，如drynon-c等酸性活性剂。
35.进一步的，在一次精抛20和二次精抛30之后，都要进行纯水冲洗，也就是在一次精抛20之后，即刻将硅片送入纯水清洗槽中进行快排冲洗；在二次精抛30之后，也即刻将硅片送入纯水清洗槽中进行快排冲洗；冲洗可使硅片表面残留的清洗液清洗掉，保证硅片表面的纯净度。
36.采用本发明设计的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，在每一抛光工序中都添加活性剂，且添加活性剂的时间至少持续5s，即可完全抛光掉硅片表面上的颗粒，抛光效果好且抛光效率高；可有效提升硅片表面颗粒的洁净度，对后期器件质量有较大改善，且硅片利用率高，节约成本。
37.以上对本发明的实施例进行了详细说明，所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
技术特征：1.一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，其特征在于，步骤包括：至少对硅片进行一次粗抛和一次精抛；在粗抛所用的粗抛液中加入活性剂，且加入活性剂的时间小于粗抛的时间。2.根据权利要求1所述的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，其特征在于，粗抛时加入活性剂的时间不小于5s。3.根据权利要求1或2所述的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，其特征在于，粗抛的时间为200-300s；粗抛液温度不超过25
°
；优选地，粗抛液温度为20
°
。4.根据权利要求3所述的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，其特征在于，粗抛液中含有二氧化硅磨粒的浓度为18-22％，且二氧化硅的平均粒径为40-50nm；且粗抛液与水的体积比为1：25。5.根据权利要求1-2、4任一项所述的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，其特征在于，精抛在粗抛之后，且包括两次精抛，每次精抛时都加入活性剂，且加入活性剂的时间都小于每个精抛的时间。6.根据权利要求5所述的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，其特征在于，两次精抛中加入活性剂的时间相同，且均不小于5s。7.根据权利要求6所述的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，其特征在于，每次精抛的时间为200-300s，且两次精抛时间相同；精抛液温度不超过25
°
；优选地，精抛液温度为22
°
。8.根据权利要求7所述的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，其特征在于，精抛液中含有二氧化硅磨粒的浓度为8.7-10％，且二氧化硅的平均粒径为30-38nm；精抛液与水的体积比为1：30。9.根据权利要求7或8所述的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，其特征在于，精抛中加入活性剂的时间不大于粗抛中加入活性剂的时间；且粗抛和所有精抛中所用的活性剂均相同且均为酸性。10.根据权利要求9所述的一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，其特征在于，在每次粗抛和精抛之后，都要进行纯水冲洗。
技术总结本发明提供一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，至少对抛光后的硅片进行一次粗抛和一次精抛；在粗抛所用的粗抛液中加入活性剂，且加入活性剂的时间小于粗抛的时间。本发明一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，在每一抛光工序中都添加活性剂，且添加活性剂的时间至少持续5s，即可完全抛光掉硅片表面上的颗粒，抛光效果好且抛光效率高；可有效提升硅片表面颗粒的洁净度，对后期器件质量有较大改善，且硅片利用率高，节约成本。节约成本。节约成本。
技术研发人员：袁祥龙 刘园 武卫 刘建伟 祝斌 刘姣龙 裴坤羽 孙晨光 王彦君 张宏杰 由佰玲 常雪岩 杨春雪 谢艳 刘秒 吕莹 徐荣清
受保护的技术使用者：中环领先半导体材料有限公司
技术研发日：2022.10.12
技术公布日：2022/12/16
